高频电子电路练习

1、高频电子电路练习一、非线性电路1、晶体管转移特性-非线性具有频率变换作用2、传输特性 - 非线性具有频率变换作用 3、简述线性元件（器件）、非线性元件（器件）、时变参数元件（器件）的基本概念，并举例说明。二、给定典型RLC并联谐振回路，fp=5MHzC=50pf 2=150KHz1) 求电感L、品质因数QP2) 将负载电阻RL并联到回路上，此时有2=300KHz,求RL =？根据 与 有 三、1、根据的表达式，请分析说明、和的物理意义。为什么最高次之最低？受不受电路组态的影响？三、2、某晶体管的特征频率=250MHz，静态=50。求该管在、和时的值。有 据此求出，可以求出：(1)=50；(20

2、)=12；(50)=5四、被单一正弦波调制的调角波，其瞬时频率为，调角波的振幅为10V，其中：1） 试分析该调角波是调频波还是调相波？2） 写出此调角波的数学表达式；3） 求其频带宽度BW；4） 如调制信号振幅加倍，求其频带宽度BW。答案：1、该调角波是调相波，2、3、; 如调制信号振幅加倍则BW=44 五、填空1：下图所示正弦波振荡回路的类型是_, 其振荡频率范围是_2信号源和负载与谐振回路采用部分接入的目的是。3单振荡回路小信号谐振放大器的Q值越高，则选择性越，通频带越 。4某丙类功率放大器工作于临界状态，若输入信号增大，而其他条件不变，则放大器的工作状态将变为状态。5： 右图所示正弦波振

3、荡器的类型是 _ _电路，振荡频率为 _。6|、双耦合回路和单谐振回路相比，曲线出现双峰，频带加宽， 矩形系数提高。六. 选择题（将你认为正确的一项或多项选择的代号填入题后的括号中）1.LC小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_.A.放大器的通频带越窄,选择性越差;B.放大器的通频带越宽,选择性越好;C.放大器的通频带越窄,选择性越好;D.放大器的通频带越宽,选择性越差.2.信号源和负载与谐振回路采取部分接入,其目的是_.A.提高放大器的放大倍数;B.提高回路Q值;C.提高矩形系数;D.提高放大器的通频带.3.计算下图所示振荡回路的Q值_.A.50; B.25;C.75; D.100.4

4、.多级LC单振荡回路小信号谐振放大器的矩形系数比单级单谐振回路小信号谐振放大器的矩形系数_.A.高; B.低; C.相同.5.单振荡回路小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_AB_.A.通频带越窄; B.选择性越好;C.矩形系数越高; D.矩形系数越低.6.以双耦合回路为选频网络的小信号谐振放大器的矩形系数比单振荡回路小信号选频放大器的矩形系数_A_.A.高; B.低; C.相同.七：对串、并联阻抗的等效互换电路，1）推导公式：其中：2）解释品质因数相等的物理意义。八：三个电阻分别为, 工作温度分别为，试分别求三个电阻串联及并联后的等效阻值R及等效温度T。九：某接收机的前端电路由高频放大

5、器、晶体管混频器和中频放大器组成。已知晶体管混频器的功率传输系数Kpe=0.2，噪声温度Ti=60K，中频放大器的噪声系数Fni=6dB。现用噪声系数为3dB的高频放大器来降低接收机的总噪声系数。如果要使总噪声系数降低到10dB，则高频放大器的功率增益至少要几分贝？试画出系统结构图并计算。十、有一调幅波，载波功率为100W，试求当Ma=1与Ma=0.3时每一边频的功率以及总功率。十一、调频波中心频率为10MHz，最大频移为50kHz，调制信号为正弦波。试求调频波在以下三种情况的频带宽度。；高频电子电路练习一、非线性电路1、晶体管转移特性-非线性具有频率变换作用2、传输特性 - 非线性具有频率变

