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文档简介

主讲人：谭香玲项目四逆变电路任务1认识全控型电力电子器件知识点：电力场效应晶体管一、电力场效应晶体管的结构二、电力场效应晶体管的工作原理三、电力场效应晶体管的基本静态特性四、电力场效应晶体管的主要参数一、电力场效应晶体管的结构场效应晶体管分为结型和绝缘栅型。电力场效应晶体管通常主要指绝缘栅型中的MOS型,简称电力MOSFET。1.特点驱动电路简单，需要的驱动功率小。

开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低。一、电力场效应晶体管的结构2.种类当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。MOS场效应晶体管P沟道型耗尽型增强型N沟道型耗尽型增强型电力MOSFET主要是N沟道增强型对于N沟道型器件，栅极电压大于零时才存在导电沟道称为增强型。一、电力场效应晶体管的结构4.结构

电力MOSFET内部结构断面示意图源极S、漏极D、栅极G

源极和漏极接在N型半导体上

栅极是绝缘的栅极G（Gate）漏极D（Drain）源极S（Source）

电力场效应晶体管的电气符号二、电力场效应晶体管的工作原理1.截止条件：漏源极间接正向电压，栅极和源极间电压为零或负值。原因：P基区与N漂移区间形成的PN结J1反偏，漏源极间无电流流过。栅极G（Gate）漏极D（Drain）源极S（Source）2.导通二、电力场效应晶体管的工作原理条件：

漏源极间接正向电压，栅极和源极之间加正电压UGS。原因：栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的电子吸引到栅极下面的P区表面。当栅源极间正向电压大于开启电压时，栅极下面P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，成为反型层N层，从而使PN结J1消失，漏极和源极导通。3.控制方式用栅极电压控制漏极电流。三、电力场效应晶体管的基本静态特性1.转移特性指漏极电流ID和栅源间电压UGS之间的关系，反映了输入电压和输出电流的关系。图2电力MOSFET的转移特性2.输出特性三、电力场效应晶体管的基本静态特性反映漏极电流ID、栅源极间电压UGS与漏源极间电压UDS的关系。图3电力MOSFET的输出特性工作在开关状态，即在截止区（关断状态）和非饱和区（导通状态）之间来回转换。漏源击穿电压U(BR)DSS规定了MOS管的电压定额。漏极连续直流电流ID在最大导通压降UDs(on)和占空比为100%时，产生的功率损耗使MOS管节点温度上升到最大值150°C

(外壳温度为100°C)时的漏极电流。可重复漏极电流幅值Ldm脉冲运行状态下MOS管漏极最大允许峰值电流。栅源电压UGS|UGS

|>20V将导致绝缘层击穿。四、电力场效应晶体管的主要参数电力场效应晶体管结构特点：栅源极电压(电场)控制漏极电流。栅源极

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