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nndxdEN1)E(SeedxdEN1)E(S)E(S)E(SNdxdEen000011( )( )( )( )EEnenedEdERNSES ENSES E 托马斯费米屏蔽函数：f(r/a)=a/r(a/r)2+31/2 能量损失率与离子能量关系 （低能时弹性碰撞，不破坏键；高能时传输能量小）0E0enR0)E(S)E(SdEN1dxRpmax0RN2dx)x(NDppmaxRD4 . 0R2DN2p2ppR2)Rx(expR2D)x(N2p2p2222p2/3R)Rx(ZzYy21expZYR)2(1) z, y, x(f横向离散不但与注入离子种类有关，也与入射离子能量有关。由LSS理论计算的B、P、As、Sb的Rt如上图( )( , )222ttN xyayaN x yerfcerfcRR)Dt2R()Rx(21exp)Dt2R(2Q) t , x(N2p2p2/12p4.7.1 对MOS晶体管阈值电压的控制4.7.2 自对准形成源漏区4.7.3 双极中制作薄基区，自对准形成p区4.7.4 SIC（Selective Implanted Collect

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