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文档简介
中华人民共和国通信行业标准用于光纤系统的半导体光电子器件第1部分:基本特性和额定值2009-12-11发布2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 Ⅱ 12规范性引用文件 13术语、定义和缩略语 14用于光纤系统或子系统的光发射二极管 25带尾纤的激光器组件 46用于光纤系统或子系统的PIN光电二极管 87带或不带尾纤的雪崩光电二极管(APD) 98用于光纤系统或子系统的PIN-TIA 9用于泵浦光放大器的激光二极管组件 10用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件 12用于数据光纤传输的光调制器组件 22一第1部分:基本特性和额定值;一第2部分:测试方法。Ⅲ本部分主要起草人:梁泽、镇磊、李春芳、杨现文、徐顺川、赵先明。1范围一半导体光发射器件;一半导体光探测器件;—单片或混合集成的光电子器件和其他组件。本部分适用于半导体光发射器件、半导体光探测器件及单片或混合集成的半导体光电子器件和其他下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分。然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究IEC60825-1:2007激光产品的安全第1部分:设备分类、要求和用户指南用来探测发光的一种二极管。该二极管有一个厚的本征层(I层)夹在掺杂的P型与N型半导体层在噪声功率相应的单位带宽内,噪声功率的均方值<△Φ²>与平均功率的平方值<Φ。>²之比并取对数,单位dB/Hz,用符号RIN表示。光谱漂移spectralshift在额定管壳温度或正向电流下的峰值发射波长值与基准管壳温度,或正向电流下的峰值发射波长值2光电流Ip与输入到光电二极管光功率的比值,用符号Rp或R表示。由于雪崩载流子倍增的空间和时域的波动引起的噪声:它定义为规定的反向偏压下,噪声功率与倍增时的光电流散粒噪声功率的比值,用符号Fe表示。4.2材料3a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准号;1XX℃2温度:管壳温度3焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离)X℃4XV5X6在规定脉冲条件下重复的峰值正向电流(适用时)降额曲线或降额因子(适用时)X7功耗降额曲线或降额因子(适用时)X8管壳额定器件:结温(适用时)X℃9带尾纤的器件:尾纤弯曲半径(规定距管壳的距离)rXXX带尾纤器件拉力松套结构:一沿光纤轴向的拉力—沿光纤轴向涂覆层拉力紧套结构:—沿光纤轴向的拉力F一XN XV测试条件Tamb或Tcase=25℃(除非另有说明)lIp或Φ。按规定XV2X3Ip或Φ。按规定XΩ4总电容VR,f按规定X4表2(续)测试条件Tamb或Tcase=25℃(除非另有说明)5噪声参数载噪比(适用时)Ip或Φe、fe△fn按规定Ip或Φ、f、△fN、fm、m按规定6Ip按规定(直流或脉冲或两者)Φ。按规定7Ip或φ,角Φ按规定08IF或Φ。,角Φ按规定X9光谱辐射带宽Ip或Φ.按规定X峰值发射波长λIp或Φ.按规定XX带宽开关时间一上升时间—下降时间—延迟时间(适用时)t(on)或Ip或Φ.按规定一一一Xpspspsa)提供1)或2)的典型曲线或系数;一尾纤(适用时);一光电二极管(适用时);一热传感器(适用时);—TEC元件(适用时)。5一光电二极管:Ge、Si、GaInAs(适用时);一热传感器:(适用时);—TEC元件(适用时)。一量子阱、应变量子阱等;一增益波导、拆射率波导、分布反馈等。a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准号;e)封装的散热信息。除非另有规定,激光器组件的极限值(绝对最大值)见表3。1XX℃2管壳温度XX℃3XX℃4焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离)X℃5尾纤弯曲半径(规定距管壳的距离)X6X7X8沿光缆轴向拉力—光纤拉力—光缆拉力紧套结构:—光缆拉力F XN9XVXXX6表3(续)XXVX热传感器(适用时)电压V热电致冷器(适用时)XA不带TEC致冷器的激光器组件,应给出序号10至序号13的降额曲线或降额因子。带TEC的激光器组件,Tsub等于除非另有说明,带TEC激光器,1Ip或Φ.按规定XV2阈值电流XX3阈值下的辐射功率X4(不带TEC的激光器组件)X5(不带TEC的激光器组件)φ。或△Ip按规定T=Tcase或TambXX6峰值发射波长调制下的光谱辐射带宽φ。或△Ip按规定,CW工作φ。或△Ip按规定,CW工作XX7附加光谱特性中心波长调制下的均方根带宽λΦ.或△Ip按规定Φ.