光电检测发光器件

1、第四章、发光与耦合器件第四章、发光与耦合器件通常把物体向外发射出可见光的现象称为发光。通常把物体向外发射出可见光的现象称为发光。但对光电技术领域来说，光辐射还包括红外、紫外等不可见的但对光电技术领域来说，光辐射还包括红外、紫外等不可见的频段。频段。 按激发方式的不同，发光可按激发方式的不同，发光可分为分为光致发光，化学发光、摩擦发光致发光，化学发光、摩擦发光、阴极射线致发光、电致发光光、阴极射线致发光、电致发光等等等。等。第一节、发光二极管第一节、发光二极管 它是一种它是一种，它是一个，它是一个PNPN结，当结，当PNPN结加上正向电结加上正向电压时，结区势垒降低，压时，结区势垒降低，P P区

2、的空穴往区的空穴往N N区扩散，区扩散，N N区电子往区电子往P P区扩散，区扩散，电子与空穴在电子与空穴在PNPN结区相遇复合释放能量而发光。结区相遇复合释放能量而发光。发光二极管（发光二极管（LEDLED）按发光波长来分：按发光波长来分： 红外发光二极管；红外发光二极管； 可见光发光二极管可见光发光二极管 PN PN结加以正向电压时，在结加以正向电压时，在PNPN结附近稍偏于结附近稍偏于P P区一边的地区一边的地方，处于高能态的电子与空穴方，处于高能态的电子与空穴相遇时，便产生发光复合。辐相遇时，便产生发光复合。辐射光的波长决定于材料的禁带射光的波长决定于材料的禁带宽度宽度Eg，即即mE.

3、g241 由于不同材料的禁带宽度不同，所以由不同材料制成的由于不同材料的禁带宽度不同，所以由不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。发光二极管可发出不同波长的光。 (1)(1)属于低电压属于低电压、小电流器件，在室温下即可得到足够的亮小电流器件，在室温下即可得到足够的亮度；度； (2) (2)发光响应速度快发光响应速度快(10-710-9s)； (3) (3)性能稳定，寿命长性能稳定，寿命长( (一般一般105小时以上小时以上) )； (4) (4)易于和集成电路匹配，且驱动简单；易于和集成电路匹配，且驱动简单； (5) (5)与普通光源相比，单色性好；与普通光源相比，单色性好； (6)

4、(6)小型、耐冲击。小型、耐冲击。 缺点缺点: :功率较小功率较小、光色有限，较难获得短波发光光色有限，较难获得短波发光( (如紫外、如紫外、蓝色蓝色) )，且发光效率低。，且发光效率低。 二、二、LED的性能参数的性能参数用于显示的用于显示的LEDLED，使用，使用流明效率流明效率。 流明效率流明效率L：用人眼衡量的效率，它表示消耗单位电功率用人眼衡量的效率，它表示消耗单位电功率Pi所得到的光通量所得到的光通量F。WlmPFiL用于非显示时，使用用于非显示时，使用功率效率功率效率与与光学效率光学效率。功率效率功率效率p: :将输入的电功率将输入的电功率Pi转换成辐射的功率转换成辐射的功率Pe

5、的效率。的效率。光学效率光学效率o: :外量子效率外量子效率qe与内量子效率与内量子效率qi之比。之比。%100iepPPqiqeo 内量子效率内量子效率qi: :辐射复合所产生的光子数辐射复合所产生的光子数NT1与激发时注入的电与激发时注入的电子孔穴对数子孔穴对数G之比。之比。 外量子效率外量子效率qe：射出的光子数射出的光子数NT与注入的电子孔穴对数与注入的电子孔穴对数G之比。之比。GNTqi1GNTqe 量子效率量子效率是指注入载流子复合而产生的光量子效率。是指注入载流子复合而产生的光量子效率。 。 通过发光二极管的电流与加到二极管两端电压之间的关系，通过发光二极管的电流与加到二极管两端

6、电压之间的关系，称为发光二极管的伏安特性。称为发光二极管的伏安特性。 UT为开启电压。为开启电压。UUT时，二极管导通发光。时，二极管导通发光。UUT时，二时，二极管截止不发光。极管截止不发光。UT的大小与材料、工艺等因素有关。的大小与材料、工艺等因素有关。 发光二极管的反向击穿电压一般在发光二极管的反向击穿电压一般在5V以上。以上。 这种性质，对于采用脉冲驱这种性质，对于采用脉冲驱动的方式是很有利的，它可动的方式是很有利的，它可以在平均电流与直流电流相以在平均电流与直流电流相等的情况下，获得很高的亮等的情况下，获得很高的亮度。度。 温度对温度对PNPN结的复合发光是结的复合发光是有影响的，在

