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文档简介

1、 直流降压斩波电路的设计 直流降压斩波电路的设计摘要: 本实验设计的是Buck降压斩波电路,采用全控型器件IGBT。根据降压斩波电路设计任务要求设计主电路、控制电路、驱动及保护电路。关键词:降压斩波,主电路、控制电路、驱动及保护电路。引言:直流传动是斩波电路应用的传统领域,而开关电源则是斩波电路应用的新领域,是电力电子领域的一大热点。DC/DC变换是将固定的直流电压变换成可变的直流电压,也称为直流斩波。直流变换电路的用途非常广泛,包括直流电动机传动、开关电源、单相功率因数校正,以及用于其他领域的交直流电源。斩波器的工作方式有:脉宽调制方式,频率调制方式和混合型。脉宽调制方式较为通用。当今世界软

2、开关技术使得DC/DC变换器发生了质得变化和飞跃。美国VICOR公司设计制造得多种ECI软开关DC/DC变换器,最大输出功率有300W、600W、800W等,相应得功率密度为(6.2、10、17)W/cm3,效率为(8090)%。日本NemicLambda公司最新推出得一种采用软开关技术得高频开关电源模块RM系列,其开关频率为200300KHz,功率密度已达27W/cm3,采用同步整流器(MOS-FET代替肖特基二极管),使整个电路效率提高到90%。1设计目的 直流斩波电路(DC Chopper)的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电,也称为直接直流直流变换器(DC/DC Conv

3、erter)。直流斩波电路一般是指直接将直流电变为另一直流电的情况,不包括直流交流直流的情况, 其中IGBT降压斩波电路就是直流斩波中最基本的一种电路,是用IGBT作为全控型器件的降压斩波电路,用于直流到直流的降压变换。IGBT是MOSFET与GTR的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,输入阻抗高,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十千赫兹频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。所以用IGBT作为全控型器件的降压斩波电路就有了IGBT易驱动,电压、电流容量大的优点,因此发展很快。2 设计任务与要求 2.1

4、设计任务 要求设计降压斩波电路的主电路、控制电路、驱动及保护电路,稳压直流电源15V和直流电压100V的设计2.2 设计要求对Buck降压电路的基本要求有以下几点:1.输入直流电压:Ud=100V2.开关频率40KHz3.输出电压范围50V80V4.输出电压纹波:小于1%5.最大输出电流:5A(在额定负载下)6.具有过流保护功能,动作电流:6A7.具有稳压功能8.效率不低于70%3 设计内容 根据降压斩波电路设计任务要求设计主电路、控制电路、驱动及保护电路,设计出降压斩波电路的结构框图如图1所示。 图1 电路框图在图1结构框图中,控制电路是用来产生IGBT降压斩波电路的控制信号,控制电路产生的

5、控制信号传到驱动电路,驱动电路把控制信号转换为加在IGBT控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号。通过控制IGBT的开通和关断来控制IGBT降压斩波电路的主电路工作。保护电路是用来保护电路的,防止电路产生过电流、过电压和欠电压等现象损害电路设备。3.1 设计方案的选定与说明3.2 降压斩波电路3.2.1 降压斩波电路原理式中为V处于通态的时间;为V处于断态的时间;T为开关周期;为导通占空比,简称占空比或导通比。降压斩波电路的占空比小于1。根据对输出电压平均值进行调制的方式不同,斩波电路有三种控制方式:1) 保持开关周期T不变,调节开关导通时间不变,称为PWM。2) 保持开关导通时间不变,

6、改变开关周期T,称为频率调制或调频型。3) 和T都可调,使占空比改变,称为混合型但是普遍采用的是脉冲宽调制工作方式。因为采用频率调制工作方式,容易产生谐波干扰,而且滤波器设计也比较困难。此电路就是采用脉冲宽调制控制IGBT的通断。3.3 降压斩波电路主电路设计3.3.1 BUCK降压斩波主电路在电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路称为主电路。IGBT降压斩波电路的主电路图如下图2所示。它是一种降压型变换器,其输出电压平均值U,总是小于输入电压。该电路使用一个全控型器件V,为IGBT。在V关断时,为了给负载中电感电流提供通道,设置了续流二极管VD。图2 降压斩波主电路图3.3.2主电路

