三极管的命名、参数及测试.ppt

1、三极管的命名和参数，半导体器件的命名方法，第一部分，字母数字(中文拼写)，电极号，材料和极性器件类型序号，规格号，3个三极管，第二部分，第三部分，第十部分低频低功率管，第七部分高频低功率管，第八部分低频高功率管，第四部分高频高功率管，第五部分，例子： 3ax31 3dg12b3d6 PNP低频低功率锗三极管NPN高频低功率硅三极管NPN低频高功率硅三极管3CG 3AD 3DK PNP高频低功率硅三极管PNP低频高功率锗三极管NPN硅开关三极管，D硅NPN，C硅PNP，A锗PNP，B锗NPN，2.1.6型半导体三极管。 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B、第二位：A锗PN

2、P管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管，第三位：X低频低功率管、D低频高功率管、G高频低功率管、A高频大。用字母表示器件类型，用数字表示同一器件型号的序列号，用字母表示同一型号的不同规格，三极管、1。电流放大系数，当晶体管接入共发射极电路时，静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流之比称为静态电流(DC)放大系数，当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为IB。集成电路与集成电路的比值称为动态电流放大系数。当输出特性曲线几乎平行且等距且ICEO小时，可以近似考虑，但两者含义不同。电流放大系数一般在10100之间。如果太小，放大能力弱，如果太大，管道性能将不稳定。一般来说，建

3、议取3080。(1) DC参数，电极间反向电流1。集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO ICBO下标CB代表集电极和基极，O是开路前缀，它代表第三电极E开路。它相当于集电极结的反向饱和电流。指发射极开路时集电极和基极之间的反向电流。ICBO在一定温度下是一个常数，所以它也被称为反向饱和电流。EC、2。集电极和发射极之间的反向饱和电流ICEO和ICBO具有以下关系ICEO=(1 )ICBO相当于基极开路时集电极和发射极之间的反向饱和电流，即对应于输出特性曲线IB=0的曲线的Y坐标值。如下图所示。欧共体，1。集电极基极反向饱和电流ICBO。反向饱和电流随着温度的升高而增大，这是管道工作状态不稳定

4、的主要因素。因此，它经常被用作判断管道性能的重要依据。硅管的反向饱和电流远小于锗管，因此硅管应选择在温度变化范围较大的工作环境中。第二，电极之间的反向饱和电流，第二，集电极和发射极之间的反向饱和电流ICEO。(2.1.7)，1。电流放大系数，当晶体管接入共发射极电路时，静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(DC)放大系数，当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为IB，这使得集电极电流的变化量为ic。集成电路与集成电路的比值称为动态电流放大系数。当输出特性曲线几乎平行且等距且ICEO小时，可以近似考虑，但两者含义不同。电流放大系数一般在10100之间。如果太小

5、，放大能力弱，如果太大，管道性能将不稳定。一般来说，建议取3080。(2)交流参数、1、2、7、3、4、5、回路，三极管的特征频率fT值不仅与工作电流有关，还与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，晶体管将减小。当它降至1时，相应的频率称为特征频率，用fT表示。(2)交流参数，集电极电流值降至正常值的三分之二时，称为集电极最大允许电流ICM。1。收集器最大允许值下标BR代表击穿，它是击穿的前缀，CB代表集电极和基极，而O代表第三电极B的开路，即当管的基极开路时集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压超过该值时，管道中会发生电压击穿。如果电压击穿导致热击穿，管道将被损坏。2。集电极-发射极间反向击穿电压V(BR)CEO，当加热引起的晶体管参数变化不超过允许值时，集电极消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率PCM。ICM，U(BR)CEO和PCM共同确定晶体管