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站名:站名:年级专业:姓名:学号:凡年级专业、姓名、学号错写、漏写或字迹不清者,成绩按零分记。…………密………………封………………线…………第1页,共1页江南大学《高分子材料成型加工》
2022-2023学年第一学期期末试卷题号一二三四总分得分一、单选题(本大题共15个小题,每小题2分,共30分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.)1、对于一种用于燃料电池的质子交换膜材料,以下哪种性能指标对其性能的影响最为关键?()A.质子传导率B.化学稳定性C.机械强度D.气体渗透性2、在研究材料的热稳定性时,热重分析(TGA)是一种常用的测试方法。通过TGA曲线,可以得到材料的失重情况。对于一种聚合物材料,在加热过程中出现两次明显的失重阶段,可能的原因是什么?()A.分解产生两种不同的气体产物B.存在两种不同的结晶形态C.发生了两次相变D.以上原因均有可能3、在研究材料的磨损机制时,发现粘着磨损是主要的磨损方式。以下哪种措施可以减少粘着磨损?()A.提高表面硬度B.改善润滑条件C.选择合适的配对材料D.以上都可以4、一种新型的纤维增强复合材料在拉伸过程中表现出非线性的应力-应变关系。以下哪种因素可能是导致这种现象的原因?()A.纤维断裂B.基体开裂C.界面脱粘D.以上都有可能5、对于超导材料,除了临界温度,还有临界磁场和临界电流密度等参数。临界磁场越大,超导材料的应用范围()A.越窄B.越宽C.不变D.不确定6、在陶瓷材料的烧结助剂选择中,需要考虑多个因素。以下关于烧结助剂作用和选择原则的描述,正确的是()A.烧结助剂可以降低烧结温度,但会降低陶瓷的性能B.烧结助剂的加入量越多,陶瓷的烧结效果越好C.烧结助剂应与陶瓷材料具有良好的化学相容性D.所有的氧化物都可以作为陶瓷的烧结助剂7、在分析一种用于超级电容器的电极材料时,发现其比电容较低。以下哪种改进方法可能有助于提高比电容?()A.增加活性物质的负载量B.优化电极的孔隙结构C.提高电极的导电性D.以上都是8、对于一种金属玻璃材料,其具有优异的力学性能和耐腐蚀性。以下哪种制备方法常用于获得金属玻璃?()A.铸造法B.粉末冶金法C.溅射法D.快速凝固法9、材料的热稳定性是指材料在高温下保持性能稳定的能力,那么影响材料热稳定性的主要因素有哪些?()A.材料的化学成分、晶体结构B.加热速率、保温时间、冷却方式C.材料的制备工艺、微观结构D.以上都是10、对于一种用于传感器的压电材料,要提高其灵敏度,以下哪种方法最为有效?()A.选择具有更高压电系数的材料B.优化晶体取向C.减小材料的尺寸D.以上都是11、陶瓷材料的硬度通常很高,那么常用的陶瓷材料硬度测试方法有哪些?()A.洛氏硬度测试、维氏硬度测试B.布氏硬度测试、肖氏硬度测试C.显微硬度测试、纳米硬度测试D.以上都是12、对于一种磁性薄膜材料,其磁畴结构对其磁性能有重要影响。以下哪种方法可以观察到磁畴结构?()A.扫描电子显微镜B.透射电子显微镜C.磁力显微镜D.原子力显微镜13、在考察材料的热变形行为时,发现一种材料在高温下表现出明显的蠕变现象。以下哪种因素会增加材料的蠕变速率?()A.降低应力B.提高温度C.减小晶粒尺寸D.增加第二相粒子14、在研究金属的塑性变形过程中,发现位错运动对变形起到了关键作用。以下哪种因素会对位错运动产生阻碍?()A.溶质原子B.第二相粒子C.晶界D.以上均会15、在磁性材料中,根据磁化特性的不同可以分为软磁材料和硬磁材料。软磁材料通常具有()A.高矫顽力和高剩磁B.低矫顽力和低剩磁C.高矫顽力和低剩磁D.低矫顽力和高剩磁二、简答题(本大题共3个小题,共15分)1、(本题5分)论述材料的阻尼机制,包括内摩擦、界面摩擦等,分析如何根据不同需求选择合适的阻尼材料。2、(本题5分)阐述金属材料的相变过程,包括奥氏体向马氏体的转变,分析相变对金属性能的影响及控制相变的方法。3、(本题5分)解释什么是材料的生物可降解性,分析影响材料生物可降解性能的主要因素,并说明在生物医学领域的应用。三、论述题(本大题共5个小题,共25分)1、(本题5分)深入论述材料的表面处理技术(如电镀、化学镀、阳极氧化等)对材料表面性能(如硬度、耐腐蚀性、耐磨性)的改善机制和效果。2、(本题5分)详细论述材料的超导磁悬浮性能和应用,解释超导磁悬浮的原理和特点,分析影响超导磁悬浮性能的因素,研究在交通运输中的应用前景。3、(本题5分)深入探讨压电材料在智能结构和微机电系统中的应用实例和发展趋势,以及对压电材料性能的新要求。4、(本题5分)详细论述材料的力学性能测试方法,包括拉伸试验、压缩试验、硬度测试和冲击试验等,分析测试结果的影响因素和数据处理方法。5、(本题5分)论述材料的抗辐射性能和辐射防护材料,分析辐射对材料性能的影响,研究抗辐射材料的性能要求和发展方向,探讨在核工业中的应用。四、计算题(本大题共3个小题,共30分)1、(本题10分)已知一种半导体材料的本征载流子浓度为1×10¹⁰cm⁻³,施主杂质浓度为1×10¹⁵cm⁻³,计算多数载流子浓度和少数载流子浓度
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