7、偏置电压不变的有影响的，在偏置电压不变的情况下，结温升高到一定程度情况下，结温升高到一定程度后，电流将变小，发光亮度减后，电流将变小，发光亮度减弱，电流与温度的关系大致如弱，电流与温度的关系大致如上图所示。上图所示。 发光二极管的寿命都很长，在电流密度发光二极管的寿命都很长，在电流密度j1A/cm2的的情况下，一般可达情况下，一般可达106h，最长可达，最长可达109h 。 电流密度对二极管的寿命是有影响的，电流密度大时，电流密度对二极管的寿命是有影响的，电流密度大时，发光亮度高，寿命就会很快缩短。发光亮度高，寿命就会很快缩短。 指发光二极管启亮与熄灭时的时间延迟。指发光二极管启亮与熄灭时的时

8、间延迟。 发光二极管的响应时间很短，一般只有几纳秒至几发光二极管的响应时间很短，一般只有几纳秒至几十纳秒。十纳秒。 当利用脉冲电流去驱动发光二极管时，应考虑到脉当利用脉冲电流去驱动发光二极管时，应考虑到脉冲宽度、占空比与响应时间的关系。冲宽度、占空比与响应时间的关系。三、发光二极管的应用及使用要点三、发光二极管的应用及使用要点数字、文字、图像显示；数字、文字、图像显示；指示、照明；指示、照明；光源；光源；光电开关、报警、遥控、耦合；光电开关、报警、遥控、耦合；开启电压开启电压 发光二极管的电特性和温度特性都与普通的硅、锗二极管类发光二极管的电特性和温度特性都与普通的硅、锗二极管类似。只是正向开

9、启电压一般都比普通的硅、锗二极管大些，而似。只是正向开启电压一般都比普通的硅、锗二极管大些，而且因品种而异。且因品种而异。温度特性温度特性 利用发光二极管和硅的受光器件进行组合使用时，应注意利用发光二极管和硅的受光器件进行组合使用时，应注意到二者的温度特性是相反的。到二者的温度特性是相反的。 温度升高时，发光二极管的电光转换效率变小，亮度减弱温度升高时，发光二极管的电光转换效率变小，亮度减弱。而而硅的受光器件，光电转换效率却是增加的硅的受光器件，光电转换效率却是增加的。所以使用时，应。所以使用时，应把二者放到一起考虑，注意其组合后的整体温度特性。把二者放到一起考虑，注意其组合后的整体温度特性。

10、 发光二极管一般都带有圆顶的玻璃窗，当利用它和受光器件发光二极管一般都带有圆顶的玻璃窗，当利用它和受光器件组合时，应注意到这一结构上的特点。发光管与受光管二者对组合时，应注意到这一结构上的特点。发光管与受光管二者对得不准时，效果会变得很差。得不准时，效果会变得很差。1 1、LEDLED的缺点是（）的缺点是（） A A、发光效率低发光效率低 B B、性能稳定，寿命长性能稳定，寿命长 C C、小型小型 D D、响应速度快响应速度快2 2、LEDLED的优点（的优点（） A A、寿命短寿命短 B B、体积小体积小 C C、功耗大功耗大 D D、发光效率高发光效率高3 3、发光二极管的工作条件是（、发

11、光二极管的工作条件是（） A A、加热加热 B B、加正向偏压加正向偏压 C C、加反向偏压加反向偏压 D D、光照光照 第二节、激光器第二节、激光器 激光器是一种新型光源，和钨丝灯等常见光源相比，有许激光器是一种新型光源，和钨丝灯等常见光源相比，有许多突出的特点，例如，多突出的特点，例如，激光的发散角很小，只有几毫弧，激光束几乎就是激光的发散角很小，只有几毫弧，激光束几乎就是一条直线。一条直线。一、激光的产生一、激光的产生 原子在两个能级之间跃迁有三原子在两个能级之间跃迁有三种情况，设种情况，设E1为基态，为基态，E2为激发态。为激发态。这二能态之间的任何跃迁都伴随着这二能态之间的任何跃迁都

