太阳电池工作原理

1、太阳电池工作原理，第1部分，目录，引言太阳能辐射太阳电池结构和工作流程太阳电池的电气性能，引言，太阳能电池历史1839年法国实验物理学者Edmund Bacquerel (Beckerel)产生了光生螺栓效应。1941年，奥尔佳在硅中发现了光复效应。1954年，柴平(察宾)和卡尔森(卡尔森)等人在贝尔实验室(Carlson)制作了世界上第一块光电转换效率为6%的实用硅太阳电池，标志着太阳电池开发工作的重大进展。引言，1959年出现了第一个光电转换效率为5的多晶硅太阳电池。1960年硅太阳电池发展首次集成到现有电网中。1975年，制造了美国科学家非晶硅太阳电池。20世纪80年代初，太阳电池开始规

2、模化生产。引言，太阳电池将太阳能量直接转换为电能的半导体器件类型硅太阳电池1)Si太阳电池1)单晶硅2)单晶硅片3)染料敏化电池3)非晶硅薄膜4)多晶硅薄膜，大气层太阳辐射的影响大气质量太阳光线通过大气层距离到达地球表面的太阳Junction，太阳电池工作流程光生螺栓效应，太阳电池工作流程光生螺栓效应，细胞，光子吸收，电子空穴对生成。电子空穴对被内置电场分离，在PN结的两端产生电势。用导线连接PN结，形成电流。通过在太阳电池的两端连接负载，可以将光能转换为电能。太阳电池等效电路、太阳电池传记性能参数、Isc、Voc、EFF、FF、Isc:电池面积、亮度、温度、Voc:亮度、温度带隙宽度约为1.

3、41.6ev，转化率最高，砷化镓具有接近最佳值的带隙宽度。Voc的损失主要在体内复合。短路电流损失路径，表面反射减少程度，通过羊绒和反射电镀膜将反射速度降低到10%以下。正面电极的印刷遮住大约10%的入射光。电池片比较薄，有些光线直接穿透电池片。但是现在采用前后印铝浆对牙齿损失大大减弱。半导体的体内和表面的复合。串行电阻、硅材料电阻、金属电极电阻、金属和硅的接触电阻、串行电阻、串行电阻表达式：前电极金属栅格电阻、rc1、RC2分别为前、后金属半导体接触电阻、rt为前扩散层的电阻、Rb为基本区域电阻、RMB为L为栅格线长度w是网格线宽度。对于铝背场形式的后电极，rsq通常为0.0100.020/

4、。可以计算结果。串行电阻，金属半导体接触电阻：S是硅的介电常数，ND是掺杂浓度。在ND 1019/cm3中，RC主要表现为隧道效应，随着ND的增加快速下降。在势壁垒高度为0.6V左右的金属材料中，硅的掺杂浓度接近1020/cm3时，RC的值约为10-310-4cm2，串行电阻，扩散薄膜电阻(扩散层框电阻)。l电池主焊接电极方向尺寸；w电池细格方向尺寸；m表示细栅格线数、串行电阻、基准面积阻力：D表示基准厚度，几乎等于硅基片厚度。地面用太阳电池底座材料电阻率通常为0.5.cm，并行电阻，边缘漏电(蚀刻不完整，印刷泄漏浆)体内杂质和微观缺陷PN结部分短路(扩散结太浅，天鹅绒金字塔颗粒太大)，填充系数，FF和其他主要参数关系：其中填充系数，电池效率，电池电流温度系数：0.1%电压温度系数：-0.4%(-2.3mV/)，曲线125曲线235，曲线125曲线235开放电压可以随温度变化很大，一般温度每升高1，Voc就会降低约0.4%。 填充系数FF因Voc关系而随着温度的升高而降低。输出功率和效率随着温度的升高而降低。硅的温度下降1，出口功率下降0.4%0.5%，明度对