第1章-常用电子元器件

第1章常用电子元器件

1.1电子元器件概述1.2电阻器及电位器1.3电容器和电感器1.4半导体分立器件和集成电路习题习题参考答案8/7/20241CP第一章绪论1章常用电子元器件引言

电子元器件是元件和器件的总称，因此电子元器件包括电子元件和电子器件两部分。按分类标准，电子元件可分为11个大类。电子器件指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压和电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等)，所以又称有源器件。按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。8/7/20242CP第一章绪论1章常用电子元器件引言

电路板实物外形

8/7/20243CP第一章绪论1章常用电子元器件引言

电路板实物外形

8/7/20244CP第一章绪论1章常用电子元器件引言

常用电子元器件8/7/20245CP第一章绪论1章常用电子元器件引言

常用电子元器件8/7/20246CP第一章绪论1章常用电子元器件引言

国际知名集成电路生产厂商标识

8/7/20247CP第一章绪论1章常用电子元器件

常用的电子元器件包括:电阻器电容器电感器二极管三极管场效应晶体管集成电路。1.1电子元器件概述8/7/20248CP第一章绪论1章常用电子元器件1.1电子元器件概述8/7/20249CP第一章绪论1章常用电子元器件1.1电子元器件概述8/7/202410CP第一章绪论1章常用电子元器件1.1电子元器件概述8/7/202411CP第一章绪论1章常用电子元器件1.1电子元器件概述8/7/202412CP第一章绪论1章常用电子元器件

电阻器在电路中用“R”加数字表示，如R1表示编号为1的电阻器。电阻器在电路中的主要作用:

分流限流分压偏置等。1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202413CP第一章绪论1章常用电子元器件1．电阻器的分类

1)实心碳质电阻器

2)绕线电阻器

3)薄膜电阻器

(1)碳膜电阻器

(2)金属膜电阻器。

(3)金属氧化膜电阻器。

(4)合成膜电阻器1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202414CP第一章绪论1章常用电子元器件4)金属玻璃釉电阻器5)贴片电阻器6)敏感电阻器

(1)压敏电阻器

(2)湿敏电阻器

(3)光敏电阻器

(4)气敏电阻器

(5)力敏电阻器1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202415CP第一章绪论1章常用电子元器件2．电阻器的主要技术指标

1)额定功率电阻器的标称功率1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202416CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202417CP第一章绪论1章常用电子元器件

2)标称阻值1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202418CP第一章绪论1章常用电子元器件3)精度1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202419CP第一章绪论1章常用电子元器件

4)温度系数常使用温度系数来衡量电阻器温度稳定性。金属膜电阻器、合成膜电阻器具有较小的正温度系数，碳膜电阻具有负温度系数。

5)非线性流过电阻器中的电流与加在两端的电压不成比例变化时称该电阻器为非线性电阻。一般来讲金属型电阻器线性度较好，非金属型电阻器线性度差。1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202420CP第一章绪论1章常用电子元器件

6)噪声噪声为产生于电阻器中的一种不规则电压，它包括热噪声和电流噪声两种。任何电阻器都有热噪声，降低电阻器的工作温度可以减少热噪声，电流噪声与电阻器内的微观结构有关。

7)极限电压电阻器两端电压增加到一定值时，使电阻器过热，致使电阻器损坏。当电阻器两端所加电压升高到不允许再增加时的电压，称为极限电压。1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202421CP第一章绪论1章常用电子元器件3．电阻器的合理选用与质量判别

(1)选用电阻器的额定功率值，应高于在电路工作中实际值的0.5～1倍。

(2)应考虑温度系数对电路工作的影响，根据电路特点来选择正、负温度系数的电阻器。

(3)电阻器的精度、非线性及噪声应符合电路要求。

(4)考虑工作环境与可靠性、经济性等。1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202422CP第一章绪论1章常用电子元器件电阻器的质量判别可采用以下方法。

