光电器件技术知到智慧树章节测试课后答案2024年秋苏州大学

光电器件技术知到智慧树章节测试课后答案2024年秋苏州大学第一章单元测试

下列光电器件中，基于光电效应原理的是（）。

A:光电二极管B:OLEDC:激光二极管D:光发射相机管

答案:光电二极管下列光电器件中，基于辐射复合原理的是（）。

A:光晶体管B:激光二极管C:太阳能电池D:LED

答案:LED下列应用场景中可能用到发光二极管的有（）。

A:家用光纤B:手机显示屏C:太阳能帆板D:交通指示灯

答案:家用光纤；手机显示屏；交通指示灯激光二极管的基本原理是受激发射。（）

A:对B:错

答案:对蓝色LED的发明获得2014年诺贝尔物理学奖。（）

A:对B:错

答案:对

第二章单元测试

不涉及化学杂质或物理缺陷的跃迁类型有（）。

A:到深能级的跃迁B:本征跃迁C:供体到受体的跃迁D:导带到受体的跃迁

答案:本征跃迁下列发光方式中不属于按输入能量源分类的是（）。

A:电致发光B:辐射发光C:阳极发光D:光致发光

答案:阳极发光属于电致发光激发方式的有（）。

A:注入B:本征C:雪崩D:隧穿

答案:注入；本征；雪崩；隧穿人眼对蓝色光的敏感程度最高。（）

A:错B:对

答案:错涉及热载流子的带内跃迁也称为俄歇过程。（）

A:对B:错

答案:对

第三章单元测试

下列哪个参数不决定发光二极管的外量子效率（EQE）（）。

A:非辐射复合速率B:外耦合效率C:辐射复合速率D:开启电压

答案:开启电压荧光发射有机发光二极管的理论最大内量子效率为（）。

A:75%B:45%C:15%D:25%

答案:25%有机发光二极管的主要优点有（）。

A:高稳定性B:低成本C:高载流子迁移率D:易与无机半导体集成

答案:低成本；易与无机半导体集成发光二极管的光谱宽度要比激光二极管的光谱宽度更窄。（）

A:错B:对

答案:错量子点发光二极管的缺点是饱和度较低的红色发射。（）

A:对B:错

答案:错

第四章单元测试

对于一个理想的光电探测器，其在波长620nm处的响应度为（）。

A:1.0A/WB:0.5A/WC:0.2A/WD:1.3A/W

答案:0.5A/W下列关于图像传感器CCD与CMOS的说法，错误的是（）。

A:在功耗方面：CCD需要外加电压较大，功耗高；CMOS可低电压驱动，功耗低B:在噪声方面：CCD是单一放大，噪声较高；CMOS每个像素内都有一个放大器，噪声较低C:在速度方面：CCD需在同步时钟的控制下，一位一位地输出信息，速度较慢；CMOS具有随机存取能力，速度快D:在成本方面：CCD整个电路较为复杂，成本较高；CMOS采用主流集成技术，成本较低

答案:在噪声方面：CCD是单一放大，噪声较高；CMOS每个像素内都有一个放大器，噪声较低雪崩式光电二极管的噪声来源是倍增过程中碰撞电离的不确定性。（）

A:错B:对

答案:对为了提高抗辐射能力，在太阳能电池中加入锂，通过与辐射引起的点缺陷相结合来中和缺陷，从而防止电池寿命退化。（）

A:错B:对

答案:对异质结太阳能电池相比于传统的太阳能电池的优势在于（）。

A:制备成本低B:耐辐射性强C:短波长光谱响应强D:串联电阻更低

答案:耐辐射性强；短波长光谱响应强；串联电阻更低

第五章单元测试

不属于化学气相沉积（CVD）技术实现金属化优点的是（）。

A:全局平面化B:阶梯覆盖好C:保形D:制备效率高

答案:全局平面化在集成电路制备工艺中，刻蚀技术是通过物理或化学方法从硅表面去除不需要的材料的过程，以下说法错误的是（）。

A:各向同性是指在同一个方向上的刻蚀B:干法刻蚀具有较好的各向异性C:湿法刻蚀各向异性刻蚀差，容易出现钻蚀现象D:刻蚀技术可分为湿法刻蚀和干法刻蚀

答案:各向同性是指在同一个方向上的刻蚀在所有集成电路技术中，CMOS技术的功耗最低，所以它对ULSI电路十分有吸引力。（）

A:对B:错

答案:对分子束外延技术可以制备单层的薄层。（）