PWM控制芯片LM5025应用电路

1、 版本V1.0 PWM控制芯片LM5025应用电路 拟制: 审核: 批准: 日期： 目 录1概述（电路类别、实现主要功能描述）：22电路组成（原理图）：23工作原理分析(主要功能、性能指标及实现原理):24关键参数计算分析：35电路的优缺点36电路的应用说明：37应用的注意事项：41概述（电路类别、实现主要功能描述）：电压型PWM控制芯片，两路输出（N MOS驱动最大电流3A）,输入电压范围13100V,内部设置线稳电路，提供VCC=7.7V的电压（不需要启动电路）。具有输入欠压、软启动、斜波补偿等功能。限流功能：CS1限脉宽（限电压），CS2关断（打嗝方式）。2电路组成（原理图）：3工作原理

2、分析(主要功能、性能指标及实现原理，关键参数计算分析)：3.1 PIN1-输入电压(13V90V)通过电阻R28为芯片提供电压，C4滤波储能用。芯片内部线性稳压器提供芯片用的电压VCC(7.7V),芯片内部电路开始工作。3.2 PIN2斜波补偿。R21C21限制脉冲宽度，R21C21=VINTON/2.5,C21的取值范围为100pF1000pF3.3 PIN3过流保护，此脚电压³0.25V,脉冲宽度将被限制，输出电压降低。经互感器整流后的电压进行分压进入到该引脚，可达到限流的目的。3.4 PIN4过流保护，此脚电压³0.25V,输出将被关断（打嗝方式）。输出电流高，COM

3、P(PIN14)引脚电压升高，COMP电压经电阻R32，R31分压后送入该引脚，可达到过流保护（打嗝方式）的目的。3.5 PIN5死区时间限制（两路输出死区时间）k1´R35（k1是系数）。3.6 PIN6提供基准电压5V/10mA3.7 PIN7Vcc(7.4V16V)3.8 PIN8OUTA主驱动，直接驱动N-MOS管。 3.9 PIN9OUTB辅驱动，驱动P-MOS管。由于主管是N-MOS,辅管是P-MOS,就要求两个驱动同相位，OUTA高电压时，OUTB也高电压，辅管不能导通，二极管VD3即将驱动电压嵌位到0.7V一下。C11个直流用。3.10 PIN10功率地3.11 PI

4、N11信号地3.12 PIN12软启动，对地接电容，电容容值大，启动延时长；反之短。该引脚电压如低于1V，芯片无输出，可以通过将此引脚电压拉低达到关闭电源模块的目的。如热保护等。3.13 PIN13误差运放的输出。输出经光耦反馈到该引脚，控制该引脚的电压，可以控制芯片的脉宽，达到控制输出电压的目的。3.14 P14开关频率设置。对地接电阻，阻值大频率低，反之高。3.15 PIN15同步端。单芯片使用时一般不用，悬空。3.16 PIN16欠压关断。此脚电压³2.5V，关闭输出。可以通过将此引脚电压拉低达到关闭电源模块的目的。如遥控、输出过压等。4关键电路参数计算参见ESR08-48S8(-L)G设计计算书。5电路的优缺点LM5025功能较齐全，外围器件少。如果原边有源嵌位开关管采用N-MOS管，则取动要外加电路，电路会比较复杂，成本会增加。LM5025相对UC3843成本较高。输入电压低于13V则不能启动，需外加启动电路。6电路的应用说明： 可应用在原边有源嵌位单端正激变换器中。QSR25-48S3V3(-L)G, HSR15-48D053V3(-L)G,ESR06-48S8(-L)G均是同类电路。且已大批量生产，验证此芯片工