现代半导体器件与仿真实验报告

1、现代半导体器件与仿真作业实验报告 实验1：利用模型仿真电容性能1实验目的：建立模型仿真电容性能，掌握电容。2实验要求：利用pspice建立模型仿真电容性能。3. 实验步骤：Step1:打开pspice，建立新文档，输入代码，建立模型，设置VC1，VC2，TC1，TC2（电容的一阶二阶电压，温度系数）为0.001,0.002,0.005,0.015，以及电容倍乘系数为1.5。 Step2:保存文档文件为XXXXX.cir文件，并运行，模拟run。Step3：打开图表，观察各个曲线，与预期结果进行对比分析。（电流随时间变化）（电容两端电压随时间的变化）4.实验心得：通过对电容模型的模拟仿真，基本熟

2、练掌握利用pspice建立电子元件并进行仿真观察其电路特性，对电容的电路特性也有了更为直观的了解。实验2：自建电容模型并仿真电容性能1. 实验目的：建立电容模型，仿真电容性能。2. 实验要求：建立电容模型并在pspice中仿真电容性能。3. 实验过程：Step1：输入代码：*CAPMODEL*.subckt differs 1 3Rin 1 0 1MEGE1 5 0 1 0 1Ctime 5 6 0.25NRtime 6 7 1KR2 6 0 1GE2 7 0 6 0 -1GEout 8 0 7 0 1R3 3 0 1GRout 8 3 1K.ends differs*.subckt cpip

3、 n1 n2 PARAMS:l=10u w=10u pt=27.param ere0=1.0996e-12 tox=1.0e-6.param ptc1=2.09e-05 ptc2=3.72e-08 pvc1=-7.72e-05 pvc2=-9.12e-06.param tfac=1.0+ptc1*(pt-25.0)+ptc2*(pt-25.0)*(pt-25.0)E1 vfac 0 value=1+pvc1*(v(n2,n1)+pvc2*v(n2,n1)*v(n2,n1)*R2 vfac 0 100megE2 cvalue 0 value=ere0*l*w/tox*V(vfac)*tfac*R

4、3 cvalue 0 100megE3 n3 0 n1 n2 1X00 n3 n4 differsR1 n4 0 100MEGGvalue n1 n2 value=V(cvalue,0)*V(n4,0).ends cpip*X01 1 0 cpip PARAMS:l=20u w=20u pt=27VCC 1 0 PULSE(0 1 0 0 0 1ms 2ms).TRAN 0 10ms.OP.PROBE.end Step2：另存为cir文件，在pspice中打开，点击运行。Step3：做出曲线并且和时机曲线对比分析。V（1）曲线I(X01:2)曲线实验3：建立隧道二极管模型，仿真隧道二极管I-V

5、特性1. 实验目的：仿真隧道二极管Iv特性2. 实验要求：利用pspice自建隧道2级管模型，仿真隧道二极管I-V特性。3. 实验步骤：Step1：打开pspice输入代码：*test3*.subckt RTD 1 2.param: Ip=5mA Is=1e-14A Up=50mV n=1 VT=0.026G1 1 2 value=Ip=(V(1,2)/Up)*(exp(1-V(1,2)/(n*Vt)G2 1 2 value=Is*(exp(V(1,2)/(n*Vt)-1).ends*V1 1 0R1 1 2 500X1 2 0 RTD.PROBE.DC LIN V1 0 2 0.01.OP.ENDStep2：另存