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文档简介

目录1．BJT模型：E-M模型与G-P模型2.4.7BJT模型与模型参数2．E-M1模型3．E-M2模型4．E-M3模型5．讨论3．E-M2模型

在描述直流特性的EM-1模型基础上，再考虑串联电阻、势垒电容和扩散电容的影响，就得到考虑寄生电阻和交流特性和瞬态响应的EM-2模型考虑基区、发射区和集电区3个区域的串联电阻，新增3个模型参数：

RB、RE、RC3．E-M2模型(1)串联电阻

外加电压减去串联电阻上的压降就是加在势垒区两端的压降3．E-M2模型(2)势垒电容反偏情况下势垒电容的一般表达式为：CJ＝CT0(1-V/VJ)-mj

包含3个模型参数：CT0

:零偏势垒电容；

VJ

:势垒内建电势；

mj

:电容指数。对eb结势垒电容，新增3个模型参数：

CTE0、VJE和MJE对bc结势垒电容，新增3个模型参数：

CTC0、VJC和MJC对IC考虑衬底结势垒电容，新增3个模型参数：CTS0、VJS和MJS3．E-M2模型(3)扩散电容

发射结扩散电容为：Cde＝τF(eICC/kT)

新增一个模型参数：TF(正向渡越时间)

集电结扩散电容为：Cdc＝τR(eIEC/kT)

新增一个模型参数：TR(反向渡越时间)。3．E-M2模型(4)等效电路在EM-1模型等效电路中新增三个电阻、三个势垒电容、两个扩散电容，成为EM-2模型等效电路。

外加电压加在晶体管引出端B、E、C，减去相应串联电阻上的压降就是势垒区两端压降。3．E-M2模型(4)等效电路EM-2模型新增14个模型参数新增的参数中串联电阻、零偏势垒电容、渡越时间

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