(1)看电阻器引线有无折断及外壳烧焦现象。

(2)用万用表电阻挡测量电阻器的阻值，合格的电阻器应稳定在允许的误差范围内，如超出误差范围或阻位不稳定，则不能选用。

(3)根据“电阻器质量越好，其噪声电压越小”的原理，使用电阻噪声测量仪测量电阻器噪声，判断电阻器质量的好坏。1.2电阻器及电位器

1.2.1电阻器8/7/202423CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.2电位器

电位器是一种可调电阻器，对外有三个引出端，一个为滑动端(也称中心抽头)，滑动端在两个固定端之间的电阻体上做机械运动，使其与固定端之间电阻发生变化.常见电位器外形

8/7/202424CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.2电位器

常见电位器外形

8/7/202425CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.2电位器

1．电位器的主要技术指标1)标称阻值2)额定功率常用电位器的额定功率系列有0.025、0.05、0.25、0.5、0.75、1、2、3。3)滑动噪声4)分辨力电位器对输出量可实现的最精细的调节能力，称为分辨力。5)阻值变化规律8/7/202426CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.2电位器

2．几种常用的电位器1)线绕电位器2)合成碳膜电位器3)有机实心电位器4)多圈电位器5)导电塑料电位器除上述各种接触式电位器外，电位器还有非接触式电位器，如光敏、磁敏电位器。8/7/202427CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.2电位器

3．电位器的合理选用及质量判别(1)普通电子仪器：采用碳膜或合成实心电位器。(2)大功率，高温情况：选用线绕、金属玻璃釉电位器。(3)高精度：选用线绕、导电塑料、精密合成碳膜电位器。(4)高分辨力：选用各类非线绕电位器、多圈式微调电位器。(5)高频、高稳定：选用薄膜电位器。(6)调节后不需再动的：选用锁紧式电位器。(7)精密、微量调节：选用带慢轴调节机构的微调电位器。(8)要求电压均匀变化；选用直线式电位器。(9)音量控制电位器：选用指数式电位器。

8/7/202428CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.2电位器

4．电位器的质量判别(1)用万用表电阻挡测量电位器两个固定端的电阻，并与标称阻值核对阻值。如果万用表指针不动或比标称值大的多，表明电位器已坏；如表针跳动，表明电位器内部接触不良。(2)测量电位器的滑动端与固定端的阻值变化情况。移动电位器的滑动端，若阻值从最小到最大之间连续变化，并且最小值越小越好，最大值接近标称阻值，说明电位器质量较好；如阻值间断或不连续，说明电位器滑动端接触不好，则不能选用。8/7/202429CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

1．电阻器和电位器的型号命名方法

8/7/202430CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法8/7/202431CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

1．电阻器和电位器的型号命名方法

8/7/202432CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

28/7/202433CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

贴片电阻器的命名方法例如5%精度的贴片电阻器命名为RS-05K102JT，1%精度的贴片电阻器命名为RS-05K1002FT，其中R表示电阻器，S表示功率，05代表贴片电阻器的型号为0805(0402、0603、0805、1206分别是贴片电阻器的型号，其外形尺寸与额定功率及最大工作电压有所不同)，02表示贴片电阻器的型号为0402、03表示贴片电阻器的型号为0603、06表示贴片电阻器的型号为1206。K表示温度系数为100×10-6。RS-05K102JT中的102表示该电阻器的阻值，前3位表示有效数字，第3位表示有多少个零。8/7/202434CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

8/7/202435CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

8/7/202436CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

2)色标法色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环3种标法。其含义分别如图1.6、图1.7和表1-10、表1-11所示。8/7/202437CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

8/7/202438CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

8/7/202439CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

8/7/202440CP第一章绪论1章常用电子元器件1.2电阻器及电位器

1.2.3电阻器和电位器的型号命名、标志内容及方法

三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如，色环为棕黑红，表示10×102＝1.0k

±20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称阻值(2位有效数字)及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15×103＝15k

±5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称阻值(3位有效数字)及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275×104＝2.75M

±1%的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其他环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其他色环的1.5～2倍。8/7/202441CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

1．电容器的主要技术参数1)标称容量及精度电容器的容量精度等级较低，一般误差约为±5%，最大可达－20%～＋50%2)额定电压常用固定式电容器的直流工作电压系列为6.3V、10V、16V、25V、40V、63V、100V、160V、250V、400V。3)介质损耗常用电容器损耗角的正切值来表示这一参数。4)温度系数云母电容器及瓷介电容器的稳定性最好，铝电解电容器的温度系数最大。多数电容器的温度系数为正值，个别类则电容器的温度系数为负值，如瓷介电容器。8/7/202442CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

