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文档简介
1、宽带隙半导体、inn、high-indium-content InGaN/gan multiple-quantum-well light-emitting diodes、 high-indium-content InGaN/Gan MQW led structures were epitaxially grown by movpe . with 70% indium in the InGaN well layers It was it was found that The output color of The in 0.7 ga 0.3n/gan LED changed from orang
2、e To yellow，to yellowish green，and finally to yellowish the light of two wavelengths corresponding to blue green And green was emitted from the same And the emission color of the led was controlled continuous 第二，可以轻松生成多层异构结构，从而形成氮化物的用途MQWs、SLS、2DEG等结构，有助于零件结构设计。带隙范围是整个可见光-远紫外线波段，特别是短波长方面，目前唯一的最佳选择。结
3、构稳定性、耐腐蚀性、长寿命、氮化物半导体的主要用途、高亮度紫外线、蓝光、绿光、白光发射二极管(LED)、红色和红外线LED近紫外线(UV)光激光(LD)可见光百叶帘UV光传感器高温高功率场效应电晶体(LD)这表示大约6500K色温。15度视角等为2000 MCD，30度视角为800 MCD。白光LED目前以美元0.9个/日亚B-LED YAG无机荧光粉定价，具有2000 MCD、标准5毫米封装、GaN-based LD、波长：405nm、多种光源DVD容量比较、Gan-Based UVhigh-performance AlGaN-based solar-blind ultra violet p I n detectors on laterally epitaxially overgrown Gan，uv-detectors Gan、应用程序、LED白色光源、RGB三色光合成UV-LL nitra波长超过400nm的话，外部杨紫效率会慢慢降低。低于400nm时，外部杨紫效率急剧降低，氧化棒结构限制P型电极面积的大小(P型电极面积限制)，电流的注入侧电流和光限制都不好
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