12、伴随着发射或吸收频率为发射或吸收频率为12的光子。的光子。1212EEh 吸收过程：吸收过程：常温下大部分原子处于基态。常温下大部分原子处于基态。如过能量如过能量正好等于正好等于h12的光子碰击此系统时，处于基态的原子会吸收光的光子碰击此系统时，处于基态的原子会吸收光子而进入激发态。子而进入激发态。 自发发射过程：自发发射过程：原子在激发态是不稳定的，在没原子在激发态是不稳定的，在没有任何外界刺激的条件下，有自发返回基态的趋势，并放出能有任何外界刺激的条件下，有自发返回基态的趋势，并放出能量为量为h12的光子。的光子。 受激辐射过程：受激辐射过程：当能量为当能量为h12的入射光子激励已处的入射

13、光子激励已处于激发态的原子后，原子因受激而跃回基态，并于激发态的原子后，原子因受激而跃回基态，并。 在激光物质中，外来的光子在激光物质中，外来的光子h12可以引起激发态原子可以引起激发态原子的受激辐射，但也可能被基态原子所吸收，这两个过程是的受激辐射，但也可能被基态原子所吸收，这两个过程是同时存在的，且受激辐射与吸收的几率可能具有相同的数同时存在的，且受激辐射与吸收的几率可能具有相同的数量级。在常温下基态原子比激发态原子多得多，故总吸收量级。在常温下基态原子比激发态原子多得多，故总吸收多于总发射。多于总发射。要产生激光，必须使总发射率大于总吸收率要产生激光，必须使总发射率大于总吸收率。 要使激

14、光工作物质的受激辐射占优势，就必须从外部给要使激光工作物质的受激辐射占优势，就必须从外部给工作物质输入能量，使处于激发态的载流子多于基态的载流子，工作物质输入能量，使处于激发态的载流子多于基态的载流子，也就是把载流子的正常分布倒转过来，称之为分布反转状态也就是把载流子的正常分布倒转过来，称之为分布反转状态（粒子数反转）。（粒子数反转）。 分布反转的方法有：分布反转的方法有： 固体激光器多采用光谱适当的强光对激光物质进行照射；固体激光器多采用光谱适当的强光对激光物质进行照射； 气体激光器多采用使气体电离的方法；气体激光器多采用使气体电离的方法； 半导体激光器多采用注入载流子的方法，使处于基态的半

15、导体激光器多采用注入载流子的方法，使处于基态的原子跃迁到激发态，并随着受激辐射的损耗，不断地补充高能原子跃迁到激发态，并随着受激辐射的损耗，不断地补充高能原子。原子。 为了使发射光具有激光的特点，还必须产生为了使发射光具有激光的特点，还必须产生“振荡振荡”。产。产生振荡的方法是在激光物质的两侧放置相互平行的反射面，这生振荡的方法是在激光物质的两侧放置相互平行的反射面，这种反射面组称为种反射面组称为共振腔共振腔。 自发发射的方向不与共振腔轴线平行的光子将被反射出自发发射的方向不与共振腔轴线平行的光子将被反射出腔外，而平行的自发发射光子才能促使形成受激辐射。也就腔外，而平行的自发发射光子才能促使形

16、成受激辐射。也就是说，这些与腔轴平行的光子在腔内两个反射面上来回反射，是说，这些与腔轴平行的光子在腔内两个反射面上来回反射，反复地通过工作物质，依靠受激辐射，光子每通过一次工作反复地通过工作物质，依靠受激辐射，光子每通过一次工作物质便得到一次增益，使光子数不断增长，所以物质便得到一次增益，使光子数不断增长，所以共振腔是产共振腔是产生激光的又一必要条件。生激光的又一必要条件。 如果光子在腔内来回一次所如果光子在腔内来回一次所感生出来的光子数比损耗掉的多感生出来的光子数比损耗掉的多得多，便可产生激光振荡。得多，便可产生激光振荡。 同时光子在两个反射面之间同时光子在两个反射面之间来回反射形成了两列相