6、换作用 3、简述线性元件（器件）、非线性元件（器件）、时变参数元件（器件）的基本概念，并举例说明。二、给定典型RLC并联谐振回路，fp=5MHzC=50pf 2=150KHz3) 求电感L、品质因数QP4) 将负载电阻RL并联到回路上，此时有2=300KHz,求RL =？根据 与 有 三、1、根据的表达式，请分析说明、和的物理意义。为什么最高次之最低？受不受电路组态的影响？三、2、某晶体管的特征频率=250MHz，静态=50。求该管在、和时的值。有 据此求出，可以求出：(1)=50；(20)=12；(50)=5四、被单一正弦波调制的调角波，其瞬时频率为，调角波的振幅为10V，其中：5） 试分析

7、该调角波是调频波还是调相波？6） 写出此调角波的数学表达式；7） 求其频带宽度BW；8） 如调制信号振幅加倍，求其频带宽度BW。答案：1、该调角波是调相波，2、3、; 如调制信号振幅加倍则BW=44 五、填空1：下图所示正弦波振荡回路的类型是_, 其振荡频率范围是_2信号源和负载与谐振回路采用部分接入的目的是。3单振荡回路小信号谐振放大器的Q值越高，则选择性越，通频带越 。4某丙类功率放大器工作于临界状态，若输入信号增大，而其他条件不变，则放大器的工作状态将变为状态。5： 右图所示正弦波振荡器的类型是 _ _电路，振荡频率为 _。6|、双耦合回路和单谐振回路相比，曲线出现双峰，频带加宽， 矩形

8、系数提高。六. 选择题（将你认为正确的一项或多项选择的代号填入题后的括号中）1.LC小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_.A.放大器的通频带越窄,选择性越差;B.放大器的通频带越宽,选择性越好;C.放大器的通频带越窄,选择性越好;D.放大器的通频带越宽,选择性越差.2.信号源和负载与谐振回路采取部分接入,其目的是_.A.提高放大器的放大倍数;B.提高回路Q值;C.提高矩形系数;D.提高放大器的通频带.3.计算下图所示振荡回路的Q值_.A.50; B.25;C.75; D.100.4.多级LC单振荡回路小信号谐振放大器的矩形系数比单级单谐振回路小信号谐振放大器的矩形系数_.A.高; B.

9、低; C.相同.5.单振荡回路小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_AB_.A.通频带越窄; B.选择性越好;C.矩形系数越高; D.矩形系数越低.6.以双耦合回路为选频网络的小信号谐振放大器的矩形系数比单振荡回路小信号选频放大器的矩形系数_A_.A.高; B.低; C.相同.七：对串、并联阻抗的等效互换电路，1）推导公式：其中：2）解释品质因数相等的物理意义。八：三个电阻分别为, 工作温度分别为，试分别求三个电阻串联及并联后的等效阻值R及等效温度T。九：某接收机的前端电路由高频放大器、晶体管混频器和中频放大器组成。已知晶体管混频器的功率传输系数Kpe=0.2，噪声温度Ti=60K，中频

10、放大器的噪声系数Fni=6dB。现用噪声系数为3dB的高频放大器来降低接收机的总噪声系数。如果要使总噪声系数降低到10dB，则高频放大器的功率增益至少要几分贝？试画出系统结构图并计算。十、有一调幅波，载波功率为100W，试求当Ma=1与Ma=0.3时每一边频的功率以及总功率。十一、调频波中心频率为10MHz，最大频移为50kHz，调制信号为正弦波。试求调频波在以下三种情况的频带宽度。；高频电子电路练习一、非线性电路1、晶体管转移特性-非线性具有频率变换作用2、传输特性 - 非线性具有频率变换作用 3、简述线性元件（器件）、非线性元件（器件）、时变参数元件（器件）的基本概念，并举例说明。二、给定

