光伏电池材料形考任务三

一、单项选择题（共10道试题，共20分。）题目1还未回答满分2.00标记题目题干氧在铸造多晶硅中的浓度约为（）。A.1×1017～1×1018cm-3B.1×1020～1×1021cm-3C.1×1012～1×1013cm-3D.1×107～1×108cm-3题目2还未回答满分2.00标记题目题干最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。A.扩展电阻法B.四探针法C.范德堡法D.两探针法题目3还未回答满分2.00标记题目题干热交换法与布里奇曼法的主要区别在于（）。A.坩埚与热源的相互运动情况B.能耗C.成本D.是否需要水冷题目4还未回答满分2.00标记题目题干电磁铸锭法说法错误的是（）。A.熔体与坩埚不直接接触B.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀C.较少晶体缺陷D.硅锭中晶粒较细小题目5还未回答满分2.00标记题目题干少子寿命的物理意义是（）。A.非平衡少数载流子复合所需要的平均时间B.非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间C.以上都不对D.非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间题目6还未回答满分2.00标记题目题干用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。A.显微镜观察法B.整流法C.四探针法D.X射线法题目7还未回答满分2.00标记题目题干硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。A.POCl3B.PH3C.B2O3D.PH5题目8还未回答满分2.00标记题目题干单晶硅片的电阻率一般控制在（）。A.2～4·cm左右B.0.1～0.3·cm左右C.1～3·cm左右D.0.5～2·cm左右题目9还未回答满分2.00标记题目题干铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。A.100μm左右B.10cm左右C.1mm左右D.10mm左右题目10还未回答满分2.00标记题目题干目前最常用的硅片的尺寸为（）。A.210mm×210mmB.125mm×125mmC.156mm×156mm100mm×100mm二、不定项选择题（共10道试题，共30分。）题目11还未回答满分3.00标记题目题干工业硅生产过程中，要注意的是（）。A.及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比B.通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度C.保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体D.及时捣炉，帮助沉料题目12还未回答满分3.00标记题目题干硅烷法的特点是（）。A.不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅B.易于分解为非晶硅C.硅烷易爆炸D.硅烷气体易于用吸附法提纯题目13还未回答满分3.00标记题目题干具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。A.{111}晶面族〈111〉晶向B.{100}<110>晶向晶面族C.〈210〉晶向{110}晶面族D.{211}〈211〉晶面族晶向题目14还未回答满分3.00标记题目题干CZ法产生位错的环节和方式有（）。A.单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力B.籽晶中的位错延伸、增殖C.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕D.晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力题目15还未回答满分3.00标记题目题干晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。A.点缺陷分解B.点缺陷的产生C.点缺陷的扩散D.点缺陷的复合题目16还未回答满分3.00标记题目题干磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷的熔点低B.磷在硅熔液中很快得到蒸发C.磷在硅中的分配系数小于1D.磷的密度小题目17还未回答满分3.00标记题目题干直拉单晶炉的主室包括（）。A.热绝缘筒和地盘B.石墨坩埚C.石英坩埚D.石墨加热器题目18还未回答满分3.00标记题目题干关于晶转说法正确的是（）。A.过高的晶转会使固液界的形状太凹B.晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性C.吊索和晶体出现共振时效果最好D.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动题目19还未回答满分3.00标记题目题干石墨坩埚的寿命取决于（）。A.石墨的材质B.在晶体生长过程中的受热程度C.承受的重量D.石墨坩埚的形状题目20还未回答满分3.00标记题目题干以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。A.脱咐的进行物理吸附是不可逆的B.化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发C.升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的物理．吸附的进行吸附是可逆的三、判断题（共10道试题，共20分。）题目21还未回答满分2.00标记题目题干通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。选择一项：对错题目22还未回答满分2.00标记题目题干纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。选择一项：对错题目23还未回答满分2.00标记题目题干目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。选择一项：对错题目24还未回答满分2.00标记题目题干直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。选择一项：对错题目25还未回答满分2.00标记题目题干一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺镓的p型多晶硅。选择一项：对错题目26还未回答满分2.00标记题目题干多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。选择一项：对错题目27还未回答满分2.00标记题目题干太更多试题及答案+扣二九七九一三九六八四阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。选择一项：对错题目28还未回答满分2.00标记题目题干热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。选择一项：对错题目29还未回答满分2.00标记题目题干硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。选择一项：对错题目30还未回答满分2.00标记题目题干硅片切割得越薄，切割损耗也越多。选择一项：对错四、配伍题（共10道试题，共30分。）题目31还未回答满分3.00标记题目题干将制备方法与描述一一对应。（1）布里曼法一一空白（2）热交换法一一空白（3）浇铸法一一空白A.坩埚需升降B.固液界面比较平稳C.熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行题目32还未回答满分3.00标记题目题干将各种硅生产工艺与特点一一对应。（1）mc-Si一一空白（2）cz-Si一一空白（3）fz-Si一一空白A.生产成本最高B.对硅料的要求一般C.转换效率一般最低题目33还未回答满分3.00标记题目题干将硅中的各种元素与影响一一对应。（1）B一一空白（2）O一一空白（3）H一一空白A.危害较大B.有钝化效果C.特意加入，形成掺杂题目34还未回答满分3.00标记题目题干将抛光工艺与描述一一对应。（1）机械抛光法一一空白（2）化学抛光法一一空白（3）化学－机械抛光法一一空白A.现代半导体工业中普遍应用B.采用细磨料颗料C.硝酸与氢氟酸混合腐蚀液题目35还未回答满分3.00标记题目题干将化学反应与作用一一对应。（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑一一空白（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O一一空白（3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑一一空白A.去除硅表面的致密保护膜B.碱腐蚀C.酸腐蚀题目36还未回答满分3.00标记题目题干将清洗时试剂与作用一一对应。（1）无机酸一一空白（2）有机溶剂一一空白（3）过氧化氢一一空白A.去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质B.对一些难溶物质转化为易溶物质C.相似相溶题目37还未回答满分3.00标记题目题干将硅片参数与作用一一对应。（1）BOW一一空白（2）TTV一一空白（3）TIR一一空白A.弯曲度B.平整度的一种量度C.总厚度偏差题目38还未回答满分3.00标记题目题干将测试方法与作用一一对应。（1）整流法一一空白（2）四探针法一一空白（3）光电导衰退法一一空白A.少子寿命B.电阻率C.导电型号题目39还未回答满分3.00标记题目题干将吸杂