17、反方向传来回反射形成了两列相反方向传播的波，播的波，只有这两列波叠加而在只有这两列波叠加而在腔内形成驻波时，这种振荡才是腔内形成驻波时，这种振荡才是稳定的稳定的。 。即：。即：nmL2 激光器一般是由激光器一般是由组成。组成。二、氦氖激光器二、氦氖激光器 氦氖激光器的工作物质是氦氖混合气体，利用气体电离的氦氖激光器的工作物质是氦氖混合气体，利用气体电离的方法使粒子数反转。方法使粒子数反转。主要发光物质是氖气主要发光物质是氖气。 氦氖激光器能够发出三种波长的谱线：氦氖激光器能够发出三种波长的谱线： 632.8nm： （桔红色）最常用；（桔红色）最常用； 1.15m； 3.39m； 颜色非常纯，相

18、干长度达几十千米。颜色非常纯，相干长度达几十千米。 ，光束发散角很小，只有几毫弧度，激光束几，光束发散角很小，只有几毫弧度，激光束几乎是一条直线。乎是一条直线。 。 优点 ，输出光功率可达，输出光功率可达0.3mW15mW以上。从结构上分：以上。从结构上分： 全外腔激光器全外腔激光器： 优点是优点是：输出线偏振光；反射镜可以随时调整，适于：输出线偏振光；反射镜可以随时调整，适于多种实验要求；受温度影响较小。多种实验要求；受温度影响较小。 缺点是缺点是：经常需要调整，而调整技术又比较复杂，因：经常需要调整，而调整技术又比较复杂，因而使用不便。而使用不便。 全内腔激光器全内腔激光器： 优点是优点是

19、：使用时不需要调整谐振腔，使用方便。：使用时不需要调整谐振腔，使用方便。 缺点是缺点是：腔管受温度影响较大，输出不稳定。：腔管受温度影响较大，输出不稳定。 半内腔激光器半内腔激光器： 它具有上述两种结构的优点。它具有上述两种结构的优点。三、半导体激光器三、半导体激光器分分类类 电子束激励的半导体激光器电子束激励的半导体激光器 注入式半导体激光器注入式半导体激光器 小功率半导体激光器小功率半导体激光器大功率半导体激光器大功率半导体激光器1 1、结构和工作原、结构和工作原理理PNPN结型二极管注入式激光器结型二极管注入式激光器 半导体激光器的工作物质是半导体材料。半导体激光器的工作物质是半导体材料

20、。P-NP-N结就是激活介结就是激活介质，与结平面垂直的两个对应的晶体解理面（抛光面）构成了质，与结平面垂直的两个对应的晶体解理面（抛光面）构成了谐振腔。其余的前后两面是粗糙的，用来消除主要方向以外的谐振腔。其余的前后两面是粗糙的，用来消除主要方向以外的激光作用。当激光作用。当P-NP-N结正向注入电流时，则可激发激光。结正向注入电流时，则可激发激光。 注入式半导体激光器的工作过程是，加外电源使注入式半导体激光器的工作过程是，加外电源使PNPN结进行结进行正偏置。正向电流达到一定程度时，正偏置。正向电流达到一定程度时，PNPN结区即发生导带对于价结区即发生导带对于价带的粒子数反转。这时，导带中

21、的电子会有一部分发生辐射跃带的粒子数反转。这时，导带中的电子会有一部分发生辐射跃迁，同时产生自发辐射。自发辐射出来的光，是无方向性的。迁，同时产生自发辐射。自发辐射出来的光，是无方向性的。但其中总会有一部分光是沿着谐振腔腔轴方向传播的，往返于但其中总会有一部分光是沿着谐振腔腔轴方向传播的，往返于半导体之间。通过这种光子的诱导，即可使导带中的电子产生半导体之间。通过这种光子的诱导，即可使导带中的电子产生受激辐射（光放大）。受激辐射出来的光子又会进一步去诱导受激辐射（光放大）。受激辐射出来的光子又会进一步去诱导导带中的其它电子产生受激辐射。如此下去，在谐振腔中即形导带中的其它电子产生受激辐射。如此