常用的电容器标称系列与电阻器相同(见表1-5)。

8/7/202443CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

2．电容器的命名与分类1)型号命名方法电容器型号命名由4部分内容组成。其中第3部分用来补充说明电容器的某些特征，若无说明，则只需2部分组成，即2个字母和1个数字。电容器的型号命名如表1-12所示。8/7/202444CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

8/7/202445CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

8/7/202446CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

2)电容器的标志方法(1)直标法。例如：4n7表示4.7nF或4700pF，51表示51pF。有时用大于1的2位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100pF；用小于1的数字表示单位为μF的电容。(2)数码表示法。一般用3位数字来表示容量的大小，单位为pF。前2位为有效数字，后1位表示位率。即乘以10n，n为第3位数字，若第3位数字9，则乘109

。如223J代表22×103pF＝0.22

F，允许误差为±5%；(3)色码表示法。色码一般只有3种颜色，前2环为有效数字，第3环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，2个红色环涂成1个宽的，表示22000pF。8/7/202447CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

3．几种常见的电容器8/7/202448CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

8/7/202449CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

1)有机介质电容器(1)纸介电容器(型号CZ)。它是以纸作为介质，以金属箔作为电容器的极板卷绕而成的电容器。其特点为容量范围和耐压范围宽，成本低，但体积大，因而只适用于直流或低频电路中。(2)金属化纸介电容器(型号GT)。它是在电容纸上蒸发一层金属薄膜作为电极，然后烧制而成的电容器。它的参数与纸介电容器基本一致，但体积小。(3)有机薄膜电容器。此种电容器在结构上与纸介电容器基本一致，其介质是有机薄膜(如涤纶、聚丙烯等)。这种电容器无论体积、重量还是电参数，都比纸介电容器优越得多。8/7/202450CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

2)无机介质电容器瓷介电容器(型号CC)。瓷介电容器按其性能可分为低压小功率(低于1kV)和高压大功率(高于1kV)两种，低压小功率电容器常见的有瓷片、瓷管、瓷介独石等类型。

(2)云母电容器(型号CY)。云母电容器具有损耗小、可靠性高、性能稳定、容量精度高等优良电参数，它被广泛用于高频和要求高稳定度的电路中。

(3)玻璃电容器。这种电容器具有良好的防潮性和抗震性，能在200℃高温下长期稳定工作，其稳定性介于云母与瓷介电容器之间，其体积只有云母电容器的几十分之一。8/7/202451CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

3)电解电容器电解电容器以金属氧化膜为介质，以金属和电解质作为电容器的两极。金属为正极，电解质为负极。使用电解电容器时应注意极性，同时不能将电解电容器用于交流电路。由于电解电容器的介质是一层极薄的氧化膜，因而在相同容量和耐压条件下，其体积比其他电容器要小几个或十几个数量级，特别是低压电容器更为突出，这是任何电容器都不能与之相比的特点。在要求大容量的场合，均选用电解电容器。电解电容器的缺点也比较明显，损耗大，温度、频率特性差，绝缘性能差，漏电流大，长期存放容易干涸、老化等，因而除体积较其他电容器小以外，任何性能均远不如其他类型的电容器。常见的有铝电解电容、钽电解电容等。8/7/202452CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

电解电容器分类(1)铝电解电容器(型号CD)。铝电解是使用最多的一种通用型电解电容器，其额定电压一般为6.3～500V，容量为0.33～4700μF。(2)钽电解电容器(型号CA)。由于钽及其氧化膜的物理性能稳定，因而它比铝电解电容器的漏电小、寿命长，长期存放性能稳定，温度、频率特性好。但它比铝电解成本高，额定电压低(最高只有160V)。这种电容器主要用于一些电性能要求较高的电路，如积分电路、计时电路、延时开关电路等。钽电容器分有极性和无极性两种。8/7/202453CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

