LED芯片寿命试验过程全解析_第1页
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文档简介

1、led芯片寿命试验过程全解析led具有体积小,耗电量低、长寿命环保等优点,在实际生产 研发过程中,需要通过寿命试验对led芯片的可靠性水平进行* 价,并通过质量反馈来提高led芯片的可靠性水平,以保证led 芯片质量。1、引言作为电子元器件,发光二极管(lightemittingdiode-led)已 岀现40多年,但长久以來,受到发光效率和亮度的限制,仅为 指示灯所采用,直到上世纪末突破了技术瓶颈,生产出高亮度高 效率的led和兰光led,使其应用范围扩展到信号灯、城市夜 景工程、全彩屏等,提供了作为照明光源的可能性。随着led 应用范围的加大,提高led可靠性具有更加重要的意义。led 具

2、有高可靠性和长寿命的优点,在实际生产研发过程屮,需要通 过寿命试验对led芯片的可靠性水平进行*价,并通过质量反馈 來提高led芯片的可靠性水平,以保证led芯片质量,为此在 实现全色系led产业化的同时,开发了 led芯片寿命试验的条 件、方法、手段和装置等,以提高寿命试验的科学性和结果的准 确性。2、寿命试验条件的确定电子产品在规定的工作及环境条件下,进行的工作试验称 为寿命试验,又称耐久性试验。随着led生产技术水平的提高, 产品的寿命和可靠性大为改观,led的理论寿命为10万小时, 如果仍采用常规的正常额定应力下的寿命试验,很难对产品的寿 命和可靠性做出较为客观的*价,而我们试验的主要

3、目的是,通 过寿命试验掌握led芯片光输出衰减状况,进而推断其寿命。 根据led器件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了 0.3x0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:1 .样品随机抽取,数量为810粒芯片,制成巾5单灯;2 工作电流为30ma;3 .环境条件为室温(25°c £°c);4 .试验周期为96小时、1000小时和5000小时三种; 工作电流为30ma是额定值的1.5倍,是加大电应力的寿命试验,其结果虽然不能代表真实的寿命情况,但是有很大的参 考价值;寿命试验以外延片生产批为母样,随机抽取其中一片外 延片屮的810粒芯片,封装成巾5单灯器件,进行为

4、96小时寿 命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试验周 期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工艺稳定时, 1000小时的寿命试验频次较低,5000小时的寿命试验频次可更 低。3、过程与注意事项对于led芯片寿命试验样本,可以采用芯片,一般称为 裸晶,也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式,外界应力 较小,容易散热,因此光衰小、寿命长,与实际应用情况差距较大,虽然可通过加大电流来调整,但不如直接采用单灯器件形式 直观。采用单灯器件形式进行寿命试验,造成器件的光衰老化的 因素复杂,可能有芯片的因素,也有封装的因素。在试验过程屮, 采取多种措施,降低封装的因素的影响,对可能

5、影响寿命试验结 果准确性的细节,逐一进行改善,保证了寿命试验结果的客观性 和准确性。3.1样品抽取方式寿命试验只能采用抽样试验的*估办法,具有一定的风险 性。首先,产品质量具备一定程度的均匀性和稳定性是抽样*估 的前提,只有认为产品质量是均匀的,抽样才具有代表性;其次, 由于实际产品质量上存在一定的离散性,我们采取分区随机抽样 的办法,以提高寿命试验结果准确性。我们通过查找相关资料和 进行大量的对比试验,提出了较为科学的样品抽取方式:将芯片 按其在外延片的位置分为四区,分区情况参见图一所示,每区2 3粒芯片,共810粒芯片,对于不同器件寿命试验结果相差悬 殊,甚至矛盾的情况,我们规定了加严寿命

6、试验的办法,即每区 46粒芯片,共1620粒芯片,按正常条件进彳丁寿命试验,只 是数量加严,而不是试验条件加严;第三,一般地说,抽样数量 越多,风险性越小,寿命试验结果的结果越准确,但是,抽样数 量越多抽样数量过多,必然造成人力、物力和时间的浪费,试验 成本上升。如何处理风险和成本的关系,直是我们研究的内容, 我们的目标是通过采取科学的抽样方法,在同一试验成本下,使 风险性下降到最低。3.2光电参数测试方法与器件配光曲线在led寿命试验中,先对试验样品进行光电参数测试筛 选,淘汰光电参数超规或异常的器件,合格者进行逐一编号并投 入寿命试验,完成连续试验后进行复测,以获得寿命试验结果。 为了使寿

