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文档简介
半导体的禁戒跃迁
半导体的禁戒跃迁1.禁戒跃迁：激子与辐射场弱耦合，振子强度较小.2.直隙材料①三重态激子
跃迁（单态激子
比较反射谱②纵模激子跃迁③偶极禁戒跃迁这些材料中,最高的
价带与最低的导带具有相同的偶宇称,因此
属于偶极禁戒跃迁,
激子不存在（但
电四极矩和磁偶极矩跃迁存在,很弱）.双光子跃迁下
激子存在，但是这些
态振子强度不与量子数
成反比，单光
子跃迁与双光子跃迁的选择定则不同.3.间隙材料①间接激子跃迁过程中吸收或发射声子.发射声子
吸收声子
②吸收系数发射声子过程吸收声子过程其中包含跃迁矩阵元平方,即跃迁几率,与声子的动量关系微弱.
是间接激子能量最小值.为声子能量.为声子数.
表示激子态密度.●光子能量
吸收谱表现为叠加在带间跃迁吸收边上的一些台阶.间隙材料反射谱中也没有明显的结构.比较直接材料
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