静电放电测试规范

1、交换式重源供鹰器静ig放tg测言式烧轮Electrostatic Discharge Test of RegulationSIR1EC曲益股份有限公司-1g子事H虑SIRTEC INTERNATIONAL CO., LTD ELECTRONIC DIVISION1 .测IS目的：悬使SHI干援耐受性畤，能有一统一之规靶及流程可供依循，特言丁定本程序 耆，本就的目的是模SSSHK寸18子崖品所造成的干援，或判别其耐受性。2 .逾用靶阐：新行SH8干接耐受性就畤，逾用之。3 .名箭1定U：ESD： electrostatic discharge（ IFB放7B ）,常WK0不同重位的物H，直接接斶

2、或非常靠近畤所 茎生的甯:荷放7象。RGP： 一他I平坦之厚18表面或以其18位作悬共同的基型。Contact discharge :接斶放雷，直接的舒重放雷油瞬方法的一槿，由生器的78s尖端直接 按斶EUT,jt以崖生器之放施静霜放H。Air discharge :空放H ,直接的静雷放181a瞬方法的一槿，由生器的圄形充霜霜趣快速 接近EUT,而生火花的IFB放雷。EUT:待测鼓咻I。Degradation :劣化悬EUT受雷磁干SI所造成的品功能障碾。HCP:水平耦合面，用以模凝舜B近EUT的物寸EUT的IFB放重所使用的水平金11面板。VCP:垂直耦合面，用以模凝舜B近EUT的物寸EU

3、T的IFB放18所使用的垂直金面板。4 .帆齐4.1 就服矜，案件就行。4.2 埸地雉4.3 提供相信制瓷制1於就服矜上。5 .辨法：IS瞬等级接假i放电&B!空IW放甯霜屋12 KV2 KV24 KV4 KV36 KV8 KV48 KV15 KVX特定值特定值5.1加瞬等级:等级如下X:此等级依J®商需求而定5.1.2接斶放ft悬僵先探用的方法，空氟放ft必i（是接斶放ft不能使用畤才使用。依不 ”的放18测IS方法而有不同的重屋，其殿酷度是不相同的。5.2 ESD 生器之特性- Rc 充重霜阻：50 MQ100MQ.- Cs 能重容：150pF±10%。- Rd

4、放雷霜阻：330 Q+0%。- 巾俞出甯:SSM生：正典负。- 输出重屋指示值之容If 差值：i5%0- 具有BI形放霜霜趣及尖形放霜霜趣。- 放雷；！路811点2m。- 具有接斶放制及空放机- 可湖整之放雷操作模式如罩擎放霜趣及每秒20次之重褪放重可符合EN61000-4-2之放霜霜流波形，如下BI一所示。，0.7 toi "55.3 室之埸地配置：室之地面鹰有一铜或金日裂的金JBGRP,其厚度至少0.25mm。如果使用别槿金JS材料，其厚度至少J1有 0.65mm。GRP尺寸至少1m Mm, 依EUT大小而定。其每一面J1超出 EUT或HCP、VCP至少0.5m 逋接至接地系统。

5、EUT依使用状熊架IS及逋接。EUT典室睛面及其他金结横的距离隹至少 1m。EUT 除了所规定接地系统外，不可再有其他之接地。ESD 生器的放H退路fSSHI度悬2m,Revision : A0 Page 2 of 6EH1EC 愤益股份有限公司-重子事iut SIRTECINTERNATIONAL CO., LTD ELECTRONIC DIVISION Issue Date ： 2004/10/13需逋接至GRP ,测就畤放重退路距离隹其他厚霜部分至少 0.2m。HCP、VCP之材U 典厚度J#典GRP相同且使用雨端接有470KQ之接地逋接至GRP。其他规定如下：5.3.1 EUT悬桌上型

6、鼓咻|之埸地配置：使用高0.8m之木桌立於RGP作或使用一房1.6mX加.8m之HCP置於桌面，EUT及雷!1以0.5mmHCP隔离隹。EUT距离隹HCP各遏至少0.1m。若EUT谩大可使用相同之HCP以敕短遏相距0.3m逋接，可用敕大尺 寸之桌面或雨黜桌子，此雨黜 HCP不可搭在一起，由雨端各接 470KQ雷阻之接地 他I别接至RGP。如下BI所示。直接感用的典型位置5.3.2 EUT於没有接地系统之段借的浏就方法:EUT是JB於段借或段借的一部份、其装段规格或IS言十是不可逋接至任何接地系统igHS、包括可揣式、ft池操作曼重余（class II equipment）。其一般性配置典5.3

7、.1相同，但悬了模凝K-IFB放7B,在每次 放雷前必须符EUT的重荷消去，EUT的金部分，例如逋接器的外段、霜池充霜黑占、 金JB大等，在施放18前必i（符18荷消除。因此需使用具有470K Q的波放18阻器之USt, I®似HCP、VCP所用之接地fSSt其中一W8阻需翥量靠近EUT的测制裸占，最好小於20mm的距雕逋接，第二W8阻需逋接在fSSt靠近 HCP的末端（桌上型）或 RGP的末端（落地型）。使用具有波放18阻器之USt曾影簪某些 EUT的测结果。有 手SM寺，在中如果雷荷在逋放H之有足别的衰减，JW便先考ft以nat不逋接 的状况作测可以使用下列的替换方法：- 在逋放

8、H 的畤隔，必i（延房到容待测物的18荷自然衰减所需的畤。- 在接地中有碳SS雉刷的波放雷阻器（例如2M70KQ）。- 使用空氟高隹子器以加速待测物在其琪境的自然放H谩程 （使用空氟放ft作测畤,空氟 高隹子器必须信在朗）。任何一槿替换方法的使用必己金录於幸艮告中。ESD 生器的尖端必i（和待测段借的表面垂直握著。5.3.2.1 桌上型鼓咻I： EUT置於HCP的0.5mm,测就可接斶之金JS放霜黑占畤需使用有波放雷阻器的nat逋接到 hcp上，如圄所示。5.4 就瞬程序5.4.1 前鹰建立测副3十副，具内容需包含- EUT的典型使用状熊。- EUT悬桌上型或落地型之测犬!18。- 需要迤行放

9、H的黑占。- 放H黑占新行接斶放H或空放H- 施放重的等级。- 每一放雷测副裸占的放雷次数。- 是否需要於安装彳爰就行测建立言十副之前可先就行一些研究性H之就5.5 方法:Revision : A0Page 5 of 6Issue Date : 2004/10/13EH1EC琳益股份有限公司-雷子事mtSIRTECINTERNATIONAL CO., LTD ELECTRONIC DIVISION5.5.1 直接放电法：-contact discharge（接斶放H ）嘴拄捌物所能接斶到的厚18表面或黑占K施接斶放H 至少正负各10次。-Air discharge（空氟放H ）闺待测物所能接斶

10、到的憩表面和黑占或接斶放H瓢法羽很 的黑占施空氧放雷至少正H各10次。5.5.2 IW接放母法:封放置或装段靠近EUT的物醴放是由一耦合平面以接斶放18模式加以模SS。（5）-2-1 HCP :以接斶放18方式封待测段借下的水平耦合面施罩擎放18至少正H各10次，必is寸待测物所有的面作封HCP的放雷，必须在HCP的水平的放雷。相封EUT的每一遏中心黑占，必须在每一他I HCP的前施至少10次的罩拳放雷， 且距EUT前 0.1m ,在放霜期IW放霜霜趣的晨事由必在 HCP的平面且和其前垂 直。放fSU趣必i（接斶HCP的另外需考罐®f EUT所有暴露的面做就。（5）-2-2 VCP: