微电子概论（第3版）课件3-4B-扩散工艺_第1页
微电子概论（第3版）课件3-4B-扩散工艺_第2页
微电子概论（第3版）课件3-4B-扩散工艺_第3页
微电子概论（第3版）课件3-4B-扩散工艺_第4页
微电子概论（第3版）课件3-4B-扩散工艺_第5页
已阅读5页，还剩5页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

目录1．扩散掺杂原理3.4扩散掺杂工艺2．常用扩散掺杂方法3．扩散掺杂工艺的表征参数4．扩散工艺与集成电路设计的关系3．扩散掺杂工艺的表征参数(1)方块电阻“方块电阻”是其他专业未涉及的一个很有意思的参数。预备知识：浓度为N的均匀掺杂薄层导电材料的电阻为

R=ρl/S=(1/σ)l/S其中1/ρ=σ=(qμN)为材料的电导率

N为载流子浓度，近似等于掺杂浓度。3．扩散掺杂工艺的表征参数(1)方块电阻R=ρl/S=(1/σ)l/S一个方块材料对于从其侧面流过的电流所表现的电阻为：

R=(1/qμN)l/(lXj)=(1/qμ)(NXj)这种表面为方块的材料对从侧面流过的电流表现的电阻称为方块电阻记为R□

因此

R□=(1/qμ)(NXj)3．扩散掺杂工艺的表征参数(1)方块电阻方块电阻的特点是其阻值与方块的大小无关，只取决于导电薄层中与单位表面面积对应的掺杂总数(NXj)因此，方块电阻的大小直接表征了掺入杂质的多少。对于非均匀掺杂情况，这一结论不变，只是(NXj)改为积分3．扩散掺杂工艺的表征参数(1)方块电阻方块电阻的测量方法：“四探针”方法用四根间距相等的探针与掺杂层表面接触，外面一对探针间通过电流I，从中间一对探针间测量电压V。理论分析可得掺杂层的方块电阻为R□＝C(V/I)式中C称为修正因子，是一个与探针间距、样品尺寸等因素均有关的系数，具体数值可查表得到。3．扩散掺杂工艺的表征参数(2)结深的测量常用磨角法和滚槽法测量结深。测试精度都较差。采用理化分析方法测量杂质分布可以精确测定结深。4．扩散工艺与集成电路设计的关系(1)方块电阻集成电路设计中一般采用某个掺杂区起电阻作用。半导体IC中不同掺杂区域方块电阻差别可能很大，应根据电路中的电阻要求合理选用。pn结隔离双极IC各掺杂区方块电阻典型值4．扩散工艺与集成电路设计的关系(2)横向扩散在集成电路设计中需要考虑横向扩散产生的两个结果：①横向扩散对击穿电压的影响横向扩散形成的结面包括球面形。若结浅，则球面的曲率半径很小，类比尖端放电原理，该处耗尽层电场最集中，降低了pn结的击穿电压。4．扩散工艺与集成电路设计的关系(2)横向扩散②

横向扩散增加了对相邻窗口间距的要求由于横向扩散，晶片中相邻扩散区域之间的间距将小于相应两个窗口版图图形之间的距离。因此设计版图时相邻窗口之间的距离必须留有充分的余地，否则相邻两个掺杂区域之间会发生短路。4．扩散工艺与集成电路设计的关系(3)结深的控制其中xjC、xjE分别为基区掺杂结深和发射区掺杂的结深。目前基区宽度为0.1微米以下，从实际工艺波动影响考虑，使得xjE≈xB，有利于精细控制xB因此掺杂结深的控

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论