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文档简介

1第五章MOS场效应管的特性5.1MOS场效应管5.2MOSFET的阈值电压5.3体效应 5.4

MOSFET的温度特性

5.5MOSFET的噪声5.6MOSFET尺寸按比例缩小5.7MOS器件的二阶效应

25.2MOSFET的阈值电压VT阈值电压是MOS器件的一个重要参数。按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着两种类型的MOS器件：耗尽型(Depletion)：沟道在Vgs=0时已经存在。当Vgs“负”到一定程度时截止。一般情况，这类器件用作负载。增强型(Enhancement)：在正常情况下它是截止的，只有当Vgs“正”到一定程度，才会导通，故用作开关。3VT的组成概念上讲,VT就是将栅极下面的Si表面从P型Si变为N型Si所必要的电压。它由两个分量组成,即:

VT=Us+VoxUs:Si表面电位;

Vox:SiO2层上的压降。图5.541.

Us的计算将栅极下面的Si表面从P/N型Si变为N/P型Si所必要的电压Us与衬底浓度Na有关。在半导体理论中，P型半导体的费米能级是靠近满带的，而N型半导体的费米能级则是靠近导带的。要想把P型变为N型，外加电压必须补偿这两个费米能级之差。所以有:图5.452.

Vox的计算Vox根据右图从金属到氧化物到Si衬底Xm处的电场分布曲线导出:6VT的理想计算公式在工艺环境确定后，MOS管的阈值电压VT主要决定于

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