4)可变电容器微调电容器。这种电容器的特点是用螺钉调节两极金属片的距离以改变电容量，适用于如收音机等的振荡或补偿电路中。

(2)同轴可变电容器。其特点是定片组与支架一起固定，动片组联旋柄要自由旋动。这种电容器多用于收音机中。

8/7/202454CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

4．电容器的选用1)额定电压不论选用何种电容器，都不得使电容器耐电压值低于电路中的实际电压，否则电容器将会被击穿。2)标称容量及精度等级在确定容量时，根据设计电路计算的容量值，选定一个靠近的系列容量值的精度等级。3)介质损耗参数因此在高频电路或对信号相位要求严格的电路中应考虑该值的大小。4)体积在满足电路设计要求的前提下应选用体积小的电容器。5)成本在满足技术指标条件下，尽量使用价格低的电容器。8/7/202455CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

(6)在电路中安装电容器时，应使电容器的标志安装在易于观察的位置，以便核对和维修。

(7)电容器并联使用时，其总的电容量等于各容量的总和。

(8)电容器的串联可以增加耐压。

(9)有极性的电解电容器不允许在负压下使用，若超过此规定时，应选用无极性的电解电容器或将2个同样规格的电容器的负极相连，2个正极分别接在电路中，此时实际的电容量为2个电容器串联后的等效电容量。

(10)当电解电容器在较宽频带内作滤波或旁路使用时，为了改变高频特性，可为电解电容器并联一只小容量的电容器，它可以起到旁路电解电容器的作用。8/7/202456CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

(11)在500MHz以上的高频电路中，应采用无引线的电容器。若采用有引线的电容器，其引出线应愈短愈好。

(12)几只大容量电容器串联作滤波或旁路使用时，电容器的漏电流会影响电压的分配，有可能会导致某个电容器击穿。此时可在每只电容器的两端并联一个阻值小于电容器结缘电阻的电阻器，以确保每只电容器分压均匀。电阻器的阻值一般为～。

(13)使用可变电容器时，转动转轴时松紧程度应适中，有过紧或松动现象的电容器不要使用。除此之外，有碰片现象或短路的电容器也不应使用。

8/7/202457CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.1电容器

(14)使用微调电容器时，要注意微调机构的松紧程度，调节过松的电容器的容量不会稳定，而调节过紧的电容器极易发生调节时的损坏。

(15)在使用贴片电容器时要注意，普通贴片电容器上面没有任何文字，因为贴片电容器很多由于体积所限，不能标注其容量。所以一般都是在贴片生产时的整盘上标注有贴片电容器的容量(容量的识别参见贴片电阻器)。如果是单个的贴片电容器，则可以用电容测试仪测出它的容量。8/7/202458CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。8/7/202459CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

3．电感器电感量的标志方法1)直标法在电感器上直接标注电感值，其单位为H(亨)、mH(毫亨)、

H(微亨)。2)数码表示法方法与电容器的表示方法相同。3)色码表示法这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有4种颜色，前2种颜色为有效数字，第3种颜色为倍率，单位为

H，第4种颜色是误差位。

8/7/202460CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

4．两种常用的固定电感器1)小型固定电感器小型固定电感器有卧式和立式2种。这种电感器是将漆包线或丝包线直接绕在棒状、工字形、王字形等磁心上，外表裹覆环氧树脂或封装在塑料壳中。它具有体积小、重量轻、结构牢固(耐振动、耐冲击)、防潮性能好、安装方便优点。一般常用在滤波、扼流、延迟、陷波等电子线路中。2)平面电感器平面电感器是在陶瓷或玻璃基片上沉积金属导线而成的。它的稳定性、精度和可靠性均较好，可用于频率范围在几十兆赫到几百兆赫的电路中。8/7/202461CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

5．常用线圈

(1)单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。

(2)如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。

(3)铁氧体磁心和铁粉心线圈的电感量大小与有无磁心有关。在空心线圈中插入铁氧体磁心，可增加电感量和提高线圈的品质因素。8/7/202462CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

(4)铜心线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜心在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。

(5)色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。

(6)限制交流电通过的线圈称阻流圈(扼流圈)，分高频阻流圈和低频阻流圈。

(7)偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求是偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小。8/7/202463CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

8/7/202464CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

6．电感与磁珠的选择电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠可用来吸收超高频信号，如一些RF(射频)电路、PLL(锁相环)及振荡电路，含超高频存储器的电路(DDRRAM，SDRAM，RAMBUS等电路)都需要在电源输入部分加磁珠。8/7/202465CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