或△Ip按规定φe或△Ip、调制条件按规定Φ。或△lp、调制条件按规定XXYD/T2001.1-2009表4(续)符号除非另有说明,带TEC激光器8光谱模宽φe或△lp、调制条件按规定Φ.或△Ip、调制条件按规定XX9△Ipi、△Ip、Φe、Φe₂按规定瞬态参数上升时间下降时间和(或)导通时间关断时间流、宽度和占空比按规定Φ。或△Ip按规定XXX暗电流Φe=0,Vr按规定XΦ。或△Ip、Vr按规定XX电容或上升时间,下降时间Φe或△Ip、Vr按规定和(或)XXC热敏电阻(适用时)阻值RDTEC电流(适用时)XXAVCW工作;8b)热敏电阻温度对致冷器电流变化的响应时间(适用时);c)激光二极管结与管壳之间的热阻(不带致冷器)Rtic;d)S₁参数;e)安全性见IEC60825-1:2007。6用于光纤系统或子系统的PIN光电二极管用于光纤系统或子系统,带或不带尾纤的环境额定或管壳额定的PIN光电二极管。6.2材料6.3外形图和封装的详细资料a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准号;b)封装方法:使用玻璃/金属/塑料/其他材料;c)引出端识别和引出端与管壳之间的任何电连接标记;d)光端口(光学窗口)特性:相对机械轴的方向、安装位置、面积、数值孔径等;e)带尾纤的器件:尾纤信息、光纤种类、包层种类、连接器、长度。6.4极限值除非另有规定,PIN光电二极管的极限值(绝对最大值)见表5。1XX℃2管壳温度3焊接温度(规定最长焊接时间和距管壳最短距离)X℃4XV5XW6X7带尾纤的器件:弯曲半径(规定距管壳的距离)rX8X9X带尾纤器件的拉力—沿着尾纤轴向的拉力—沿着光纤涂覆层上的拉力紧套结构—沿着尾纤轴向的拉力F XNXV9除非另有说明,Tamb或Tcase=25℃1暗电流暗电流按规定2总电容X3噪声电流X4响应度空间均匀性(适用时)XX5响应度X6带宽开关时间—上升时间—下降时间—延迟时间(适用时)tX除非另有说明,所有特性测试,VR应相同适用时;术语和/或字母符号正在考虑中一体材料、量子阱;一平面、台面。e)尾纤信息(适用时):光纤种类、包层种类、连接器、长度。1光纤弯曲半径(适用时)rX2XX℃3温度管壳温度4焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离)X℃5XW6适用时,沿尾纤轴向的最大拉力(光纤或光缆)FXN7X8X9XV1XXV2一3响应度响应度响应度4MX表8(续)除非另有说明,Tamb或Tcase=25℃5总电容X6导通时间和截止时间小信号截止频率VR、△λ、R、Del:峰值辐射功率、Xns7按规定X8噪声电流(适用时)X适用时;VRi应很小,在该值下产生的载流子倍增可以忽略不计,或在该电压下器件全耗尽,并达到器件的额定速度;术语/字母符号正在考虑中一封装信息:尾纤、适配器(与管壳连接)等。1XX℃23焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离)X℃4XXV5X6尾纤弯曲半径(规定距管壳最短距离)rX7X8X9沿光缆轴向的拉力—光纤拉力一光缆拉力紧套结构—光缆拉力FXNXV1电源电压XXV2电流(Tab最大)X3负载电阻XΩ除非另有说明,Tamb或Tcase=25℃X2X3Φe=0、R、fm、B、λp和△λ按规定XX4响应度响应度(组件)光电二极管)(适用时)λp、△λ、R、Φ.按规定5λ、△λ、Φ、R、f₁和f₂按规定X6带宽开关时间—上升时间tλ、△λ、Φel、Φe₂、RL按规定λp、△λ、Φe、R按规定X7电压偏移(适用时)λp、△λ、Φ。、RL按规定XXV8光电二极管)(适用时)Xb)偏移电压的典型热变化(适用时);—激光二极管;一光纤(适用时);—透镜(适用时);一光电二极管(适用时);一热传感器(适用时);—TEC元件(适用时);一隔离器(适用时)。一激光二极管:GaAs、GaAIAs、InGaAs、一光电二极管:Ge、Si、InGaAs等(适用时);一热传感器(适用时);—TEC元件(适用时)。一量子阱、应变量子阱等;a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准编号;123456789工作管壳温度工作热沉温度(适用时)焊接温度(应规定最高焊接时间和距管壳最短距离)尾纤弯曲半径(规定距管壳最短距离)沿光纤轴向的拉力松套结构一光纤拉力一光缆拉力一紧套结构一光缆拉力FX 表12(续)C光电二极管(适用时)D热传感器(适用时)电压PE热电致冷器(适用时)XAa不带TEC的激光器组件,应给出序号11或12参数的降额曲线或降额因子,带TEC的激光器组件,Tsub=25℃除非另有规定,带TEC激光器光器组件,Tamb或Tcase=25℃345阈值电流峰值发射波长光谱辐射的均方根带宽或光谱辐射的带宽(FWHM)的激光器组件)冷器的激光器组件)△λc或Φ.或Ip按规定Φ。按规定Φ.按规定,Tcase最大Φ.或△Ip按规定(AIp=Ip-ITH)Φ.