pn结势垒电容和扩散电容是如何引起的,两者的区别是什么_第1页
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文档简介

1、.1、pn 结势垒电容和扩散电容是如何引起的，两者主要区别是什么？答：势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域， 当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化， 这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入 p 区的少子（电子）在 p 区有浓度差，越靠近 pn 结浓度越大，即在 p 区有电子的积累。同理，在 n 区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容 cd。pn 结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子，外加正向电压时，以扩散电容为主，外加反向电压时，以势垒电容为主。2、对于一般的bjt

2、 ：1）器件工作的电流主要是什么性质的电流2）原则上应该从哪些方面考虑来提高bjt 的电流放大系数？答： 1）电流主要是交流电流；2）原则上应该从内部条件和外部条件来考虑提高bjt 的电流放大系数。内部条件包括发射区的掺杂浓度要高、基区要很薄且掺杂浓度很低和集电区掺杂浓度要低于发射区，且面积要大。外部条件就是要考虑 bjt 的放大偏置等因素。3、简要的回答并说明理由：p-n 结的势垒高度与掺杂浓度的关系怎样？ p-n 结的势垒高度与温度的关系怎样？p-n 结的势垒高度与外加电压的关系怎样？.【解答】因为平衡时 p-n 结势垒（内建电场区）是起着阻挡多数载流子往对方扩散的作用， 势垒高度就反映了

3、这种阻挡作用的强弱， 即势垒高度表征着内建电场的大小； 当掺杂浓度提高时， 多数载流子浓度增大，则往对方扩散的作用增强， 从而为了达到平衡， 就需要更强的内建电场、即需要更高的势垒， 所以势垒高度随着掺杂浓度的提高而升高（从 fermi 能级的概念出发也可说明这种关系：因为平衡时 p-n 结的势垒高度等于两边半导体的 fermi 能级的差，当掺杂浓度提高时，则 fermi 能级更加靠近能带极值 n 型半导体的更靠近导带底， p 型半导体的更靠近价带顶 ，使得两边 fermi 能级的差变得更大，所以势垒高度增大）。因为温度升高时，半导体的 fermi 能级将远离能带极值，所以 p-n 结两边半导体的 fermi 能级的差变小，所以势垒高度将随着温度的升高而降低。当 p-n 结上加有正向电压时， 即使势垒区中

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