22、下去，在谐振腔中即形成了光振荡，从谐振腔两端发射出激光。只要外电源不断的向成了光振荡，从谐振腔两端发射出激光。只要外电源不断的向PNPN结注入电子，导带对于价带的粒子数反转就会继续下去，受结注入电子，导带对于价带的粒子数反转就会继续下去，受激辐射即可不停地发生，这就是注入式半导体激光器的发光过激辐射即可不停地发生，这就是注入式半导体激光器的发光过程。程。2 2、主要特性、主要特性激光阈值激光阈值 阈值：阈值：在激光器中，要维持激光振荡，不仅需要使光子的在激光器中，要维持激光振荡，不仅需要使光子的生产速率超过吸收速率，而且还要超过光子在结区的损耗率。生产速率超过吸收速率，而且还要超过光子在结区的

23、损耗率。这种刚好低偿吸收与损耗的光子生产率叫阈值。这种刚好低偿吸收与损耗的光子生产率叫阈值。激光器长度激光器长度LL越大，阈值电流越小；越大，阈值电流越小；结区表面的透过损耗结区表面的透过损耗该损耗越大，阈值电流越大；该损耗越大，阈值电流越大；激光器的表面反射率激光器的表面反射率反射率越大，阈值电流越小；反射率越大，阈值电流越小；温度温度阈值电流随温度的升高而增大；阈值电流随温度的升高而增大；影响阈值的因素：影响阈值的因素： 半导体激光器的阈值电流都比较高，由于激光器工作时半导体激光器的阈值电流都比较高，由于激光器工作时需要的电流很大，电流通过结和串联电阻时，将使结的温度需要的电流很大，电流通

24、过结和串联电阻时，将使结的温度上升，这又导致阈值电流上升。所以阈值电流很高的激光器，上升，这又导致阈值电流上升。所以阈值电流很高的激光器，以降低平均热损耗。以降低平均热损耗。频谱分布频谱分布 结型激光器的频谱分布取决于组成激光器结型激光器的频谱分布取决于组成激光器半导体材料半导体材料。适当选择有激光作用的半导体材料，可以得到不同的激光波长。适当选择有激光作用的半导体材料，可以得到不同的激光波长。 根据材料及结构的不同，目前半导体激光器的波长为根据材料及结构的不同，目前半导体激光器的波长为0.33m44m。 优点：体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便。优点：体积小、重量轻、效率高、寿命长、使

25、用方便。 1、发光二极管的发光亮度，基本上是正比于（、发光二极管的发光亮度，基本上是正比于（ ）。）。2、氦氖激光器以（、氦氖激光器以（ ）电源驱动。从结构上分（）电源驱动。从结构上分（ ）（）（ ）（）（ ）激光器。激光器。3、发光二极管将（）能转变为（）能、发光二极管将（）能转变为（）能 。 1、半导体发光二极管的发光原理、半导体发光二极管的发光原理 2、应用发光二极管时注意哪些要点？、应用发光二极管时注意哪些要点？ 3、激光的产生有哪些条件？、激光的产生有哪些条件？ 4、简述注入式半导体激光器的发光过程。、简述注入式半导体激光器的发光过程。 5、使用半导体激光器时以什么方式（连续或脉冲）

26、驱动、使用半导体激光器时以什么方式（连续或脉冲）驱动为宜？为宜？如图所示发光二极管应用电路，已知如图所示发光二极管应用电路，已知VCC=5V，发光二极管发光二极管导通电压导通电压UF=2V，工作电流工作电流IF=15mA，计算限流电阻计算限流电阻R。第三节、光电耦合器件第三节、光电耦合器件 它是将它是将和和密封装在一起形成的密封装在一起形成的器件。由于输入边和输出边是用光来耦合的，在电性能上器件。由于输入边和输出边是用光来耦合的，在电性能上完全是隔离的。由于这种器件是一个利用光耦合做成的电信号完全是隔离的。由于这种器件是一个利用光耦合做成的电信号传输器件，所以一般称为传输器件，所以一般称为光电

27、耦合器件光电耦合器件。一、定一、定义义 光电耦合器的结构有光电耦合器的结构有和和两种。两种。金属密封型：采用金属外壳和玻璃绝缘的结构，在其中心装金属密封型：采用金属外壳和玻璃绝缘的结构，在其中心装片，采用环焊以保证发光管和光敏管对准，以此来提高灵敏度。片，采用环焊以保证发光管和光敏管对准，以此来提高灵敏度。 塑料密封型：采用双立直插式塑料封装的结构。管芯先装于塑料密封型：采用双立直插式塑料封装的结构。管芯先装于管脚上，中间用透明树脂固定，具有集光作用，故这种结构的管脚上，中间用透明树脂固定，具有集光作用，故这种结构的光电耦合器的灵敏度较高光电耦合器的灵敏度较高 。 二、结二、结构构三、光耦的组