7、元器件参数选择主电路中需要确定参数的元器件有直流电源、IGBT、二极管、电感、电容、电阻值,其参数选择如下说明:(1) 对于电源,因为题目要求输入直流电压为100V,所以该直流稳压电源可直接作为系统电源。(2)IGBT 由图2易知当IGBT截止时,回路通过二极管续流,此时IGBT两端承受最大正压为100V;而当=1时,IGBT有最大电流,其值为5A。故需选择集电极最大连续电流>5A,反向击穿电压B>100v的IGBT。如果考虑2倍的安全裕量需选择集电极最大连续电流10A,反向击穿电压200V的IGBT。 (3)二极管 当=1时,其承受最大反压100V;而当趋近于1时,其承受最大电流

8、趋近于5A,故需选择>100v,I>5A的二极管。考虑2倍的安全裕量: =2=200V =1xIt=2x5=10A(4)电感 选择大电感L,使得电路能够续流,此时的临界电感为: L=()/2fI。设输出电压为80V,则L=80x(10080)/2x1000x40x100x5=0.04mH所以电感L>=0.04mH,取L=0.1mH。(5) 电容 选择的电容既要使得输出的电压纹波小于1%,也不能取的太大,否则会使电路的速度变得很慢。电容的选择:也取输出电压为80V时来算C=()/8Lff =80x(10080)/8x0.1mHx0.01x40Kx40Kx100=12.5uF这里

9、取C=13uF。(6)电阻R 因为输出电压为50V80V时,而输出的最大电流为5A。所以由欧姆定律R=U/I可得负载电阻值为最小取值在10。3.4 降压斩波电路控制电路的设计3.4.1控制电路及器件选择3.4.1.1 因为斩波电路有三种控制方式,又因为PWM控制技术应用最为广泛,所以采用PWM控制方式来控制IGBT的通断。3.4.1.2 SG3525芯片它是一款专用的PWM控制集成电路芯片,它采用恒频调宽控制方案,内部包括精密基准源、锯齿波振荡器、误差放大器、比较器、分频器和保护电路等。SG3525是定频PWM电路,采用16引脚标准DIP封装。其各引脚功能如图4所示,内部框图如图5所示。 图4

10、 SG3525的引脚 图5 内部框图 SG3525各引脚具体功能:(1)引脚1:误差放大器反向输入端。在闭环系统中,该引脚接反馈信号。在开环系统中,该端与补偿信号输入端(引脚9)相连,可构成跟随器。(2)引脚2:误差放大器同向输入端。在闭环系统和开环系统中,该端接给定信号。根据需要,在该端与补偿信号输入端之间接入信号不同的反馈网络。(3) 引脚3:振荡器外接同步信号输入端。该端接外部同步脉冲信号可实现外电路同步。(4) 引脚4:振荡器输出端。(5)引脚5:振荡器定时电容接入端。(6) 引脚6:振荡器定时电阻接入端。(7)引脚7:振荡器放电端。该端与引脚5之间外接一只放电电阻,形成放回路。(8)

11、 引脚8:软启动电容接入端。(9) 引脚9:PWM信号输入端。(10) 引脚10:外部关断信号输入端。(11) 引脚11:输出端A。(12) 引脚12:信号地。(13) 引脚13:输出级偏置电压接入端。(14) 引脚14:输出端B。(15) 引脚15:偏置电源接入端。(16) 引脚16:基准电源输出端。SG3525芯片特点如下:(1) 工作电压范围:8-35v。(2) 5.1V微调基准电源(3) 振荡器频率工作范围:100Hz-500kHz。(4) 具有振荡器外部同步功能(5)死区时间可调。(6) 内置软启动电路。(7) 具有输入欠电压锁定功能。(8) 具有PWM锁存功能,禁止多脉冲。(9)逐

12、个脉冲关断。(10)双路输出(灌电流/拉电流):Ma(峰值)其11和14脚输出两个等幅、等频、相位互补、占空比可调的PWM信号。脚6、脚7 内有一个双门限比较器,内设电容充放电电路,加上外接的电阻电容电路共同构成SG3525 的振荡器。振荡器还设有外同步输入端(脚3)。脚1 及脚2 分别为芯片内部误差放大器的反相输入端、同相输入端。该放大器是一个两级差分放大器。根据系统的动态、静态特性要求,在误差放大器的输出脚9和脚1之间一般要添加适当的反馈补偿网络,另外当10脚的电压为高电平时,11和14脚的电压变为10输出。3.4.2控制电路原理由于SG3525的振荡频率可表示为 :式中:, 分别是与脚5

