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Characteristicsofdiode二极管的特性电子技术刘丽莎二极管的伏安特性01二极管的主要参数02二极管的伏安特性01二极管的伏安特性伏安特性二极管两端外加电压与流经二极管的电流之间的关系正向特性反向特性+–+–ui+–+–ui非线性ui正向特性反向特性①正向死区

死区电压硅管0.5V,锗管0.1V外加正向电压大于死区电压二极管才能导通导通电压硅管0.5-0.7V，锗管0.2-0.3V②正向导通区③反向截止区④反向击穿区反向击穿电压UBR齐纳击穿雪崩击穿热击穿外加反向电压大于反向击穿电压二极管被击穿二极管的四种工作状态正向死区正向导通区反向截止区反向击穿区平时我们说二极管的单向导电性指的就是“正向导通区”和“反向截止区”这两个常用的工作状态二极管的主要参数02二极管的主要参数最大整流电流IF二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。额定正向工作电流IFM二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向电流。二极管的主要参数最高反向工作电压URM允许加在二极管两端的最大反向电压。一般为击穿电压的1/2或2/3。ui最高反向工作电压URM反向击穿电压UBR二极管的主要参数反向漏电流IR二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。反向漏电流IR二极管的主要参数最高工作频率fm二极管正常工作的上限频率。由于二极管存在结电容，超过最高工作频率的二极管相当于一直导通，将失去单向导电的特性。常见二极管的主要参数及选型参数型号IFM(mA)VRM(V)IR(μA)fMCj(pF)备注2AP12AP91682010≤250≤200150MHz100MHz≤1点接触型锗二极管2CZ52A2CZ52D10010025200≤1003kHz面接触型硅整流二极管2CZ55C2CZ56E10003000100300≤500≤10003kHz面接触型硅整流二极管1N40011N40021N540310001000300050100200<5<5<10国外型号硅整流二极管最高反向工作电压额定正向工作电流最高工作频

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