或△Ip按规定,CW工作Φ。或△Ip按规定,CW工作△Ip、△Ip或Φe、Φ。按规定XXXVm表13(续)除非另有规定,带TEC激光器光器组件,Tamb或Tcase=25℃B监视光电二极管(适用时)678暗电流Φe=0,Vr按规定φ。或△Ip、Va按规定最小围:25℃至Tcase最大或TambXXXC热敏电阻(适用时)9阻值R热敏电阻电流I按规定DTEC元件(适用时)De或△Ip按规定,温度范围:XXAVCW-工作;b调制a)在规定管壳温度和输出功率时的中b)激光二极管的DC正向电流对应的Φe₀0;c)热敏电阻温度对致冷器电流变化的响应时间(适用时);d)激光二极管结和管壳间的热阻(不带致冷器的激光器组件)。—激光二极管;—尾纤(适用时);一光电二极管(适用时);一热传感器(适用时);—TEC元件(适用时);—隔离器(适用时)。一光电二极管:Ge、Si、InGaAs等(适用时);一热传感器(适用时);—TEC元件(适用时)。一量子阱、应变量子阱等;—分布反馈(DFB)、分布布喇格反射式(DRB)等。除非另有规定,用于光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管组件的极限值(绝对最大值)见表14。1234567工作管壳温度工作热沉温度(适用时)尾纤弯曲半径(规定距管壳最短距离)TsubTsidX℃8沿光纤轴向的拉力松套结构—光纤拉力—光缆拉力—光缆拉力FXN表14(续)9IpVC光电二极管(适用时)VD热敏电阻(适用时)阻值比值RE热电致冷器(适用时)XA不带TEC的激光器组件,应给出序号10或11参数的降额曲线或降额因子;带TEC的激光器组件,Tsub=25℃;b二个极性间123正向电压阈值电流VΦ.或Ip按规定X456789峰值发射波长-3dB光谱宽度(多模适用时)—20dB光谱宽度(单模适用时)复合二阶失真复合三阶失真双音二阶互调失真(适用时)双音三阶互调失真(适用时)RINCSOCTBRLΦ。或△Ig按规定Φ或△Ip按规定,CW工作Φ.或△Ip按规定,CW工作Φ.或△Ip按规定,CW工作φ.或△Ip按规定CW工作频率范围按规定率按规定Φe(输入)和λ按规定XXXYD/T2001.1-2009表15(续)除非另有说明,带TEC的激光器组件Tsub=25℃,不带TEC的激光器组件,Tamb或Tcae=25℃B监视光电二极管(适用时)暗电流跟踪误差(25→min.)跟踪误差(25→max.)总电容Φ。=0,VR按规定Φ。或△Ip、VR按规定Φ。或△Ip、Vr按规定,温度范围25℃至Tca最小或Tam最小围25℃至Tcase最大或Tamb最大Φe=0,频率和Vr按规定XXXXC热敏电阻(适用时)阻值R热敏电阻电流Ie按规定热敏电阻电流Ic按规定,温度范围Tsub⁶,Tsub°kDTEC元件(适用时)φe或△Ip按规定,温度范围:XXXAV℃△Ip被定义为:△Ip=Ip-I(TH);bCW-工作;调制b)激光二极管的DC正向电流对应的Φe₀0;c)热敏电阻温度对致冷器电流变化的响应时间(适用时);d)激光二极管结和管壳间的热阻(不带致冷器的激光器组件)。a)外形图应列出参考的IEC和(或)国家标准编号。123456789管壳温度焊接温度(规定焊接时间和距管壳最短距离)PtotrXXX℃V℃单位—光纤拉力一光缆拉力紧套结构—光缆拉力FXN仅适用于管壳额定器件;YD/T2001.1-2009除非另有说明,Tamb或Tcase=25℃23678峰值发射波长光谱辐射带宽发散角带宽开关时间一上升时间一下降时间—延迟时间总电容ta(on)和Ip按规定Ip或Φ按规定Ip或Φ.按规定Is或Φ。按规定Ip或Φ.按规定Ip或Φ。按规定直流偏置电流、脉冲宽度和占空比按规定Ip或Φ。按规定XXV—-Ω14电串扰RnGj-cCRφ、R、λp、△λ和频率按规定Φ、R、λp、△λ和频率按规定Ip按规定Ip、i、时钟频率和信号模式按规定Ip、i、时钟频率和信号模式按规定XdBdBdBdB注1:通道i的热串扰定义为("-Φ;)/Φi':—Φi”是从通道i发射的辐射功率,此时每一个通道(所有通道包括i通道)都被加上规定的IF(DC—Φi'是从通道i发射的辐射功率,此时仅有该通道被加上规定的IF(DC)。注2:器件(阵列)的热串扰CR,指所有串扰中的最大值“仅适用于不带尾纤的器件;6适用时;°通道的光串扰“i”,CRo(i)定义是Φ:/Φ:—φ是从通道“i”发射的功率,同时每一个通道(所有通道包括i通道)都被加上规定的Ip(DC)—φ是通道“i”发射的功率,此时仅有该通道被加上规定的Ip(DC);d通道“i”的电串扰定义为Φ/φ:一Φ/是通道“i”发射的平均光功率。此时所有其他通道都被加上相同的规定的驱动条件Ip,i—φi是从通道i发射的平均光功率。此时仅有该通道被加上规定的驱动条件Ip,ig,、时钟频率和信号一调制器(Mach-Zehnder型、电吸收型等);一输入和输出尾纤(适用时);一热
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