13、、脚6相连的振荡器的电容和电阻;是与脚7相连的放电端电阻值。根据任务要求需要频率为40kHz,所以由上式可取=1F, =10,=6.2。可得f=39.1kHz,基本上等于实际40 kHz即满足要求。 SG3525有保护的功能,可以通过改变10脚电压的高低来控制脉冲波的输出。因此可以将驱动电路输出的过流保护电流信号经一电阻作用,转换成电压信号来进行过流保护。当驱动电路检测到过流时发出电流信号,由于电阻的作用将10脚的电位抬高,从而13脚输出低电平,而当其没有过流时,10脚一直处于低电平,从而正常的输出PWM波。由此可以得出控制电路的电路图如图6所示:图6 控制电路图3.5 驱动电路原理与设计3.

14、5.1本实验采用光电耦合式驱动电路该电路双侧都有源。其提供的脉冲宽度不受限制,较易检测IGBT的电压和电流的状态,对外送出过流信号。另外它使用比较方便,稳定性比较好。但是它需要较多的工作电源,其对脉冲信号有1s的时间滞后,不适应于某些要求比较高的场合3.5.2 驱动电路工作分析:驱动电路的电路图如图7所示:接IGBT源极接IGBT栅极PWM调制 图7 驱动电路原理图如图7所示,IGBT降压斩波电路的驱动电路提供电气隔离环节。光耦合器由发光二极管和光敏晶体管组成,封装在一个外壳内。本电路中采用的隔离方法是,先加一级光耦隔离,再加一级推挽电路进行放大。采用推挽电路进行放大的原因是因为驱动IGBT的

15、电压叫高,约为12V左右,而SG3525芯片提供的电压只有5V左右,直接连入无法驱动IGBT。并且推挽式电路简单实用,故用推挽式进行电压放大。IGBT是电压控制型器件,在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压,只有A级的漏电流流过,基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF),在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数安电流,才能满足开通和关断的动态要求,这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。3.6保护电路原理与设计在电力电子电路中,除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计良好外,采用合适的过电压、过电流、保护和 保护也是必要的。3.6.1 过电压保护

16、电路:过压保护要根据电路中过压产生的不同部位,加入不同的保护电路,当达到定电压值时,自动开通保护电路,使过压通过保护电路形成通路,消耗过压储存的电磁能量,从而使过压的能量不会加到主开关器件上,保护了电力电子器件。本次设计的电路要求输出电压为50V80V,所以当输出电压设定时,一旦出现过电压,为了保护电路和器件,应立刻将电路断开,及关断IGBT的脉冲,使电路停止工作。因为芯片SG3525的引脚10端为外部关断信号输入端,所以可以利用SG3525的这个特点进行过压保护。当引脚10端输入的电压等于或超过8V时,芯片将立刻锁死,输出脉冲将立即断开。所以可以从输出电压中进行电压取样,并将取样电压通过比较

17、器输入10端,从而实现电压保护。如图6所示:取样电压的方法是在U。端串联两个电阻再通过在电阻中分得的电压连入比较器的正端,与连入负端的基准电压(5V)进行比较。正常状态下,取样电压小于基准电压,此时比较器输出的是负的最大值,芯片正常工作,当出现过电压是,取样电压高于基准电压,此时输出高电平15V,在通过电阻分压得到5V的高电平送入芯片的10端,使其锁死,IGBT脉冲断开,电路断开,从而对电路实现过压保护。设计的过压保护电路图如图8所示:取样电压接入SG3525的10端 图8 过压保护电路原理图3.6.2过电流保护电路当电力电子电路运行不正常或者发生故障时,可能会发生过电流。当器件击穿或短路、触

18、发电路或控制电路发生故障、出现过载、直流侧短路、可逆传动系统产生环流或逆变失败,以及交流电源电压过高或过低、缺相等,均可引起过流。由于电力电子器件的电流过载能力相对较差,必须对变换器进行适当的过流保护。本次设计要求具有过流保护功能,在电流达到6A时动作。因为前面说过,SG3525的引脚10端在输入一个高电平时具有自锁功能,所以仍然可以利用这个方法进行过流保护。主要思想是将过电流转化为过电压。具体的做法是在干路上串联一个很小的功率电阻,再在这个小电阻上并联一个大电阻,从而进行过电流与过电压的转化。将转化的电压连入比较器于一个基准电压(取0.6V)相比较,就是在基准5.1V经过电阻分压得到0.6V

