GB-T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法

代替GB/T6616—2009半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法国家标准化管理委员会国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会IGB/T6616—2023本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件代替GB/T6616—2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法》,与GB/T6616—2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：a)更改了范围(见第1章，2009年版的第1章);b)更改了干扰因素(见第5章，2009版的第5章);c)更改了试验条件(见第6章，2009年版的6.1);d)更改了标准片和参考片的要求(见8.1、8.2、8.3,2009年版的4.2);f)更改了试验步骤(见第9章，2009年版的第6章);g)更改了精密度(见第10章，2009年版的第7章);h)增加了硅单晶电阻率温度系数(见附录A)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、浙江旭盛电子有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司。本文件主要起草人：何烜坤、刘立娜、李素青、张颖、马春喜、张海英、潘金平、丁雄本文件于1995年首次发布，2009年第一次修订，本次为第二次修订。1GB/T6616—2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。本文件适用于测试直径或边长不小于25.0mm、厚度为0.1mm～1.0mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001Ω·cm～200Ω·cm,薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×10³Q/□~3.0×10³a/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语GB/T25915.1—2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。将晶片平插入一对共轴涡流探头(涡流传感器)之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在晶片上感应产生涡流，激励电流的变化是晶片电导的函数。通过测试激励电流的变化即可测得晶片的电导率。晶片的薄层电阻(Rg)按公式(1)进行计算。…………R,——晶片的薄层电阻，单位为欧姆每方块(Q/口);p——晶片的电阻率，单位为欧姆厘米(Ω·cm);t——晶片中心的厚度(测薄膜时厚度取0.0508cm作为有效厚度),单位为厘米(cm);G——晶片的薄层电导，单位为西门子(S);δ——晶片的电导率，单位为西门子每厘米(S/cm)。5干扰因素5.1晶片表面被沾污或表面有损伤，会引入测试结果误差。2GB/T6616—20235.2测试环境的温度、相对湿度和光照强度的不同会影响测试结果。5.3测试仪器附近有高频电源，会产生一个加载电流引起电阻率测试误差。5.4测试时晶片应放置在有效区域内(即被整个探头覆盖)。5.5测试时间过长，涡流会在晶片上造成升温，测试时间宜小于1s。5.6测试碳化硅和砷化镓单晶时，如果用硅片作为标准片或参考片时应进行温度修正，因为不同材料的温度修正系数不同，可能会引入测试结果误差。5.7测试过程中，标准片或参考片与测试片之间的温度差大于2℃时会引入测试结果误差。5.8测试过程中，电阻率标准片或参考片与待测晶片的厚度偏差大于25%,可能会引入测试结果误差。5.9测试过程中，由于测试值为有效区域电阻，对于晶片电阻率均匀性测试存在一定误差。6试验条件6.1测试环境温度为23℃±2℃,相对湿度不大于60%。6.2测试环境应有电磁屏蔽，电源应有滤波。6.3测试环境的洁净度应满足GB/T25915.1—2021中ISO7级的要求。7仪器设备7.1电学测试装置由可供半导体晶片插入的具有固定间隙的一对共轴涡流探头、放置晶片的支架(需保证晶片与探头轴线垂直)、晶片对中装置及激励探头的高频振荡器等组成。选择一个能穿透5倍晶片厚度或薄膜厚度的高频振荡器，该传感器可提供与晶片电导成正比的输出信号。涡流传感器组件示意图见图1。图1涡流传感器组件示意图3GB/T6616—2023当被测样片为晶片时，通过晶片的厚度再转换为电阻率。信号处7.2.2温度计，最小分辨力为0.1℃。8样品8.1标准片或参考片用于校准仪器之间的线性检查。电阻率标准片或参考片与待测晶片的厚度偏差应小于25%,标准片或参考片的标称值及其推荐量程见表1。测试范围标准片或参考片的电阻率相当于508μm厚的薄膜薄层标准片或参考片的电阻Ω/口0.0100.0300.1000.3000.9000.1～200.060.0200.0600.090.02800.08.2使用5点法进行仪器线性检查时，至少使用5片电阻率标准片或参考片，在仪器给出的量程范围内可达到两个数量级，需将测试值修正到23℃。5点法测试的范围宽，但不能自动进行电阻率温度系数修正。8.3使用2点法进行仪器线性检查时，使用2片电阻率标准片或参考片，其电阻率差值通常是待测晶片范围中值点的±25%,且要求覆盖待测电阻率范围。2点法的测试值都可以自动地修正其电阻率温薄膜。8.5晶片导电类型为p型或n型，样品表面应无裂纹、孔隙或其他结构不连续的层。