电子技术及实训练习题库（含参考答案）

电子技术及实训练习题库（含参考答案）一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.锗三极管的截止电压UBE为(____)。A、0.2V；B、0.3V；C、0.5V；D、0.7V正确答案：A2.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。A、0度；B、不能确定C、相位相反；D、相位差90度；正确答案：C3.工作在放大区的某三极管，基极电流从20微安增大到40微安时，集电极电流从1毫安变为1.5毫安，其电流放大系数β约为(____)。A、10；B、100；C、50；D、25正确答案：D4.在反相比例运算放大器中，采用的反馈方式是(____)负反馈。A、并联电流B、串联电压；C、串联电流；D、并联电压；正确答案：D5.单相半波整流电路输出电压的大小是全波整流的（）。A、1/2；B、1/3；C、1/4D、1；正确答案：A6.二极管的主要特性是(____)。A、单向导电性；B、电流放大；C、电压放大；D、双向导电性正确答案：A7.单相桥式整流电路，若电源变压器次级电压有效值U2=100V，则输出电压平均值UO是(____)。A、100V；B、45V；C、90V；D、120V正确答案：C8.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成P型半导体。A、5B、2；C、3；D、4；正确答案：C9.模拟信号的特点是在时间上和（）上均连续。A、周期；B、数值；C、空间；D、频率正确答案：B10.单相工频半波整流电路中，二极管导通的时间是(____)。A、0.01S；B、0.02S；C、1S；D、2S正确答案：A11.工作在放大区的某三极管，基极电流从20微安增大到40微安时，集电极电流从1毫安变为2毫安，其电流放大系数β约为(____)。A、50；B、100；C、10；D、25正确答案：A12.单相全波整流电路中，每个二极管导通的时间是(____)周期。A、1/2B、1/4；C、1/3；D、1/6；正确答案：A13.单相桥式整流电路中，每个二极管中的电流与输出电流I0的关系为(____)。A、1/6倍；B、1/3倍；C、1/2倍D、相等；正确答案：C14.集成运算放大器的第一级通常是采用（）放大电路A、差模；B、共模；C、差分；D、射极正确答案：C15.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。A、越小越好；B、在10～20之间；C、在20～100之间D、越大越好；正确答案：C16.单相全波整流电路中，负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。A、全部电压；B、一半电压；C、三分之一电压；D、四分之一电压正确答案：B17.二极管的门坎电压是(____)。A、硅管0.5V，锗管0.1V；B、硅管7V，锗管3V；C、硅管3V，锗管7VD、硅管0.7V，锗管0.3V；正确答案：A18.三极管的反向电流ICBO是由（）组成的。A、多数载流子；B、少数载流子；C、多数载流子和少数载流子；D、自由电子正确答案：B19.单相半波整流电路的电压利用率（）A、高；B、很普遍；C、低D、为零；正确答案：C20.PN结加正向电压时，其正向电流是(____)。A、少子扩散而成；B、多子漂移而成C、多子扩散而成；D、少子漂移而成；正确答案：C21.单相全波整流电路中，每个二极管中的电流与输出电流I0的关系为(____)。A、1/2倍B、1/6倍；C、相等；D、1/3倍；正确答案：A22.工作在放大区的某三极管，基极电流从10微安增大到20微安时，集电极电流从1毫安变为1.5毫安，其电流放大系数β约为(____)。A、100；B、25C、50；D、10；正确答案：C23.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）U２A、0.9B、１；C、0.45D、1.2正确答案：A24.射极输出器的主要作用是进行(____)。A、电流放大；B、电压、电流同时放大C、阻抗变换；D、电压放大；正确答案：C25.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。A、同相；B、反相；C、不能确定D、滞后90度；正确答案：B26.电容滤波电路的滤波效果和电容的大小关系是(____)。A、电容越大越好；B、电容适当就行；C、不确定D、电容越小越好；正确答案：A27.NPN管共射放大电路输出电压波形正半波顶部失真，电路产生的失真是(____)。A、输入电压产生的失真；B、饱和失真；C、输入电流产生的失真D、截止失真；正确答案：D28.多极直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是(____)。A、中间极；B、增益最高的一级C、输入级；D、输出级；正确答案：C29.