11、典型RLC并联谐振回路，fp=5MHzC=50pf 2=150KHz5) 求电感L、品质因数QP6) 将负载电阻RL并联到回路上，此时有2=300KHz,求RL =？根据 与 有 三、1、根据的表达式，请分析说明、和的物理意义。为什么最高次之最低？受不受电路组态的影响？三、2、某晶体管的特征频率=250MHz，静态=50。求该管在、和时的值。有 据此求出，可以求出：(1)=50；(20)=12；(50)=5四、被单一正弦波调制的调角波，其瞬时频率为，调角波的振幅为10V，其中：9） 试分析该调角波是调频波还是调相波？10） 写出此调角波的数学表达式；11） 求其频带宽度BW；12） 如调制信号

12、振幅加倍，求其频带宽度BW。答案：1、该调角波是调相波，2、3、; 如调制信号振幅加倍则BW=44 五、填空1：下图所示正弦波振荡回路的类型是_, 其振荡频率范围是_2信号源和负载与谐振回路采用部分接入的目的是。3单振荡回路小信号谐振放大器的Q值越高，则选择性越，通频带越 。4某丙类功率放大器工作于临界状态，若输入信号增大，而其他条件不变，则放大器的工作状态将变为状态。5： 右图所示正弦波振荡器的类型是 _ _电路，振荡频率为 _。6|、双耦合回路和单谐振回路相比，曲线出现双峰，频带加宽， 矩形系数提高。六. 选择题（将你认为正确的一项或多项选择的代号填入题后的括号中）1.LC小信号谐振放大器

13、中,谐振回路的Q值越高,则_.A.放大器的通频带越窄,选择性越差;B.放大器的通频带越宽,选择性越好;C.放大器的通频带越窄,选择性越好;D.放大器的通频带越宽,选择性越差.2.信号源和负载与谐振回路采取部分接入,其目的是_.A.提高放大器的放大倍数;B.提高回路Q值;C.提高矩形系数;D.提高放大器的通频带.3.计算下图所示振荡回路的Q值_.A.50; B.25;C.75; D.100.4.多级LC单振荡回路小信号谐振放大器的矩形系数比单级单谐振回路小信号谐振放大器的矩形系数_.A.高; B.低; C.相同.5.单振荡回路小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_AB_.A.通频带越窄;

14、B.选择性越好;C.矩形系数越高; D.矩形系数越低.6.以双耦合回路为选频网络的小信号谐振放大器的矩形系数比单振荡回路小信号选频放大器的矩形系数_A_.A.高; B.低; C.相同.七：对串、并联阻抗的等效互换电路，1）推导公式：其中：2）解释品质因数相等的物理意义。八：三个电阻分别为, 工作温度分别为，试分别求三个电阻串联及并联后的等效阻值R及等效温度T。九：某接收机的前端电路由高频放大器、晶体管混频器和中频放大器组成。已知晶体管混频器的功率传输系数Kpe=0.2，噪声温度Ti=60K，中频放大器的噪声系数Fni=6dB。现用噪声系数为3dB的高频放大器来降低接收机的总噪声系数。如果要使总

15、噪声系数降低到10dB，则高频放大器的功率增益至少要几分贝？试画出系统结构图并计算。十、有一调幅波，载波功率为100W，试求当Ma=1与Ma=0.3时每一边频的功率以及总功率。十一、调频波中心频率为10MHz，最大频移为50kHz，调制信号为正弦波。试求调频波在以下三种情况的频带宽度。；高频电子电路练习一、非线性电路1、晶体管转移特性-非线性具有频率变换作用2、传输特性 - 非线性具有频率变换作用 3、简述线性元件（器件）、非线性元件（器件）、时变参数元件（器件）的基本概念，并举例说明。二、给定典型RLC并联谐振回路，fp=5MHzC=50pf 2=150KHz7) 求电感L、品质因数QP8)

16、 将负载电阻RL并联到回路上，此时有2=300KHz,求RL =？根据 与 有 三、1、根据的表达式，请分析说明、和的物理意义。为什么最高次之最低？受不受电路组态的影响？三、2、某晶体管的特征频率=250MHz，静态=50。求该管在、和时的值。有 据此求出，可以求出：(1)=50；(20)=12；(50)=5四、被单一正弦波调制的调角波，其瞬时频率为，调角波的振幅为10V，其中：13） 试分析该调角波是调频波还是调相波？14） 写出此调角波的数学表达式；15） 求其频带宽度BW；16） 如调制信号振幅加倍，求其频带宽度BW。答案：1、该调角波是调相波，2、3、; 如调制信号振幅加倍则BW=44