28、合形三、光耦的组合形式式图图 a a 组合形式，结构简组合形式，结构简单、成本低，通常用于单、成本低，通常用于 5050kHz kHz 以下工作频率的装以下工作频率的装置内。置内。图图 b b 为采用高速开关管为采用高速开关管构成的高速光电耦合器，构成的高速光电耦合器，用于较高频率的装置中。用于较高频率的装置中。 图图 c c 的组合形式采用了的组合形式采用了放大三极管构成的高传输效放大三极管构成的高传输效率的光电耦合器，用于直接率的光电耦合器，用于直接驱动和较低频率的装置中。驱动和较低频率的装置中。 图图 d d 为采用固体功能器为采用固体功能器件构成的高速、高传输效率件构成的高速、高传输效

29、率的光电耦合器。的光电耦合器。四、光耦的特四、光耦的特点点 。 。 ，具有一般固体器件的，具有一般固体器件的五、特性参五、特性参数数、传输特性、传输特性 在直流工作状态下，光电耦合器件的集电极电流在直流工作状态下，光电耦合器件的集电极电流Ic与发光二与发光二极管的注入电流极管的注入电流IF之比，称为光电耦合器件的之比，称为光电耦合器件的直流电流传输比直流电流传输比，用用表示。表示。%100FCIIFICI 工作点选择在输出特性的不工作点选择在输出特性的不同位置，同位置，就不同。在传送小信就不同。在传送小信号时，用交流电流传输比来表示。号时，用交流电流传输比来表示。%100FCII 对于输出特性

30、较好的光电耦合器件，有对于输出特性较好的光电耦合器件，有IF曲线曲线的典型温度特性曲线的典型温度特性曲线 输入输入输出间绝缘耐压与发光二极管和光敏三极管之输出间绝缘耐压与发光二极管和光敏三极管之间的距离有关，当二者距离增大时，绝缘耐压提高（但电流传间的距离有关，当二者距离增大时，绝缘耐压提高（但电流传输比降低）。输比降低）。 输入输入输出间绝缘电阻一般在输出间绝缘电阻一般在1091013之间，该电之间，该电阻越大，隔离性能越好，但电流传输比降低。阻越大，隔离性能越好，但电流传输比降低。 当输入当输入输出间的寄生电容增大时，光电耦合器的工作输出间的寄生电容增大时，光电耦合器的工作频率下降，也能使

31、其共模抑制比频率下降，也能使其共模抑制比CMRR下降，故后面系统的噪下降，故后面系统的噪音容易反馈到前面系统中。对于一般的光电耦合器件，其寄生音容易反馈到前面系统中。对于一般的光电耦合器件，其寄生电容仅仅为几个电容仅仅为几个pF，一般在中频范围内不会影响电路的正常工一般在中频范围内不会影响电路的正常工作。作。 随着频率的增高，虽随着频率的增高，虽然输入信号的幅度不变，而然输入信号的幅度不变，而输出幅度却下降了，当输出输出幅度却下降了，当输出电压相对幅值降至电压相对幅值降至0.707时，时，所对应的频率称为光电耦合所对应的频率称为光电耦合器件的最高工作频率器件的最高工作频率fM(或或）。）。 最

32、大工作频率也会随着最大工作频率也会随着外电路负载的变化而改变。外电路负载的变化而改变。 脉冲上升时间脉冲上升时间tr和和下降时间下降时间tf随着负载电随着负载电阻的减小而减小。阻的减小而减小。 光电耦合器件的输入阻抗很低，一般为光电耦合器件的输入阻抗很低，一般为101K；而干扰源的内阻一般都很大，为而干扰源的内阻一般都很大，为103106 。按一般分压比的按一般分压比的原理来计算，能够馈送到光电耦合器件输入端的干扰噪声就变原理来计算，能够馈送到光电耦合器件输入端的干扰噪声就变得很小了；得很小了； 由于一般干扰源的内阻都很大，虽然也能提供较大的干由于一般干扰源的内阻都很大，虽然也能提供较大的干扰电压，但可供出的能量却很小，只能形成微弱的电流。而光扰电压，但可供出的能量却很小，只能形成微弱的电流。而光