机械和电子知识

1、机械和电子知识培训教材n四连杆机构n常用电子元件了解四连杆机构动作原理n在图中各字母代表的含义: L-手柄;T-跳扣;M-锁扣; K-触头;CB-上连杆;BA-下连杆; E-主弹簧;D-跳扣轴(定点); F-杠杆支点; O-转轴支点(可理解为转轴轴心,为定点).产品分闸和再扣位置时的示意图 产品合闸时操作机构的示意图 产品脱扣状态时的示意图 n 断路器分闸,自由脱扣后再扣位置时,由OA,AB,BC,及固定点CO构成一四连杆机构,此时机构只有一个自由度,即合,分的自由度.当机构处于自由脱扣状态时,由OA,AB,BC,CD和DO构成五连杆,此时机构便有两个自由度,即围绕D点向前,向后运动的自由度.

2、当产品完全合闸时,下连杆AB与上连杆BC几乎是一条直线.n在平时的生产过程中,我们经常会谈到产品超程和死点不过问题.首先,死点不过表现在操作上表现在分闸时比死点过了的产品分闸力会小, 轻.在图2中表现在ABC没有达到应有的角度(接近180度),此时B点有往左运动的余量.造成死点不过的原因,从结构分析主要是合闸力矩小于动触头接触后产生的反力矩.造成产品死点不过.其次超程问题,从图2中可以看出,在不改变C,O点位置的情况下通过改变CB,AB的长度来控制超程大小.在实际中我们通常是更改上连杆的长度来调整超程的; 我们也可以通过控制O点的高度(杠杆原理)来调整超程大小.n在学习产品的机构时,我们应该分

3、析在自由脱扣状态,分闸,合闸状态下四连杆,五连杆结构中各连杆的位置和运动方向.找出结构中可运动部件为什么不再运动?是怎么来定位的?当我们熟悉了相关信息后对产品结构就很清晰了.n分析方法:n1.先将产品进行分闸,合闸状态的分析,区分在合闸过程中的动点,运动件的运动轨迹.n2.分析在脱扣状态是否在第一项中的动点是否由动变静,或静点变成了动点.n3.对照上面的结构图找出产品中相对应的点或零件.基本上塑壳产品,框架产品都是上面的结构,只是零部件的形状发生了改变.微断产品会有所差别. n4.确定产品的开距,超程是由什么来控制?一般情况下靠转轴来限位,或者是B相动触头顶住支架前面的一根轴来限位,或者其他部

4、位.超程出了在前面说到的那些参数外其实在合闸后还有一个限位的,防止例如225型产品就是利用连杆轴碰到跳扣下部来限位,有的是利用上连杆碰到跳扣轴来限位 常用电子元件基本电子元件的识别与应用色环电阻与贴片电阻的识别及应用n电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。 电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如右图所

5、示： n电阻的常用标志法 在使用电阻器时，需要了解它的主要参数。对电阻器需知道其标称阻值、功率、允许偏差。电阻器的标称值和允许偏差一般都标在电阻体上，而在电路图上通常只标出标称值。电阻的标志方法分为下列四种： 1. 直标法：直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上，其允许偏差则用百分数表示，末标偏差值的即为20%的允许偏差。 n2. 文字符号法：文字符号法是将电阻器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号法按一定的规律组合标志在电阻体上。电阻器的标称值的单位标志符号见表1，允许偏差见表2。 表1 电阻值 文字符号 单位及进位关系 名称 R (100) 欧姆 K K(103) 千欧

6、M M(106) 兆欧 G G(109) 吉欧 T T(1012) 太欧 n表2 允许偏差（%） 文字符号 允许偏差（%） 文字符号 0.001 Y 0.5 D 0.002 X 1 F 0.005 E 2 G 0.01 L 5 J 0.02 P 10 K 0.05 W 20 M 0.1 B 30 N 0.25 n C 注：大多数电阻器的允许偏差值J、K、M三类。 例如：6R2J表示该电阻标称值为6.2，允许偏差为5%；3K6K表示电阻值为3.6K，允许偏差为10%；1M5则表示电阻值为1.5M，允许偏差为20%。 n3. 色标法：普通的电阻器用四色环表示，精密电阻用五色环表示。紧靠电阻体一端头

7、的色环为第一环，露着电阻体本色教多的另一端头为末环。 带有四个色环的其中第一、二环分别代表阻值的前两位数；第三环代表倍率；第四环代表误差。快速识别的关键在于根据第三环的颜色把阻值确定在某一数量级范围内，例如是几点几K、还是几十几K的，再将前两环读出的数“代”进去，这样就可很快读出数来。n（1）熟记第一、二环每种颜色所代表的数。可这样记忆：棕1，红2，橙3，黄4，绿5，蓝6，紫7，灰8，白9，黑0。n（2）记住第四环颜色所代表的误差，即：金色为5；银色为10；无色为20。n 例1当四个色环依次是黄、橙、红、金色时，因第三环为红色、阻值范围是几点几k的，按照黄、橙两色分别代表的数“4”和“3”代入

8、,，则其读数为43 k。第环是金色表示误差为5。n 例2当四个色环依次是棕、黑、橙、金色时，因第三环为橙色，第二环又是黑色，阻值应是整几十k的，按棕色代表的数1代入，读数为10 k。n4. 数码标志法：在产品和电路图上用三为数字来表示元件的标称值的方法称之为数码标志法。常见于贴片电阻或进口器件上。在三位数码中，从左至右第一、二位数表示电阻标称值的第一、二位有效数字，第三位数为倍率10n 的“n”（即前面两位数后加“0”的个数）,单位为。例如标识为222的电阻器，其阻值为2200既2.2K；表识为105的电阻器为1M；标志为47的电阻器阻值为4.7。需要注意的是要将这种标志法与传统的方法区别开来