17、 五、填空1：下图所示正弦波振荡回路的类型是_, 其振荡频率范围是_2信号源和负载与谐振回路采用部分接入的目的是。3单振荡回路小信号谐振放大器的Q值越高，则选择性越，通频带越 。4某丙类功率放大器工作于临界状态，若输入信号增大，而其他条件不变，则放大器的工作状态将变为状态。5： 右图所示正弦波振荡器的类型是 _ _电路，振荡频率为 _。6|、双耦合回路和单谐振回路相比，曲线出现双峰，频带加宽， 矩形系数提高。六. 选择题（将你认为正确的一项或多项选择的代号填入题后的括号中）1.LC小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_.A.放大器的通频带越窄,选择性越差;B.放大器的通频带越宽,选择性越

18、好;C.放大器的通频带越窄,选择性越好;D.放大器的通频带越宽,选择性越差.2.信号源和负载与谐振回路采取部分接入,其目的是_.A.提高放大器的放大倍数;B.提高回路Q值;C.提高矩形系数;D.提高放大器的通频带.3.计算下图所示振荡回路的Q值_.A.50; B.25;C.75; D.100.4.多级LC单振荡回路小信号谐振放大器的矩形系数比单级单谐振回路小信号谐振放大器的矩形系数_.A.高; B.低; C.相同.5.单振荡回路小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_AB_.A.通频带越窄; B.选择性越好;C.矩形系数越高; D.矩形系数越低.6.以双耦合回路为选频网络的小信号谐振放大器

19、的矩形系数比单振荡回路小信号选频放大器的矩形系数_A_.A.高; B.低; C.相同.七：对串、并联阻抗的等效互换电路，1）推导公式：其中：2）解释品质因数相等的物理意义。八：三个电阻分别为, 工作温度分别为，试分别求三个电阻串联及并联后的等效阻值R及等效温度T。九：某接收机的前端电路由高频放大器、晶体管混频器和中频放大器组成。已知晶体管混频器的功率传输系数Kpe=0.2，噪声温度Ti=60K，中频放大器的噪声系数Fni=6dB。现用噪声系数为3dB的高频放大器来降低接收机的总噪声系数。如果要使总噪声系数降低到10dB，则高频放大器的功率增益至少要几分贝？试画出系统结构图并计算。十、有一调幅波

20、，载波功率为100W，试求当Ma=1与Ma=0.3时每一边频的功率以及总功率。十一、调频波中心频率为10MHz，最大频移为50kHz，调制信号为正弦波。试求调频波在以下三种情况的频带宽度。；高频电子电路练习一、非线性电路1、晶体管转移特性-非线性具有频率变换作用2、传输特性 - 非线性具有频率变换作用 3、简述线性元件（器件）、非线性元件（器件）、时变参数元件（器件）的基本概念，并举例说明。二、给定典型RLC并联谐振回路，fp=5MHzC=50pf 2=150KHz9) 求电感L、品质因数QP10) 将负载电阻RL并联到回路上，此时有2=300KHz,求RL =？根据 与 有 三、1、根据的表

21、达式，请分析说明、和的物理意义。为什么最高次之最低？受不受电路组态的影响？三、2、某晶体管的特征频率=250MHz，静态=50。求该管在、和时的值。有 据此求出，可以求出：(1)=50；(20)=12；(50)=5四、被单一正弦波调制的调角波，其瞬时频率为，调角波的振幅为10V，其中：17） 试分析该调角波是调频波还是调相波？18） 写出此调角波的数学表达式；19） 求其频带宽度BW；20） 如调制信号振幅加倍，求其频带宽度BW。答案：1、该调角波是调相波，2、3、; 如调制信号振幅加倍则BW=44 五、填空1：下图所示正弦波振荡回路的类型是_, 其振荡频率范围是_2信号源和负载与谐振回路采用

22、部分接入的目的是。3单振荡回路小信号谐振放大器的Q值越高，则选择性越，通频带越 。4某丙类功率放大器工作于临界状态，若输入信号增大，而其他条件不变，则放大器的工作状态将变为状态。5： 右图所示正弦波振荡器的类型是 _ _电路，振荡频率为 _。6|、双耦合回路和单谐振回路相比，曲线出现双峰，频带加宽， 矩形系数提高。六. 选择题（将你认为正确的一项或多项选择的代号填入题后的括号中）1.LC小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_.A.放大器的通频带越窄,选择性越差;B.放大器的通频带越宽,选择性越好;C.放大器的通频带越窄,选择性越好;D.放大器的通频带越宽,选择性越差.2.信号源和负载与谐

23、振回路采取部分接入,其目的是_.A.提高放大器的放大倍数;B.提高回路Q值;C.提高矩形系数;D.提高放大器的通频带.3.计算下图所示振荡回路的Q值_.A.50; B.25;C.75; D.100.4.多级LC单振荡回路小信号谐振放大器的矩形系数比单级单谐振回路小信号谐振放大器的矩形系数_.A.高; B.低; C.相同.5.单振荡回路小信号谐振放大器中,谐振回路的Q值越高,则_AB_.A.通频带越窄; B.选择性越好;C.矩形系数越高; D.矩形系数越低.6.以双耦合回路为选频网络的小信号谐振放大器的矩形系数比单振荡回路小信号选频放大器的矩形系数_A_.A.高; B.低; C.相同.七：对串、

24、并联阻抗的等效互换电路，1）推导公式：其中：2）解释品质因数相等的物理意义。八：三个电阻分别为, 工作温度分别为，试分别求三个电阻串联及并联后的等效阻值R及等效温度T。九：某接收机的前端电路由高频放大器、晶体管混频器和中频放大器组成。已知晶体管混频器的功率传输系数Kpe=0.2，噪声温度Ti=60K，中频放大器的噪声系数Fni=6dB。现用噪声系数为3dB的高频放大器来降低接收机的总噪声系数。如果要使总噪声系数降低到10dB，则高频放大器的功率增益至少要几分贝？试画出系统结构图并计算。十、有一调幅波，载波功率为100W，试求当Ma=1与Ma=0.3时每一边频的功率以及总功率。十一、调频波中心频

25、率为10MHz，最大频移为50kHz，调制信号为正弦波。试求调频波在以下三种情况的频带宽度。；高频电子电路练习一、非线性电路1、晶体管转移特性-非线性具有频率变换作用2、传输特性 - 非线性具有频率变换作用 3、简述线性元件（器件）、非线性元件（器件）、时变参数元件（器件）的基本概念，并举例说明。二、给定典型RLC并联谐振回路，fp=5MHzC=50pf 2=150KHz11) 求电感L、品质因数QP12) 将负载电阻RL并联到回路上，此时有2=300KHz,求RL =？根据 与 有 三、1、根据的表达式，请分析说明、和的物理意义。为什么最高次之最低？受不受电路组态的影响？三、2、某晶体管的特

26、征频率=250MHz，静态=50。求该管在、和时的值。有 据此求出，可以求出：(1)=50；(20)=12；(50)=5四、被单一正弦波调制的调角波，其瞬时频率为，调角波的振幅为10V，其中：21） 试分析该调角波是调频波还是调相波？22） 写出此调角波的数学表达式；23） 求其频带宽度BW；24） 如调制信号振幅加倍，求其频带宽度BW。答案：1、该调角波是调相波，2、3、; 如调制信号振幅加倍则BW=44 五、填空1：下图所示正弦波振荡回路的类型是_, 其振荡频率范围是_2信号源和负载与谐振回路采用部分接入的目的是。3单振荡回路小信号谐振放大器的Q值越高，则选择性越，通频带越 。4某丙类功率放大器工作于临界状态，若输入信号增大，而其他条件不变，则放大