8.6晶片边长或直径不小于25mm,厚度为0.1mm～1.0mm。制造薄膜的衬底，通过中心点测试的有效薄层电阻至少为薄膜电阻的1000倍。4GB/T6616—20239试验步骤9.1方法I五点法9.1.1.1测试环境温度(T)精确到±0.1℃。9.1.1.3按公式(2)将标准片或参考片在23℃时的标定值p23换算成环境温度(T)时的电阻率值pr。Pr=p2[1+Cr(T-23)]……(2)式中：Cr—-——硅单晶电阻率温度系数，单位为每摄氏度(℃-¹),具体温度系数见附录A;T——环境温度，单位为摄氏度(℃)。9.1.1.4将标准片或参考片正面向上放在支架上，插入上下两探头之间。其中心偏离探头轴线不大于1.0mm。比较pr值与实际测试值，对仪器进行校正。9.1.2.1根据晶片电阻率的范围选择一组(5片)电阻率参考片。每块参考片输入厚度后，由支架插入上下探头之间，其中心偏离探头轴线不大于1mm,依次测试每块参考片在环境温度(T)时的电阻率值。9.1.2.2根据公式(2)将每块参考片在环境温度(T)时测得的电阻率pr值换算成23℃的电阻率9.1.2.3选取5个参考片的数据点，作为电阻率测试值与标定值的关系图，并在图上标出5个数据点的具体位置。9.1.2.4分别按公式(3)和公式(4)计算出各参考片的电阻率允许偏差范围的最大值和最小值。式中：pi——参考片标准值，单位为欧姆厘米(Q·cm);ln——仪器最小分辨率；9.1.2.5如果5个数据点全部位于两条直线之间，那么仪器在全量程范围内达到线性要求，可进行测9.1.2.6如果只有3个或4个数据点位于两条直线之间，则在由这些相邻的最高点和最低点所限定的9.1.2.7如果5个数据点位于两条直线之间的数据不足3点，应对仪器重新调整和校正，并重复9.1.2.1~5GB/T6616—2023电阻率已知值/(Q*cm)测试按以下步骤进行：a)用温度计测量室内温度；e)如电阻率测试环境温度为23℃,直接记录电阻率显示值p23;如电阻率测试环境温度不是23℃,则根据当时环境温度(T)时的测试值pr,将显示值换算成23℃时的电阻率值p23并待测晶片的电阻率值p23,可由公式(2)计算得出。9.2方法Ⅱ两点法9.2.1.3将标准片或参考片正面向上放在支架上，置于上下两探头之间。硅片中心偏离探头轴线不大于1.0mm。9.2.1.5连接环境温度(T)时两个标准片或参考片的电阻率值pr和23℃时的标定值p23,两个标准片或参考片电阻率值pr和23℃标定值p23示意图见图3。9.2.2.1测试时，将晶片的测试值p'定位在图4的纵坐标上，将测试的水平线与图3中的标定线相交，6GB/T6616—2023将标定交点上方的垂线延伸到实际的横坐标上(见图4),记录横坐标交点处的数值，作为样品的实际值pT。9.2.2.3对于电阻率范围内包含电阻率非单调温度系数的硅单晶标准片，将测试值定位在纵坐标之前，先用附录A中的系数将校正后的实测值修正为23℃。图3两个标准片或参考片电阻率值pr和23℃标定值p₂s示意图体如下：不大于1%,不同实验室测试的再现性不大于7%;不大于2%,不同实验室测试的再现性不大于5%;不大于2%,不同实验室测试的再现性不大于3%;不大于3%,不同实验室测试的再现性不大于4%。7GB/T6616—2023b)电阻率标准片及参考片代号；d)测试电流；e)厚度；f)晶片电阻率pr;g)温度修正后的电阻率p23;h)本文件编号及方法名称；i)测试者；j)测试日期。8GB/T6616—2023(资料性)21℃~25℃时硅单晶电阻率温度系数21℃~25℃时硅单晶电阻率与电阻率温度系数对应关系见表A.1。表A.121℃~25℃时硅单晶电阻率温度系数电阻率电阻率温度系数Cr电阻率电阻率温度系数Crn型p型p型0.00060.002000.001600.400.006560.006130.00080.002000.001600.500.006780.006390.00100.002000.001580.600.006960.006590.00120.001840.001510.800.007200.006870.00140.001690.001490.007360.007070.00160.001610.001480.007470.007220.00200.001580.001480.007550.007340.00250.001590.001450.007610.007440.00300.001560.001370.007680.007590.00350.001460.001270.007740.007730.00400.001310.001160.007780.007830.00500.000960.000940.007820.007910.00600.000600.000744.00.007850.007970.00800.000060.000460.007910.008050.010—0.000220.000310.007970.008110.012—0.000310.000250.008060.008190.014—0.000260.000250.008130.008250.016—0.000130.000290.008180.008290.0200.000250.000450.008220.008320.0250.000830.000730.008240.008350.0300.001390.001020.008260.008400.0350.001900.001310.008270.008450.0400.002350.001580.008280.008490.0500.003090.002080.008290.008530.0600.003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