集成电路设计（第4版） 试题及答案 作业4_第1页
集成电路设计（第4版） 试题及答案 作业4_第2页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

CH41．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。 CMOS工艺技术成熟，集成高，功耗低，适用于数字电路。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高，适合于微波频段。2.什么是MOS工艺的特征尺寸？工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。3.为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（MASKSTEP），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。4．为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？因为电子的迁移率大于空穴的迁移率5.画出N阱CMOS工艺的剖面图。N阱CMOS芯片剖面示意图6.常规N-WellCMOS工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？ NMOS工艺需要的掩模和典型工艺流程Mask确定对象作用出发点P型掺杂硅晶圆（＝75～200mm），生长1m厚氧化层，涂感光胶（Photoresist）1有源区紫外曝光使透光处光胶聚合，去除未聚合处（有源区）光胶，刻蚀（Eching）氧化层，薄氧化层（Thinox）形成，沉淀多晶硅层，涂感光胶2离子注入区曝光，去除未聚合处光胶，耗尽型NMOS有源区离子注入，沉淀多晶硅层，涂感光胶3多晶硅线条图形曝光，去除未聚合处光胶，多晶硅刻蚀，去除无多晶硅覆盖的薄氧化层，以多晶硅为掩模进行N扩散，漏源区相对于栅结构自对准，再生长厚氧化层，涂感光胶4接触孔窗口（ContactsCut）曝光，去除未聚合处光胶，接触孔刻蚀，淀积金属层，涂感光胶5金属层线条图形曝光，去除未聚合处光胶，金属层刻蚀，钝化玻璃层形成，涂感光胶6焊盘窗口（BondingPads）曝光，去除未聚合处光胶，钝化玻璃层刻蚀7.BiCMOS工艺优点是什么？双极器件具有速度高、驱动能力强和低噪声等特性，但功耗大且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干扰能力强等优点，但它的速度较低、驱动能力差，在具有高速要求的环境下难以适应。BiCMOS工艺将双极与CMOS器件制作在同一芯片上，这样就结合了双极器件的高跨导、强驱动和CMOS器件高集成度、低功

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 考试试卷

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论