根据磁珠的应用场合，大致可将磁珠分为以下几种:

第1种为普通型。普通型磁珠用于电流不太大(一般小于600mA)，无特殊要求的场合，它的直流电阻一般为零点几欧。它能有效地抑制、吸收电子设备的电磁干扰和射频干扰。这种磁珠的阻抗范围一般为几欧到几千欧范围内。第2种为大电流型。此种型号磁珠应用于要求较大电流的场合，由于其应用于大电流的场合，因此就要求它的直流电阻必须很小，约小于普通型磁珠一个数量级，而其阻抗值一般也较小。

8/7/202466CP第一章绪论1章常用电子元器件1.3电容器和电感器

1.3.2电感器

第3种为尖峰型。此种型号的磁珠特性为在某一个频率区域内，其阻抗急剧上升，从而在特定的频率区域内可获得较高的衰减效果而对信号不产生影响。要想正确的选择磁珠，必须了解以下几点：(1)不需要的信号的频率范围为多少；(2)噪声源；(3)需要多大的噪声衰减；(4)环境条件是什么(温度，直流电压，结构强度)；(5)电路和负载阻抗是多少；(6)在PCB(印制电路板)上是否有空间放置磁珠。8/7/202467CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

1)国产半导体分立器件的命名法表1-13所示为国产半导体分立器件型号命名方法。半导体器件型号由5部分组成，但要注意场效应晶体管、特殊半导体器件、复合管和激光器件只能用表1-13中的第3、第4和第5部分表示。8/7/202468CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

8/7/202469CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

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1.4.1半导体分立器件

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1.4.1半导体分立器件

2)国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会半导体器件命名法如表1-14所示。

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1.4.1半导体分立器件

2)国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会半导体器件命名法如表1-14所示。

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1.4.1半导体分立器件

2)国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会半导体器件命名法如表1-14所示。

8/7/202474CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

示例(命名)：锗材料高频小功率三极管。

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1.4.1半导体分立器件

国际电子联合会晶体管型号命名法的特点。

(1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以2个字母开头，并且第1个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。

(2)第1个字母表示材料(A表示锗管，B表示硅管)，但不表示极性(NPN型或PNP型)。

(3)第2个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率三极管，D表示低频大功率三极管，F表示高频小功率三极管，L表示高频大功率三极管，等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

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1.4.1半导体分立器件

(4)第3部分表示登记顺序号。3位数字者为通用品；1个字母加2位数字者为专用品，顺序号相邻的2个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。

(5)第4部分字母表示同一型号的某一参数(如hFE或NF)进行分档。

(6)型号中的符号均不反映器件的极性(指NPN型或PNP型)。极性的确定需查阅手册或测量。8/7/202477CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

3)美国半导体器件型号命名法美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件型号的命名法，如表1-15所示。

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1.4.1半导体分立器件

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1.4.1半导体分立器件

美国晶体管型号命名法的特点。

(1)型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。

(2)组成型号的第1部分是前缀，第5部分是后缀，中间的3部分为型号的基本部分。

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1.4.1半导体分立器件

(3)除去前缀以外，凡型号以1N、2N、3N…开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其他国家制造的产品。

(4)第4部分数字只表示登记序号，而不含其他意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN型高频大功率三极管，而2N3465为N沟道场效应管。

(5)不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。

(6)登记序号数大的通常是近期产品。8/7/202481CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

4)日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件的型号，由5至7部分组成。通常只用到前5部分。前5部分符号及意义如表1-16所示。第6、第7部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第6部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号如下所示。M——松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。N——松下公司用来表示该器件符合日本广播协会(NHK)有关标准的登记产品。8/7/202482CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

Z——松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。H——日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。K——日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T——日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。G——东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S——三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第7部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R、G、Y等字母；日立公司常用A、B、C、D等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。

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1.4.1半导体分立器件

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1.4.1半导体分立器件

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1.4.1半导体分立器件

日本半导体器件型号命名法有如下特点。

(1)型号中的第1部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。

(2)第2部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。

(3)第3部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应管。但是，第3部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

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1.4.1半导体分立器件

(4)第4部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的2个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。8/7/202487CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