19、,再将输出经降压后得到5V后连入SG3525的10端。在正常状态下连入的电压小于基准电压,此时,输出一个负的最大值,芯片不会锁死,正常工作。而当过电流时,转化的电压高于基准电压,此时输出一个高电平,芯片的10端锁死,IGBT脉冲断开,电路断开,从而对电路实现过流保护。设计的过流保护电路如图9所示:接入SG3525的10端过流保护输入图9 过电流保护原理电路图3.6.3 IGBT的保护IGBT如果不采取保护,它很容易损坏。一般认为IGBT要原因有两种:一是IGBT退出饱和区而进入了放大区,使得开关损耗增大;二是发生短路,产生很大的瞬态电流,从而使IGBT损坏。下面是对IGBT进行设计的保护电路。

20、RC串联电路可以对IGBT进行过电压保护,而反向二极管可以对IGBT进行过电流保护。在无缓冲电路的情况下,IGBT开通时电流迅速上升,di/dt很大;关断时du/dt很大,并出现很大的过电压。在有缓冲电路的情况下;V开通时C5通过R34向V放电,使先上一个台阶,以后因有,上升速度减慢;V关断时负载电流通过VD向C5分流,减轻了V的负担,抑制了du/dt和过电压。VD和R34的作用是在V关断时,给提供释放储能的回路。如图11所示: 图11 IGBT保护电路3.7设计稳压直流电源15V和直流电压100V题目只给直流电压=100V,而运算放大器和SG3525芯片需要15V的工作电压。如图12所示,先

21、用变压器将220V降压为22V的交流电,再经过桥式整流得到直流电压。通过滤波电容滤波后,用三端集成稳压器稳压成15V的电压输出。其中变压器匝数比为220V/24V,电容C1=100uF并且耐压50V,三端集成稳压器型号为7815。选择二极管型号为IN4003。同时再将220V通过变压器降压后,再通过桥式整流,再接滤波电容滤波后,即可得到直流电压=100V。 图12 稳压15V电路4 元器件清单器件名称规格与型号数量绝缘栅双极型晶体管200V/10A1个续流二极管IN414B1个电感0.1mH1个电容100uF/13uF/1uF/0.1uF2/1/2/1个二极管IN400311个金属膜电阻20/

22、6.2/10/123/1/3/1 个金属膜电阻88.7/500/2K/1K1/1/4/5个金属膜电阻19.1K/5.1K/95.3K/75K1/2/1/1个三极管PNP型.NPN型各1个滑动变阻器1K1个PWM控制器SG35251片光耦合器6N1362个运算放大器LM3241片三端集成稳压器件78151个或门74LS321片功率电阻0.1/60W2个变压器220V/24V1个结束语直流降压斩波电路主要分为三个部分,分别为主电路模块,控制电路模块,驱动电路模块,除了上述主要模块之外,还必须考虑电路中电力电子器件的保护,以及控制电路与主电路的电气隔离。IGBT降压斩波电路由于易驱动,电压、电流容量

23、大在电力电子技术应用领域中有广阔的发展前景,也由于开关电源向低电压,大电流和高效率发展的趋势,促进了IGBT降压斩波电路的发展。但以 IGBT为功率器件的直流斩波电路在实际应用中需要注意以下问题:(1)系统损耗的问题;2)栅极电阻;(3)驱动电路实现过流过压保护的问题。此斩波电路中IGBT的驱动信号由集成脉宽调制控制器SG3525产生,由于它简单可靠及使用方便灵活,大大简化了脉宽调制器的设计及调试。回顾起此次电力电子课程设计,至今我仍感慨颇多,的确,从选题到定稿,从理论到实践,可以学到很多很多的的东西,同时不仅可以巩固了以前所学过的知识,而且培养了我的自学能力,特别是对PWM控制技术的学习。通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的,只有理论知识是远远不够的,只有把所学的理论知识与实践相结合起来,从理论中得出结论,从而提高自己的实际动手能力和独立思考的能

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