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文档简介

1、精品资料推荐电力电子系统实训报告姓 名:班 级:电气 学 号:一、电力电子实训的目的和任务电力电子技术是研究利用电力电子器件、电路理论和控制技术,实现对电能的控制、变换和传输的科学,其在电力、工业、交通、通信、航天等很多领域具 有广泛的应用。电力电子技术不但本身是一项高新技术,而且还是其它多项高新技术发展的基础。因此提高学生的电力电子领域综合设计和综合应用能力是教学 计划中必不可少的重要一环。通过电力电子系统实训需要从以下几方面入手:1培养我们的文献检索的能力;2培养我们综合分析问题、发现问题和解决问题的能力;3. 培养我们运用知识的能力和工程设计的能力;4. 提高我们的电力电子装置分析和设计

2、能力。二、实践的内容1、设计晶闸管SCR的触发电路2、设计电力场效晶体管MOSFET的基本驱动电路和设计可关断晶闸管 GTO 的基本驱动电路3、MOSFET降压斩波电路设计设计条件:a输入直流电压:Ud=100Vb、开关频率5KHzc、占空比10%90%d、输出电压脉率:小于10%三、设计基本要求根据设计题目,收集相关资料、设计主电路、驱动电路、控制电路,撰写设 计报告;用protell画出主电路、驱动电路、控制电路原理图;说明主电路的工 作原理、驱动电路的工作原理、控制电路的工作原理。四、电力电子系统的构成由控制电路(Control Circuit)、驱动电路(Driving Circuit

3、 )和以电力 电子器件为核心的主电路(Mai n Circuit)组成。控制电路按系统的工作要求形成控制信号, 通过驱动电路去控制主电路中电 力电子器件的通或断,来完成整个系统的功能。有的电力电子系统中,还需要有 检测电路。广义上往往其和驱动电路等主电路之外的电路都归为控制电路,从而粗略地说电力电子系统是由主电路和控制电路组成的。 主电路中的电压和电流一 般都较大,而控制电路的元器件只能承受较小的电压和电流, 因此在主电路和控 制电路连接的路径上,如驱动电路与主电路的连接处,或者驱动电路与控制信号 的连接处,以及主电路与检测电路的连接处, 一般需要进行电气隔离,通过其它 手段如光、磁等来传递信

4、号。13图1-1电力电子器件在实际应用中的系统组成五、晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路 作用:产生符合要求的门极触发脉冲,保证晶闸管在 需要的时刻由阻断转为导通。广义上讲,还包括对其触发时刻进行控制的相位控 制电路晶闸管触发电路应满足下列要求:(1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导 通(结合擎住电流的概念);(2)触发脉冲应有足够的幅度;(3)不超过门极电 压、电流和功率定额,且在可靠触发区域之内;(4)应有良好的抗干扰性能、温 度稳定性及与主电路的电气隔离图1-2理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1t2脉冲前沿上升时间(1 s)t1t3 强脉宽度IM 强脉冲幅值(3IGT5IGT)t1t4 脉冲

5、宽度I脉冲平顶幅值(1.5IGT2IGT)VI、V2构成脉冲放大环节脉冲变压器 TM和 附属电路构成脉冲输出环节,VI、V2导通时,通 过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触 发脉冲,VD1和R3是为了 VI、V2由导通变为截 止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设六、驱动电路主电路与控制电路之间的接口,使电力电子器 件工作在较理想的开关状态,缩短开关时间,减小 开关损耗,对装置的运行效率、可靠性和安全性都 有重要的意义。图1-3常见的晶闸管触发电路对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中, 或通过驱动电路 实现。驱动电路的基本任务:将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求, 转

6、换为加在电力电子器件控 制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号;对半控型器件只需提供开通控 制信号;对全控型器件则既要提供开通控制信号,又要提供关断控制信号。驱动b)c)a)电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离或磁隔 离。光隔离一般采用光耦合器,磁隔离的元件通常是脉冲变压器。图1-5 电力MOSFET的一种驱动电路出负电平,V3导通输出负驱动电 压。图1-4光耦合器的类型及接法a)普通型 b)高速型 c)高传输比型电力MOSFET的一种驱动电 路:电气隔离和晶体管放大电路两 部分。无输入信号时高速放大器A输当有输入信号时 A输出正电平,V2导通输出正驱动电压七、降

7、压斩波电路的设计1. 主电路斩波电路的典型用途之一是拖动直流电动机, 也可带蓄电池负载,两种情况 下负载中均会出现反电动势,如图中 EM所示。EM工作原理:t=0时刻驱动V导通,电源E向负载供电,负载电压uo=E,负载电流io按 指数曲线上升;t=t1时刻控制V关断,负载电流经二极管VD续流,负载电压uo近似为零, 负载电流呈指数曲线下降。为了使负载电流连续且脉动小通常使串接的电感L值较大。电流连续时,负载电压平均值tontonU oEE Eton t offTtonV通的时间 toffV断的时间a-导通占空比Uo最大为E,减小占空比a,Uo随之减小。因此称为 降压斩波电路负载电流平均值IoU

8、o EmR电流断续时,Uo被抬高,一般不希望出现2、隔离驱动图中是一种采用光耦合隔离的由V2、V3组成的驱动电路。当控制脉 冲使光耦关断时,光耦输出低电平,R101=1-使V2截至,V3导通,MOSFET在DZ1反偏作用下关断。当控制脉冲使 光耦导通时,光耦输出高电平,使R2D Z2+ VccR4MOSFE Rg TV1DziV2导通,V3截至,经VCC、V2、RG产生的正向驱动电压使 MOS管开通。电 源+VCC可由dc/dc芯片提供。3、模拟控制降压斩波电路的模拟控制采用 PWM控制芯片SG3525组成的PWM发生电路 输出PWM控制信号,控制MOS管的导通和关断。下图为该芯片的引脚功能及