(5)第6、第7两部分的符号和意义各公司不完全相同。

(6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764简化为D764，2SC502A简化为C502A。

(7)在低频管(2SB和2SD型)中，也有工作频率很高的晶体管。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。

(8)日本通常把Pcm≥1W的晶体管，称做大功率管。8/7/202488CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

2．半导体器件的选用1)一般二极管的选用二极管按材料不同可分为锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管等，前2种二极管应用最广泛。其中锗管正向压降为

0.2～0.4V，硅管正向压降为0.6～0.8V。锗管的反向饱和漏电流比硅管大，锗管一般为数十至数百微安，而硅管为或更小。锗管耐高温性能比硅管差，锗管的最高工作温度一般不超过100℃，而硅管工作温度可达200℃。按结构不同可分为点接触型二极管与面接触型二极管，按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管、单向击穿二极(稳压二极管)、管变容二极管、发光二极管、光电二极管等。8/7/202489CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

选择二极管主要是根据用途来选择类型，根据电路要求来选择型号和参数。比如说要选择检波二极管，首先要考虑的参数应该是工作频率，应使其满足电路要求，可选用2APl～2APl9。若选择整流管，则主要考虑最大整流电流和最高反向工作电压应满足电路要求，一般整流二极管(包括硅单相桥)的工作频率在3kHz以下，而高频整流应选用高频整流管，其工作频率一般大于20kHz。在二极管的实际使用中应注意的是，硅管和锗管不能代替。同类型的二极管可以替换，但要注意参数选择，对于检波二极管，只要工作频率高于原来的二极管就可代换；对于整流二极管，只要反向耐压和正向电流高于被替换的二极管即可替换。

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1.4.1半导体分立器件

在进行二极管检测时，可根据二极管PN结的单向导电性原理，利用万用表测量二极管的正、反向电阻。对于模拟用万用表来说，红表笔接二极管负极、黑表笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红黑表笔对调，测得的是反向电阻。整流二极管与检波二极管既有共同之处即单向导电性，又有区别即工作电流大小不同。因此在用万用表检测整流管时，应首先使用R×1k挡检查单向导电性，然后用R×1挡复测一次。R×1k挡的测试电流很小，测出的正向电阻为几千欧至十几千欧，反向电阻则为无穷大；R×1挡测试电流较大，正向电阻应为几至几十欧，反向电阻仍为无穷大。在R×1挡利用读取电压法，还可以测出二极管的正向压降。

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1.4.1半导体分立器件

2)三极管的选用

(1)一般小功率三极管的选用。小功率三极管在电子电路中的应用最多，主要用于小信号的放大电路、控制电路或振荡器电路。选用三极管时首先要清楚电子电路的工作频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率为2MHz左右；而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右；UHF频段的最高振荡频率为1

000MHz左右。工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，所以在音频电子电路中使用这类三极管可不考虑fT这个参数。

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1.4.1半导体分立器件

小功率三极管反向击穿电压BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。当三极管的负载是感性负载时，如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重，感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2～8倍(如节能灯中的升压三极管)。一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V，所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。一般小功率三极管的集电极最大允许电流ICM为30～50mA，对于小信号电路一般可以不予考虑。但对于驱动继电器及推动大功率音箱的三极管要认真计算一下。当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安，以此来确定三极管的ICM。8/7/202493CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

当估算了电路中三极管的工作电流(即集电极电流)，又知道了三极管集电极到发射极之间的电压后，就可根据P=UI来计算三极管的集电极最大允许耗散功率PCM。国产及国外生产的小功率三极管的型号极多，它们的参数有一部分是相同的，有一部分是不同的。只要根据以上分析的使用条件，本着“大能代小”的原则(即BVCEO高的三极管可以代替BVCEO低的三极管；ICM大的三极管可以代替ICM小的三极管等)，就可对三极管应用自如了。8/7/202494CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

(2)大功率三极管的选用。对于大功率三极管，只要不是高频发射电路，都不必考虑三极管的特征频率fT。对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率三极管是一样的。对于集电极最大允许电流ICM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的。三极管的集电极最大允许耗散功率PCM是大功率三极管重点考虑的问题，需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器。即使是一只40～50W的大功率三极管，在没有散热器时，也只能经受2～3W的功率耗散。大功率三极管的选择还应留有充分的余量。另外在选择大功率三极管时还要考虑它的安装条件，以决定选择塑封管还是金属封装的三极管。8/7/202495CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