9、：如标志为220的电阻器其电阻为22，只有标志为221的电阻器其阻值才为220。标志为0或000的电阻器，实际是跳线，阻值为0。在一些微调电阻器阻值的标志法除了用三位数字外还有用两位数字的。如标志为53表示5，14和54分别表示10和50。一些精密贴片电阻器也有用四位数字表示法，如1005表示10等。电阻的分类n为了区别不同种类的电阻，常用几个拉丁字母表示电阻类别，如图1所示。第一个字母R表示电阻，第二个字母表示导体材料，第三个字母表示形状性能。上图是碳膜电阻，下图是精密金属膜电阻。表1列出电阻的类别和符号。表2是常用电阻的技术特性电阻额定功率值在电路图上的符号n所谓电阻的额定功率值，指的是电

10、阻所承受的最高电压和最大电流的乘积。每个电阻都有其额定功率值，常见电阻的额定功率一般分为1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W、10W等。其中1/8W和1/4W的电阻较为常用，不过，在大电流场合，大功率的电阻也用得很普遍。下图为各额定功率值功率的电阻在电路图上的符号。不难看出，额定功率值在1W以上用罗马数字表示。电容的基本知识n电容，用字母C表示。顾名思义，电容器就是“储存电荷的容器”。尽管电容器品种繁多，但它们的基本结构和原理是相同的。两片相距很近的金属中间被某物质（固体、气体或液体）所隔开，就构成了电容器。两片金属称为的极板，中间的物质叫做介质。电容器也分为容量固定的与

11、容量可变的。但常见的是固定容量的电容，最多见的是电解电容和瓷片电容 电容的基本单位n不同的电容器储存电荷的能力也不相同。规定把电容器外加1伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。电容的基本单位为法拉（F ）。但实际上，法拉是一个很不常用的单位，因为电容器的容量往往比1法拉小得多，常用微法（F）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是：1法拉（F）= 1000000微法（F） 1微法（F）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）一、电容器的型号命名方法一、电容器的型号命名方法n 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次

12、分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电容器的分类电容器的分类n1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。2、按电 解质 分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电

13、容器等。n3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电器。7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。9、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属

14、化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容 电容的作用n在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中使用，如收音机、发射机和振荡器中。n大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特点，一般1F以上的电容均为电解电容，而1F以下的电容多为瓷片电容，当然也有其他的，比如独石电容、涤纶电容、小容量的云母电容等。n电解电容有个铝壳，里面充满了电解质，并引出两个电极，作为正（+）、负（-）极，与其它电容器不同，它们在电路中的极性不能接错，而其他电容则没有极性。电容器的选用涉及到很多问题。首先是耐压的问题。加在一个电容器的两

15、端的电压超过了它的额定电压，电容器就会被击穿损坏。一般电解电容的耐压分档为6.3V，10V，16V，25V，50V等 电容识别方法n电容器容量标示电容器容量标示1、直标法、直标法 用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。2、文字符号法、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.3、色标法、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-1

16、0%-T、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。 n 电容器主要特性参数电容器主要特性参数n1、标称电容量和允许偏差、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%）一般电容器常用、级，电解电容器用、级，根据用途选取。 2、额定电压、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容

17、器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏 n3、绝缘电阻、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。4、频率特性、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律 n5、损耗、损耗 电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所

18、有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。电感 n 电感电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑

19、、金、金表示1uH（误差5%）的电感。 电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH 一、电感的分类一、电感的分类n按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数电感线圈的主要特性参数n1、电感量、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗、感抗XL 电感线圈对交流电流阻

20、碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL3、品质因素、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好. n晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为

21、5的二极管。 1.作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。常用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。nn2.识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚

22、为正，短脚为负。n3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反 晶体二极管的主要参数晶体二极管的主要参数n晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，必须掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。 n最高工作频率最高工作频率 f M （ MC ） - 二极管能承受的最高频率。通过 PN 结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。 n最高反向工作电压最高反向工作电压 V RM （ V ） - 二极管长期

23、正常工作时，所允许的最高反压。若越过此值， PN 结就有被击穿的可能，对于交流电来说，最高反向工作电压也就是二极管的最高工作电压。 n最大整流电流最大整流电流 I OM （ mA ） - 二极管能长期正常工作时的最大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过最大整流电流。稳压二极管n 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 1.稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波

24、动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2.故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V可控硅的应用与特性n可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件

25、下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半体n元器件，广泛应用于电力，电子线路中。n1可控硅的特性n可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。n 可控硅的主要参数n一 断态重复峰值电压U DRMn在额定结温（100A以上为115度，50A以下为100度），门极开路和晶闸管正向阻断条件下，允许重复加在阳

26、极与阴极间的最大正向峰值电压，它反映了阻断条件下的晶闸管能承受的正向电压。n二 反复重复峰值电压U RRMn在额定结温和门极开路情况下，允许重复加在阳极和阴极之间的反向峰值电压，它反映了阻断的情况下晶闸管能承受的反向电压。通常U DRM和U RRM数值大致相等，习惯上统称为峰值电压。n。n在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高

27、达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而

28、发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。n 晶体三极管的结构和类型三极管的封装形式和管脚识别n朝下放置，则从三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功

29、率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚左到右依次为e b c。例如下图晶体三极管的电流放大作用n晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将Ic/Ib的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 n晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开

30、关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数Ic/Ib，这时三极管处放大状态。n饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 MOS场效应管n即金属-氧

31、化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载

32、流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。n 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。n 国产N沟道MOSFET的典型产品有3D

33、O1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。 管脚的判别n 1准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。 2判定电极 将万用表拨于R100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。nVMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不