9、 应用电路。15V | 15Vl|35Ct5.1V16491210VreWRtDISCCOMP-VvDNGSG3525VsSD sync uscOUTAOUTBSG3525脉宽调制型控制器是美国通用电气公司的产品,作为SG3524的改进型,更适合于运用 MOS管作为开关器件的DC/DC变换器,它是采用双级型 工艺制作的新型模拟数字混合集成电路, 性能优异,所需外围器件较少。可直接 驱动功率MOS管,工作频率高达400KHZ。1脚:误差放大器的反相输入端;2脚:误差放大器的同相输入端;3脚:同步信号输入端,同步脉冲的频率应比振荡器频率fS要低一些;4脚:振荡器输出;5脚:振荡器外接电容CT端,

10、振荡器频率 fs = 1 / CT(0.7RT+3R0) , R0 为 5 脚与 7 脚之间跨接的电阻,用来调节死区时 间,定时电容范围0.0010.1卩F;6脚:振荡器外接定时电阻RT 端,RT值为2150 kQ;7脚:振荡器放电端,用外接 电阻来控制死区时间,电阻范围为应川輛入匚116 1| Vrcf诃馆倫人匚2罔半蝴1二工二1 H杵旺城海部输山匚斗13O匚5i iiuKT匚打II1 ATtE徹嚥咄匚7軼£1功瑞匚X二1补悄0500 Q;SG3525的引脚8脚:软启动端,外接软启动电容,该电容由内部Vref的50卩A恒流源充电;9脚:误差放大器的输出端;10脚:PWM信号封锁端,

11、当该脚为高电平时, 输出驱动脉冲信号被封锁, 该脚主要用于故障保护;11脚:A路驱动信号输出;12脚:13脚:接地;输出集电极电压;14脚:B路驱动信号输出;15脚:电源,其范围为835 V ;16脚:内部+ 5 V基准电压输出。直流斩波电路实际上就是直流 PWM电路,是PWM控制,技术应用较早也 成熟较早的一类电路,应用于直流电动机调速系统就构成广泛应用的直流脉宽调 速系统。八、直流变换电路的PWM控制技术直流PWM控制的基本原理九、双极性电压开关PWM控制方式开关原理:直流控制电压与三角波电压 比较产生两组开关的PWM控制信 号:1)当ur>uc时,T1和T4导通, T2和T3关断;

12、2)当 ur<uc 时,开关 T1、T4 关 断,T2、T3导通。PWM控制的基本原理 用一系列等幅不等宽的脉冲来代替一个 正弦半波正弦半波N等分,可看成N个彼此 相连的脉冲序列,宽度相等,但幅值不 等。用矩形脉冲代替,等幅,不等宽,中点重合,面积(冲量)相等 宽度按正弦规律变化SPWM波形一一脉冲宽度按正弦规 律变化而和正弦波等效的PWM波形要改变等效输出正弦波幅值,按同 一比例改变各脉冲宽度即可利用MOSFET构成升压型DC/DC变 换器,输入电压:9 12V ;输出电压:100V ;输出电流:100mA ;电源电压调整率不大于1%,负载调 整率不大于1%。图1-10全桥变换电路a)

13、b)uAulI ii i i i i i i图1-11用P图波弋替正弦半波34uOO-U7uoUd单相桥式PWM逆变电路1电路结构的确定由于没有要求DC/DC变换器的输入与输出之间电气隔离,从变换的角度器 效率的角度考虑,非隔离的变换器效率比隔离变换器效率高,因此采用非隔离的升压型变换器电路结构。为了尽可能降低输出电压的纹波和尖峰电压,变换器的工作方式为电流断续型,即电感电流是断续的。2. 控制电路的选择最可靠的控制方式是峰值电流型控制方式,最简单的峰值电流型控制IC是UC3842系列。由于输入电压范围是9 12V的电压不能启动UC3842,需要附加 启动电路,但这样会使电路变得复杂。应选择

14、UC3842的姊妹型号,即启动电压 8.5V 的 UC3843 或 UC3844 的姊妹型号 UC3845。3. 电路参数的设计这样在连续的状态下,在电源电压最低(9V)、输出电压为100V时,对应 的占空比为:Dmax100 91000.91对应的开关管导通时间与电感释放储能的持续时间比为0.91: 0.09。如果开关管的最大导通占空比为0.5,贝U对应的电感释放储能的 占空比”为:0.5d 0.090.04950.91对应的电感电流峰值为:2p。Vo d2 10100 0.04954.04A根据电流断续或电流临界状态下的输出电压与输入电压的关系, 在频率已知 50kHz,对应的开关周期为2

15、0卩s,对应的开关管的导通时间为 10卩s,可以推 导出电感的电感量为Vin tonIm9 10 104.0422.27 H4. 其他主要元件的选择a.开关管的选择。开关管选择 MOSFET,因为低压应用领域MOSFET的导 通电压是最低的,而且也不需要很大的驱动电流。 在这个实例中,由于电压达到 了 100V,开关管上的峰值电压不会低于 100V,因此开关管的耐压应选择100V 以上的器件。可以选择IRF640 (额定电压为200V,额定电流为18A ,导通电阻为0.18?, 外加散热器)b.输出二极管的选择。输出二极管的额定电压应选择100V以上,额定电流选择4A。可以选择快速二极管。MUR420 (额定电压200V,额定电流4A)c输出滤波电

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