多级放大电力第一级的作用是（）A、提高共模抑制比；B、提高输出电阻C、提高放大倍数；D、提高输入电阻；正确答案：D30.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成P型半导体。A、5；B、6C、4；D、3；正确答案：D31.对放大电路进行动态分析的主要任务是(____)。A、确定静态工作点Q；B、确定电压放大倍数Au、输入电阻、输出电阻；C、确定电流放大倍数；D、确定三极管的状态正确答案：B32.单相全波整流电路中，用了几个二极管？A、2；B、3；C、4D、1；正确答案：A33.点接触型的二极管反向击穿电压大概是（)A、几千伏；B、不确定C、几伏；D、几十伏；正确答案：D34.在微分运算放大器中，采用的反馈方式是(____)负反馈。A、串联电压；B、并联电流C、串联电流；D、并联电压；正确答案：D35.单相桥式整流中，负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。A、四分之一的电压；B、一半的电压；C、四分之三的电压；D、全部电压正确答案：D36.桥式整流电容滤波电路的输出电压平均值为100V，若输出电压变为45V，判断出现(____)故障。A、电容断开；B、一只二极管短路C、一只二极管断开；D、电容与一只二极管同时断开；正确答案：C37.PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。用试验法测得三极管1端对地电压12V，2端对地电压11.3V,3端对地电压为1V，则发射极(____)。A、为1端；B、为3端；C、无法判断D、为2端；正确答案：A38.将整流电容滤波电路的滤波电容值减小，输出电压平均值(____)。A、不变；B、无法确定C、减小；D、增大；正确答案：C39.二极管的门坎电压是(____)。A、硅管3V，锗管7V；B、硅管0.5V，锗管0.1VC、硅管7V，锗管3V；D、硅管0.7V，锗管0.3V；正确答案：B40.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成N型半导体。A、5；B、1；C、3；D、7正确答案：A41.若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压Uv将(____)。A、不确定；B、增大；C、减小D、不变；正确答案：B42.50倍的反相比例运算放大电路的输入信号是1V，输出电压是（）V。A、50；B、1；C、饱和电压D、-50；正确答案：C43.单相桥式整流电路中，每个二极管导通的时间是(____)周期。A、1；B、1/2C、1/6；D、1/3；正确答案：B44.杂质半导体的少数载流子随温度升高其数量(____)。A、不变；B、减小；C、增大；D、无法确定正确答案：C45.NPN型三极管的三个脚分别为1、2、3。用试验法测得三极管1端对地电压5V，2端对地电压5.7V,3端对地电压为15V，则基极(____)。A、为1端；B、为3端；C、为2端；D、无法判断正确答案：C46.单相工频全波整流电路中，每个二极管导通的时间是(____)。A、0.01S；B、0.1S；C、0.2S；D、0.02S正确答案：A47.当温度降低时，放大电路的静态工作点随之(____)。A、不变B、升高；C、无法确定；D、降低；正确答案：D48.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。A、越大越好；B、略大于1倍C、越小越好D、略小于1倍正确答案：D49.晶体三极管基极电流保持不变，当(____)时，三极管工作在截止区。A、发射结加正向电压，集电结加正向电压；B、发射结加反向电压，集电结加正向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压；D、发射结加正向电压，集电结加反向电压；正确答案：C50.为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使RB电阻值(____)。A、减小；B、增大；C、不变；D、不确定正确答案：A51.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。A、相位差180度；B、相位差90度；C、同相位；D、不能确定正确答案：A二、多选题（共31题，每题1分，共31分）1.万用表有时也被称为三用表——主要测量(____)。A、电阻B、功率；C、电流；D、电压；正确答案：ACD2.下面哪些是稳压电路的参数指标？A、输出电阻；B、负载调整率；C、稳压系数；D、纹波抑制比正确答案：ABCD3.杂质半导体包括：(____)。A、M型半导体；B、N型半导体；C、A型半导体；D、P型半导体正确答案：BD4.万用表有时也被称为三用表——主要测量(____)。A、电阻B、功率；C、电压；D、电流；正确答案：ACD5.