3．晶体三极管的检测常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图1.9所示，对于小功率金属封装三极管，将三极管按底视图位置放置，使3个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为ebc；对于中小功率塑料封装三极管，使其平面朝向自己，3个引脚朝下放置，则从左到右依次为ebc。8/7/202496CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

8/7/202497CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

晶体三极管质量检测可使用晶体管图示仪，在没有晶体管图示仪的情况下可以采用万用表进行测量。用指针式万用表对晶体管进行各种判断和检测，将万用表置于电阻R×1k或R×100挡，用黑表笔接晶体三极管的某一引脚(假设是基极)再用红表笔分别接另外两个引脚，可根据以下结果进行判别。8/7/202498CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

(1)如果2次表针指示的阻值都很大，表明该三极管是PNP型，其中黑表笔所接的那一引脚是基极。

(2)如果表针指示的2个阻值均很小，则说明这是一只NPN型三极管，黑表笔所接的那一引脚是基极。

(3)如果表针指示的2个阻值一次很大，一次很小，那么黑表笔所接的引脚就不是晶体三极管的基极，应换另外的引脚进行类似的测试，判定基极后就可以进一步判断集电极和发射极。仍然用万用表R×1k或R×100挡，将2个表笔分别接除基极之外的两电极。

8/7/202499CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

(4)如果是PNP型晶体管，用一个100k电阻器接于基极和红表笔之间可测得一电阻值，然后将两表笔交换，同样在基极和红表笔之间接一个100k的电阻器，又测得一电阻值，两次测量中阻值小的一次对应的是PNP型晶体管集电极，黑表笔对应的是PNP型晶体管发射极。

(5)如果是NPN型晶体管，电阻100k就要接在基极和黑表笔之间，同样电阻小的一次黑表笔对应的是NPN型晶体管的集电极，红表笔对应的是NPN型晶体管发射极。

(6)在测试中也可以用潮湿的手指代替100k电阻器，握住集电极与基极，注意测量时不要让集电极与基极碰在一起，以免损坏晶体管。8/7/2024100CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

4．场效应管的选用场效应管是一种电场控制器件，其最大特点是输入阻抗高，一般在信号源内阻很高时，为了得到较好的放大作用和低噪声，应选用场效应管。场效应管有结型和绝缘栅型(MOS管)两大类，选择场效应管时，一般从跨导gm、最大栅源电压BVDS、最大功耗PD等几个方面考虑。

MOS管输入阻抗很高，为防止感应过电压而击穿，保存时应将3个电极短路；焊接或拆焊时，应先将各极短路，先焊漏、源极，后焊栅极，烙铁应接好地线或断开电源后再焊接。8/7/2024101CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

由于绝缘栅型场效应晶体管极易因产生感应电压而击穿损坏，所以都有比较严格的包装。型号标志失掉的很少，如果不明型号、包装不好或没有包装的绝缘栅型场效应管，一般都已损坏，没有必要再进行电极判别。对于结型场效应晶体管的电极判定一般选万用表的R×1k挡，用黑表笔接触一只电极，红表笔分别接触其余两只电极，测其电阻，若电阻基本相等，交换红黑表笔再测一次；若阻值又基本相等且2次测得的阻值一次很小，一次很大；则可说明：该结型场效应管质量较好，如果第1次测得的阻值较小，则此时黑表笔接的是N沟道型场效应管的栅极G；如果第1次则得的阻值较大，则黑表笔接的是P沟道型场效应管的栅极G。结型场效应管漏极D和源极S可互换，没有必要判定。8/7/2024102CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.1半导体分立器件

测量结型场效应晶体管的放大倍数

一般选万用表的R×100或R×1k挡，用红黑表笔分别接触源极S和漏极D，用手捏栅极S，观察表针偏转幅度，幅度越大说明放大能力越强。场效应晶体管应用于各种场效应管放大电路，选用时应了解管子的特性针对电路来选择，更换时应同参数同类型。8/7/2024103CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

