模拟电子技术模拟习题与参考答案

模拟电子技术模拟习题与参考答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真。A、交越B、频率C、截止D、饱和正确答案：D2.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。()A、正确;B、错误正确答案：B3.集成运放的非线性应用存在（）现象。A、虚断；B、虚断和虚短。C、虚地；正确答案：A4.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短。正确答案：B5.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A6.单极型半导体器件是()。A、场效应管B、稳压管C、双极型三极管D、二极管正确答案：A7.共集放大电路的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：B8.当反馈深度|1+AF|=0时，放大电路（）A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D9.稳压二极管的正常工作状态是()。A、反向击穿状态B、导通状态C、任意状态D、截止状态正确答案：A10.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。()A、错误B、正确;正确答案：A11.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）A、对:B、错正确答案：B12.晶体三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。正确答案：C13.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。A、错误B、正确;正确答案：A14.理想集成运放的开环放大倍数Au0为()。A、∞;B、0;C、不定。正确答案：A15.晶体三极管的输出特性曲线上可分为()A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、放大区和截止区三个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案：B16.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A17.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（）A、对:B、错正确答案：A18.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏低,电路易出现()。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：A19.场效应管是一种（）A、电压控制的电流源B、电流控制的电压源C、电压控制的电压源D、电流控制的电流源正确答案：A20.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C21.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏高,电路易出现()。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B22.双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。A、正确;B、错误正确答案：B23.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、错B、对:正确答案：A24.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。正确答案：B25.若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结反偏;C、发射结反偏、集电结正偏。D、发射结正偏、集电结正偏;正确答案：B26.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：B27.为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、带通B、带阻C、高通D、低通正确答案：C28.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B29.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B30.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）A、错B、对:正确答案：A31.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现顶削波时的失真为（）失真。A、频率B、饱和C、截止D、交越正确答案：C32.集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（）A、对:B、错正确答案：B33.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是()A、稳定放大倍数B、提高输入电阻C、克服温漂D、克服交越失真正确答案：C34.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B35.理想集成运放的开环放大倍数Au0为（）。A、∞；B、0；C、不定。正确答案：A36.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：A37.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。A、正确;B、错误正确答案：A38.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏正确答案：A39.PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A、少子扩散；B、少子漂移；C、多子漂移。D、多子扩散；正确答案：D40.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是（）。A、变容二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、发光二极管正确答案：B41.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是（）A、克服温漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：A42.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、错B、对:正确答案：B43.单极型半导体器件是()。A、稳压管。B、晶体三极管;C、场效应管;D、二极管;正确答案：C44.基极电流iB的数值较小时,易引起静态工作点Q接近()。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区正确答案：A45.国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。A、圆壳式；B、双列直插式。C、扁平式；正确答案：B46.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、正弦半波；B、矩形方波；C、仍为正弦波。D、等腰三角波；正确答案：A47.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。A、错误B、正确;正确答案：A48.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、带负载能力强;B、带负载能力差;C、减轻前级或信号源负荷。正确答案：A49.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、错误B、正确;正确答案：A50.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。A、线性与非线性;B、虚断和虚短。C、正反馈与负反馈;正确答案：A51.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。A、正确;B、错误正确答案：B52.基本放大电路中的主要放大对象是()。A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案：A53.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、错误B、正确;正确答案：A54.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是()A、共射放大电路B、共基放大电路C、共集电放大电路D、射极输出器正确答案：A55.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B56.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是A、ie=(1+β)*icB、ic=β*ieC、ie=(1+β)*ib正确答案：C57.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D58.(填空题)基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近____。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区：正确答案：B59.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、错误B、正确;正确答案：A60.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A61.N型半导体中的多数载流子是()A、负离子B、正离子C、空穴D、自由电子正确答案：D62.P型半导体中的多数载流子是()A、正离子B、负离子C、自由电子D、空穴正确答案：D63.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、错B、对:正确答案：A64.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B65.测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A66.理想集成运放的输入电阻为（）。A、不定。B、0；C、∞；正确答案：C67.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。A、交越B、频率C、截止D、饱和正确答案：C68.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（）A、对:B、错正确答案：B69.当反馈深度|1+AF|=0时,放大电路()A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D70.集成运放的非线性应用存在()现象。A、虚断和虚短。B、虚地;C、虚断;正确答案：C71.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。正确答案：B72.N型半导体中多数载流子是_____。A、自由电子B、PN结C、空穴正确答案：A73.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、错误B、正确;正确答案：A74.绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较小；B、较大；C、为零；D、无法判断。正确答案：C75.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、四价;B、五价;C、三价;D、六价。正确答案：C76.输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（）A、错B、对:正确答案：B77.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。A、三价；B、六价。C、五价；D、四价；正确答案：A78.射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）A、带负载能力差；B、带负载能力强；C、减轻前级或信号源负荷。正确答案：B79.基本放大电路中的主要放大对象是（）。A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。正确答案：B80.当信号频率等于放大电路的上限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.5B、0.4C、0.707D、0.9正确答案：C81.P型半导体中多数载流子是______。A、空穴B、自由电子C、PN结正确答案：A82.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A83.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。A、四价B、五价C、三价正确答案：C84.晶体三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。正确答案：C85.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、四价B、五价C、三价D、六价正确答案：C86.集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（）A、对:B、错正确答案：A87.MOS管形成导电沟道时，总是有两种载流子同时参与导电。（）A、对:B、错正确答案：B88.P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案：B89.理想集成运放的输入电阻为()。A、∞;B、不定。C、0;正确答案：A90.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（）A、对:B、错正确答案：B91.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共集放大电路B、共射放大电路C、共漏放大电路D、共基放大电路正确答案：B92.晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、错B、对