半导体具有(____)特性。A、光敏；B、掺杂；C、热敏；D、电流放大正确答案：ABC6.放大器级间耦合方式主要有（）．A、变压器耦合；B、直接耦合；C、阻容耦合；D、电感耦合正确答案：ABC7.特殊二极管包括(____)。A、光电二极管；B、双极二极管。C、稳压二极管；D、发光二极管；正确答案：ACD8.实验当中测得二极管正、反向电阻均为零，说明内部为(____)。A、断路B、开路；C、短路；D、短接；正确答案：CD9.对放大电路进行动态分析的主要任务是(____)。A、确定静态工作点Q；B、确定电压放大倍数Au；C、确定输入电阻；D、确定输出电阻正确答案：BCD10.二极管的导通电压是硅管(____)，锗管(____)。A、0.3VB、0.7V；C、0.1V；D、0.5V；正确答案：AB11.P型半导体——(____)。A、空穴为少子。B、自由电子为少子；C、自由电子为多子；D、空穴为多子；正确答案：BD12.特殊二极管有(____)。A、雪崩二极管；B、发光二极管；C、光电二极管D、变容二极管；正确答案：ABCD13.函数信号发生器主要产生(____)。A、矩形波；B、三角波；C、正弦波D、锯齿波；正确答案：ABCD14.在输电线路中输送功率一定时，其电压越高时(____)。A、线损越大B、电流越小；C、电流越大；D、线损越小；正确答案：BD15.反相比例放大电路的特点有(____）。A、输出电压是运放的饱和电压B、反相放大；C、虚地；D、放大倍数大于1；正确答案：BC16.三极管分类，按用途分(____)。A、放大管B、光电三极管；C、开关管；D、普通管；正确答案：BCD17.晶体三极管的三个极分别是(____)。A、发射极；B、降压极C、集电极；D、基极；正确答案：ACD18.三极管分类，按功率分(____)。A、小功率管；B、大功率管；C、中功率管；D、强功率管正确答案：ABC19.工作在线性区的运算放大器应置于（）状态。A、开环；B、串联C、深度负反馈；D、闭环；正确答案：CD20.二极管的基本应用：(____)。A、单相桥式整流电路；B、单相半波整流电路；C、三相桥式整流电路D、单相全波整流电路；正确答案：ABCD21.分析运放的两个依据是（）。A、U-≈U+；B、I-≈I+≈0；C、U0=Ui；D、Au=1正确答案：AB22.三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。A、发射；B、阳；C、集电D、基；正确答案：CD23.对放大电路进行动态分析的主要任务是(____)。A、确定输出电阻；B、确定电压放大倍数Au；C、确定输入电阻；D、确定静态工作点Q正确答案：ABC24.场效应三极管三个级分别是什么（___）。A、源极；B、缘极；C、漏极；D、栅极；正确答案：ACD25.三极管的放大条件：(____)。A、（NPN型）：VC>VB>VE；B、（NPN型）：VC<VB<VE；C、（PNP型）：VC<VB<VE；D、（PNP型）：VC>VB>VE正确答案：AC26.电源电路中，整流电路主要有哪几种(____)。A、单相桥式整流电路；B、单相半波整流电路；C、单相全波整流电路；D、倍压整流电路正确答案：ABCD27.直流稳压电源中滤波电路的目的是（）A、过滤掉直流中的交流成分；B、交流变为直流；C、高频变低频D、使波形更加平滑；正确答案：AD28.多级放大电路的耦合方式有哪几种（）A、直接耦合；B、电感耦合；C、阻容耦合D、变压器耦合；正确答案：ACD29.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成N或P型半导体。A、2；B、5C、4；D、3；正确答案：BD30.FET三极管的三种组态分别为(____)。A、共栅极；B、共射极；C、共源极；D、共漏极；正确答案：ACD31.放大电路的动态性能指标主要包括(____)。A、输出电压；B、输入电阻；C、放大倍数D、输出电阻；正确答案：BCD三、判断题（共25题，每题1分，共25分）1.二极管反向截止时，反向电阻大，反向电流约为0。A、正确B、错误正确答案：A2.硅二极管与锗二极管的热稳定性一样。A、正确B、错误正确答案：B3.三极管的放大条件（PNP型）：VC>VB>VE。A、正确B、错误正确答案：B4.三极管的饱和条件：发射结正偏、集电结反偏。A、正确B、错误正确答案：B5.只有电路既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用。A、正确B、错误正确答案：B6.三极管的放大条件：发射结正偏、集电结正偏。A、正确B、错误正确答案：B7.若测出来的电阻较大，则数字式万用表黑表笔所接触的电极为二极管的负极，红表笔所接触的电极为二极管的正极。A、正确B、错误正确答案：B8.半导体有带负电的自由电子和带正电的空穴两种载流子。A、正确B、错误正确答案：A9.PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。A、正确B、错误