集成电路设计（第4版）试卷3_第1页
集成电路设计（第4版）试卷3_第2页
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PAGE共5页第2页学号姓名学号姓名密封线一、选择题（答案可能不唯一）（10分）1.关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是()A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。2.NMOS管的衬底接法正确的是()A．高电位； B．低电位；C．地。3.1965年，GordonMoore提出了著名的摩尔定律，指出：每三年晶体管的集成数目就会翻_________番。（）A．1； B．2；C．3；D．4。4.当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小5.集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是：（）A、铜具有更高的导电率；B、铜具有更低的导电率；C、铜更容易刻蚀加工；D、铜具有更好热导率。二、名词解释：沟通长度调制效应Latch-up效应(10分)三、说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。(15分)四、简述一层多晶硅两层金属N阱CMOS工艺主要步骤。（10分）五、用Verilog语言编写JK触发器和T触发器的程序。(15分)六、计算只用第四层金属构成的焊盘对地电容及使用第四层金属和第三层金属的焊盘对地的电容。假设焊盘尺寸为75um×75um,所用的电容参数如下图所示。（15分）七、用SPICE程序仿真出MOS管的输出特性曲线。（10分） 八、NMOS晶体管如图，其参数如下：VT=1V（阈值电压），μch=1000cm2V-1S-1（沟道迁移率），εox=3×10-13Fcm-1（氧化层介电常数），tox=30nm（氧化层厚度），W=5u

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