所谓集成电路就是把一个单元电路或一些功能电路，甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片上，再封装在一个便于安装、焊接的外壳中的电路。集成电路有膜(薄膜、厚膜)集成电路、半导体集成电路及混合集成电路。半导体集成电路是利用半导体工艺将一些晶体管、电阻器、电容器以及连线等制作在很小的半导体材料或绝缘基片上，形成一个完整电路，封装在特制的外壳中，从壳内向壳外接出引线，半导体集成电路常用IC表示。8/7/2024104CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

任何一种封装形式的集成电路，如果将其外壳小心的剖开，就可以看到管壳底座内部有一个个被隔离槽分割的小小的N形“孤岛”，这就是IC半导体硅芯片。集成电路中的晶体管、电阻器、电容器等元器件都制作在这芯片上。一般简单的IC，一个芯片至少有几十至数百个元器件，复杂的IC，一个芯片有成千上万乃至亿万个元器件。在芯片的表面是金属铝引线，通过这些引线将彼此绝缘的元件连接构成具备一定功能的电路，并通过一些细丝从有关的铝引线引出，将芯片与管壳电极连接起来，从而制成使用便于插接、焊接的集成电路。8/7/2024105CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两类，而具体功能是数不胜数，其应用遍及人类生活的方方面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模、中规模、小规模三类。其封装又有许多形式，其中“双列直插式”和“单列直插式”的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC，精密产品中用贴片封装的IC等。

8/7/2024106CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

对于CMOS型IC，特别要注意防止静电击穿，最好也不要用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数，如工作电压，散热等。数字IC多用＋5V的工作电压，模拟IC工作电压各异。集成电路有各种型号，其命名也有一定规律。一般是由前缀、数字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及类别，后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种。LM386N是美国国家半导体公司的产品，LM代表线性电路，N代表塑料双列直插。8/7/2024107CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

集成电路的选用集成电路型号众多，随着科学技术的发展，又有更多功能更强、集成度更高的集成电路涌现，为电子产品的生产制作带来了方便。在设计制作时，若没有专用的集成电路可以应用，就应该尽量选用应用广泛的通用集成电路，同时考虑集成电路的价格和制作的复杂度。8/7/2024108CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

1．集成电路的分类集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间变化的信号，如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等)，而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散采样的信号，如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号)。集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。膜集成电路又分为厚膜集成电路和薄膜集成电路。8/7/2024109CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路SSI、中规模集成电路MSI、大规模集成电路LSI和超大规模集成电路VLSI。集成50个以下元器件的为小规模集成电路，集成50～100个元器件的为中规模集成电路，集成100～10

000个元器件的为大规模集成电路，集成10

000个以上元器件的称为超大规模集成电路。集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。8/7/2024110CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟(光盘)机用集成电路、录像机用集成电路、电子计算机(以下简称计算机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路，中放集成电路，伴音集成电路，彩色解码集成电路，AV/TV转换集成电路，开关电源集成电路，遥控集成电路，丽音解码集成电路，画中画处理集成电路，微处理器集成电路，存储器集成电路等。8/7/2024111CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路、电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。8/7/2024112CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

2．集成电路的封装集成电路按封装外形来分，一般可分为金属壳圆形封装、单列直插式封装、扁平式封装及双列直插式封装4类，如图1.10、图1.11所示。8/7/2024113CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

1)双列直插式封装(DIP)

采用DIP(DualIn-linePackage，双列直插)形式封装的集成电路芯片，如图1.10(d)所示，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点。(1)适合在PCB(印制电路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。8/7/2024114CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

2)塑料方形扁平式封装(QFP)和塑料扁平组件式封装(PFP)

QFP(PlasticQuadFlatPackage)方式封装的芯片引脚之间距离很小，引脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD(表面安装设备技术)将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各引脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。

8/7/2024115CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

PFP(PlasticFlatPackage)方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。常见塑料方形扁平式封装如图1.11(a)所示。QFP/PFP封装具有以下特点。(1)采用SMD在PCB上安装布线。(2)适合高频使用。(3)操作方便，可靠性高。(4)芯片面积与封装面积之间的比值较小。8/7/2024116CP第一章绪论1章常用电子元器件1.4半导体分立器件和集成电路

1.4.2集成电路

3)插针网格阵列(PGA)封装

PGA(PinGridArray)封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚的数目，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门