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文档简介
1、K4D551638H 256M bit SDRAM一、概述K4D55163H 是一个 268,435,456 位的水平同步动态随机存储器数据， 4X4,194,304 字节的 16 位架构。它是一由三星公司生产的高性能 CMOS 工艺，同步特性具有数据开起允许外部 高效率达到 1.1GB/S/chip 。 I/O 口处理可能产生的边缘时钟信号，运行频率范围控制。可编 程的烧录长度和可编程的潜伏数据允许器件用于高性能存储系统的种类。二、特点1、2.35V 2.7V 电源电压提供驱动2、2.35V 2.7V 电源电压提供给 I/O 口界面3、SSTL_2 兼容输入 /输出4、4层操作5、MRS 循
2、环地址数据程序6、读数据延迟时钟 2.5,37、脉冲长度 2， 4与 88、脉冲类型（连续 /插入）9、微分时钟输入三、引脚VdoDQoVdmDQiDQ;VstaD6DCkVoc-aDQ?DQtVs SQDQ?NCVddqLDQSNCVtNCLDM碇CASRASCNC日耐BAiARfAieAoAi.氐AsVx1 o2663&4463562661760I859g581066 PIN TSOP(II)5711 (400iriil x 875mil)56EE:;(0.65 mm Pin Pitch)M541453155216&117SO184919462Q4721诵224523M244-326422
3、G412744z283929363Q37r31期32253334IgDQi-5 Vsaa DQli DQu VddqDQ12MnVcsaDQic DQ?VetoOQelJCVisaUDQS IC Vre-ViiUDMCKCKCfcEMCA12AnAgAeA? g AsAiV&5四、IC内部框图CK.CKAODRieIntDut BufferLWELDMiColumn DecoderLRAS LCBR LWELCASData StrobeData Input RegisterSerial to parallel4Mx16Sense AMP4Mx164Mx164Mx16Latency & Burst LengthLCKEProgramming RegisterTi
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