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模拟电子技术二极管结构及特性——

目

录

——123二级管结构与类型二级管的伏安特性二级管的主要参数问题导航现实生活中的问题在厨房中有种配件叫单向止回阀，仅允许排烟向一个方向进行！在电子学领域，也有一种电流的单向阀，就是半导体二极管！止回阀的原理半导体二极管二级管结构与类型二极管构成：√PN结

+引线

+外壳

=

二极管二极管符号：二极管分类：×(正极)(负极)KA面接触型点接触型硅二极管锗二极管按材料分铝合金正极引线小球N型锗片正极引线负极引线PN结N型硅金锑合金点接触型面接触型按结构分外壳触丝负极引线底座二级管的伏安特性二极管的伏安特性曲线伏安特性：在二极管两端的电压，与流过二极管电流的对应关系伏安特性曲线伏安特性曲线的测量电路iD

/mAVV604020R+-RDD–50

–25mAmA0

0.4

0.8uD

/V+

E

-E–0.02–0.04正向曲线测量反向曲线测量二级管的伏安特性二极管的伏安特性0<

U<

Uth

iD

=0iDUth

=0.5

V

硅管0.1

V

锗管正向特性UISBRU>

UthUD(on)

=0.6∼

0.8

V

硅管

0.7

VuD急剧上升iDOUth

UD（on）反向特性0.1∼

0.3

V锗管

0.2

V死区电导通电压反向击穿反向击穿类型：电击穿

—

PNU（BR)

<U

<

0

硅管<

0.1

A、

锗管几十

Aµµ结未损坏，断电恢复结被烧毁，器件损坏U

<

U（BR）反向电流急剧增大（反向击穿）热击穿—

PN二级管的伏安特性iD/mA材料对二极管特性的影响iD/mA15604020硅管较高105导通电压反向电流锗管较低–25–50–50–25–0.02–0.0400

0.4

0.80.2

0.4uD

/

VuD

/

V–0.01–0.02硅管较低锗管较高硅管的伏安特性锗管的伏安特性iD/mA90°C温度对二极管特性的影响20°C604020温度升高时，

UD(on)以

2∼

2.5mV/

°C下降温度升高10°C，反向电流约增大一倍–50

–25uD/VO

0.4–0.02二级管的主要参数1.

IF

—最大整流电流U

UBRRMIF指二极管长期使用时允许通过二极管的最大正向平均电流值2.

反向击穿电压：UBR、最高反向工作电压：URM反向击穿电压是指二极管在反偏时产生击穿现象的电压最高反向工作电压是指二极管工作时允许外加的最大反向电压IRfMiD/mA3.

IR

—反向电流604020在给定的反向电压下，通过二极管的反向电流值。二极管单向导电性能的重要指标，反向电流小单向导电性能越好。–50–25–0.02–0.040

0.4

0.8uD/V4.

fM

—最高工作频率伏安特性二极管的PN结存在结电容，超最高频率时单向导电性变差。本课总结二极管的结构与类型：二极管由内部PN结与管壳引线组成，具有单向导电特性；按材料分为硅管与锗管，按结构分为点接触型与面接触型。二极管的伏安特性：正偏时未超过死区电压前微弱导通，超过后电流快速增大；反偏时反向电流很小，但超

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