最新的IGBT芯片技术创新课件

1、新的IGBT技术 为逆变器应用提供 更高的过载能力,1,最新的IGBT芯片技术创新,逆变器应用中的过载,速度 电流 结点温度,时间,Tj = 125,2,最新的IGBT芯片技术创新,什么都没有发生， 但是 . . . .,3,最新的IGBT芯片技术创新,最新的IGBT芯片技术创新,4,最新的IGBT芯片技术创新,第 1 代) “128” 正温度系数 最大 Tj = 150 “软穿通” 电焊机,第 3 代) “126” 正温度系数 “场截止” 最大 Tj = 150 逆变器应用,5,最新的IGBT芯片技术创新,新旧IGBT 芯片技术的比较,啤酒厂的拉货马,比赛用马,速度慢; 强壮的; 不需要驾驶

2、执照 自己可以找到路,迅捷 敏感; 只能用于观赏娱乐: 在照顾和控制的时候不能原谅犯错,NPT 3,1V; 25mJ/100A 600V, 125C 100% 功率,Trench4 2,1V; 21mJ/100A 600V, 125C 135% 功率,6,最新的IGBT芯片技术创新,第 4 代) “T4” T j = 最大 175 优化的垂直结构 减少切换损耗 (30%),非常快 正温度系数 “场截止,相比于 Trench 3 (126, KT3, KE3)， T4 具有更低的功耗,7,最新的IGBT芯片技术创新,与现在的IGBT技术的比较,IGBT 技术的创新 电流密度从 85 A/cm 增

3、加至 130 A/cm 低的导通损耗 (VCE(sat) 开关损耗的减少 (Eon + Eoff) 门极电荷减少 (QG,8,最新的IGBT芯片技术创新,和126相比较-E4模块具有更高的电流,饱和损耗,切换损耗,9,最新的IGBT芯片技术创新,IGBT4 更高的强度,IGBT 技术的创新 电流密度从 85 A/cm 增加至 130 A/cm 低的导通损耗 (VCE(sat) 低的切换损耗 (Eon + Eoff) 门极电量的减少 (QG) ICRM 增加至 3 x ICnom,10,最新的IGBT芯片技术创新,T4 有更低的开关损耗,T3,T 4,11,最新的IGBT芯片技术创新,T4 开关

4、损耗的减少,T 4 有更低的开关损耗,T 4 需要一个出色的封装,12,最新的IGBT芯片技术创新,交变电路的寄身环节,13,最新的IGBT芯片技术创新,竞争对手: +/- 没有并联 = 高杂散电感,14,最新的IGBT芯片技术创新,内部直流母线连接, 没有并联,15,最新的IGBT芯片技术创新,低电感设计规则,机械设计对杂散电感有极大的影响 接头一定要并联 = 反并联电流 = 没有磁场,Lstray = 100 ,Lstray 20 ,16,最新的IGBT芯片技术创新,赛米控: +/- 并联=低杂散电感,17,最新的IGBT芯片技术创新,赛米控 低杂散电感 并联,18,最新的IGBT芯片技术

5、创新,赛米控: 低杂散电感模块设计,模块自身非常重要的低电感设计可以承受更高的di/dt 低的端子损耗,LCE,stray 20 nH,19,最新的IGBT芯片技术创新,赛米控: RBSOA,端子的最大电压,完美适合 T 4 芯片,20,最新的IGBT芯片技术创新,SKM400GB128D,没有安全运行区域,21,最新的IGBT芯片技术创新,SKM600GB126D - - SKM400GB12T4D,在该规格以内 = 150 度,超出规格,22,最新的IGBT芯片技术创新,IGBT增加 Tjmax 1200V,IGBT 技术的创新 运行温度增加至 Tj,max = 175 C,Tj max

6、= 150 C,23,最新的IGBT芯片技术创新,我们必须考虑什么,SKM400GB128DE SKM600GB126D SKM400GB12T4,具有更高的电流密度的 T4 IGBT模块,24,最新的IGBT芯片技术创新,损耗,I out = 250A, 50Hz, 400V, fsw=2Khz,最大结点温度是 150 旧的芯片技术 最大结点温度是 175 新的芯片技术,IGBT 技术,损耗的种类,损耗,125,25,最新的IGBT芯片技术创新,损耗,I out = 250A, 50Hz, 400V, fsw=4Khz,最大结点温度是 150 旧的芯片技术 最大结点温度是 175 新的芯片技

7、术,芯片技术,损耗,损耗的种类,26,最新的IGBT芯片技术创新,损耗,I out = 250A, 5Hz, 50V, fsw=4Khz,最大结点温度是 150 旧的芯片技术 最大结点温度是 175 新的芯片技术,芯片技术,损耗,损耗种类,27,最新的IGBT芯片技术创新,不同供应商的比较,I out = 250A, 5Hz, 50V, fsw=4Khz,最大结点温度是 150 旧的芯片技术 最大结点温度是 175 新的芯片技术,供应商,损耗,类型,28,最新的IGBT芯片技术创新,SKM300GBxxxx,SKM300GB 逆变电流,29,最新的IGBT芯片技术创新,SKM400GBxxxx

8、x,SKM400GB 逆变电流,30,最新的IGBT芯片技术创新,T 4,提供更高的 可靠性,31,最新的IGBT芯片技术创新,T4 和 E4 SEMITRANS- 34mm/62mm 封装,和SPT IGBT模块相比较有更高的定义芯片等级,32,最新的IGBT芯片技术创新,T4 芯片技术的SEMiX 以及 SKYPER,新模块技术 的表现,T 4 IGBT,33,最新的IGBT芯片技术创新,E4芯片的 SEMiX,34,最新的IGBT芯片技术创新,标准结构,内部有 3 x DCB,35,最新的IGBT芯片技术创新,标准结构 合适吗,36,最新的IGBT芯片技术创新,IGBT 并联规则,T 4

9、 关断导通非常快,37,最新的IGBT芯片技术创新,标准结构,每一个IGBT可以获得自身的门极电阻 非常均匀的电流分布 更高的可靠性,SEMiX 技术,38,最新的IGBT芯片技术创新,客户的 SEMiX 适配板,以优化电流平衡的 客户的适配板,39,最新的IGBT芯片技术创新,结论,IGBT4 的改善 电流密度从 85 A/cm 增加到 130 A/cm (更小的逆变器) 切换损耗的减少 (Eon + Eoff) 门极电荷的减少 (QG) ICRM 增加至 3 x ICnom 运行温度增加至 Tj,max = 175 切换特性 外部门极电阻不能减少di/dt 或过电压， 推荐使用非常小的门极电阻 对于软关断 e.g. 在短路的情况下增加 RGoff,40,最新的IGBT芯片技术创新,我们的建议,T4 有不同的命名 T4 电流命名是芯片的电流,SKM400GB128D - SKM400G