7、命试验结果客观、准确,除做好测试仪器的计量外,还 规定原则上试验前后所采用的是同一台测试仪测试,以减少不必 要的误差因素,这一点对光参数尤为重要;初期我们采用测量器 件光强的变化来判断光衰状况,一般测试器件的轴向光强,对于 配光曲线半角较小的器件,光强值的大小随儿何位置而急剧变 化,测量重复性差,影响寿命试验结果的客观性和准确性,为了 避免宙现这种情况,采用大角度的封装形式,并选用无反射杯支 架,排除反射杯配光作用,消除器件封装形式配光性能的影响, 提高光参数测试的精确度,后续通过采用光通量测量得到验证。3.3树脂劣变对寿命试验的影响现有的环氧树脂封装材料受紫外线照射后透明度降低,是 高分子材

8、料的光老化,是紫外线和氧参与下的一系列复杂反应的 结果,一般认为是光引发的自动氧化过程。树脂劣变对寿命试验 结果的影响,主要体现1000小时或以上长期寿命试验,目前只 能通过尽可能减少紫外线的照射,来提高寿命试验结果的果客观 性和准确性。今后还可通过选择封装材料,或者检定出环氧树脂 的光衰值,并将其从寿命试验中排除。3.4封装工艺对寿命试验的影响封装工艺对寿命试验影响较大,虽然采用透明树脂封装, 可用显微镜直接观察到内部固晶、键合等情况,以便进行失效分 析,但是并不是所有的封装工艺缺陷都能观察到,例如:键合焊 点质量与工艺条件是温度和圧力关系密切,而温度过高、丿玉力太 大则会使芯片发生形变产生

9、应力,从而引进位错,甚至出现喑裂, 影响发光效率和寿命。引线键合、树脂封装引人的应力变化,如 散热、膨胀系数等都是影响寿命试验的重要因素,其寿命试验结 果较裸晶寿命试验差,但是对于目前小功率芯片,加大了考核的 质量范围,寿命试验结果更加接近实际使用情况,对生产控制有 一定参考价值。4、寿命试验台的设计寿命试验台由寿命试验单元板、台架和专用电源设备组 成,可同时进行550组(4400只)led寿命试验。根据寿命试验条件的要求,led可采用并联和串联两种 连接驱动形式。并联连接形式:即将多个led的正极与正极、 负极与负极并联连接,其特点是每个led的工作电压一样,总 电流为工ifn,为了实现每个

10、led的工作电流if 一致,要求每个 led的正向电压也要一致。但是,器件之间特性参数存在一定 差别,且led的正向电压vf随温度上升而下降,不同led可 能因为散热条件差别,而引发工作电流if的差别,散热条件较差 的led,温升较大,正向电压vf下降也较大,造成工作电流if 上升。虽然可以通过加入串联电阻限流减轻上述现象,但存在线 路复杂、工作电流if差别较大、不能适用不同vf的led等缺 点,因此不宜采用并联连接驱动形式。串联连接形式:即将多个led的正极对负极连接成串, 其优点通过每个led的工作电流一样,一般应串入限流电阻r, 如图二为单串电路,当出现一个led开路时,将导致这串8个 led熄灭,从原理上led芯片开路的可能性极小。我们认为寿 命试验的led,以恒流驱动和串联连接的工作方式为佳。采用 常见78系列电源电路ic构成的led恒流驱动线路,其特点是 成本低、结构简单、可靠性高;通过调整电位器阻值,即可方便 调整恒流电流;适用电源电压范围大,驱动电流较精确稳定,电 源电压变化影响较小。我们以图二电路为基本路线,并联构成寿 命试验单元板,每一单元板可同时进行11组(88只儿ed寿命试 验。台架为一般标准组合式货架,经过合理布线,使每一单元 板可容易加载和卸载,实现在线操作。专用电源设备,输出为5 路直流36v安全电压,负载能力为5a,其中2路

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