GB/T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统（SoC）（正式版）

ICS31.200国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会IGB/T42835—2023本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。1半导体集成电路片上系统(SoC)本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T191包装储运图示标志GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检GB/TGB/TGB/TGB/TGB/TGB/T4937.13半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐雾4937.14半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)4937.15半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性4937.23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)GB/T17574—1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路GB/T17626.2—2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验IEC60749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封(Semiconductordevices—Me-IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性(SemiconductorIEC60749-28半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电(ESD)敏感度测试带2Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—ChargedIEC60749-36半导体器件机械和气候试验方法第36部分：稳态加速度(Svices—Mechanicalandclimatic传输室和宽带横电磁波传输室法(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,circuits—Measurementofelectromagneticemissions—Part3:Measurementofradiatedemissions—IEC61967-4集成电路电磁发射测量第4部分：传导发射测量10/150Ω直接耦合法(Inte-gratedcircuits—Measurementofelectromagnetsions—10/150Ωdirectcouplin横电磁波传输室法(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity—Part2:Meas-urementofradiatedimmunit(IntegratedcircuitsIEC62215-3集成电路脉冲抗扰度测量第3部分：非同步瞬态注入法(Integratedcircuits—Measurementofimpulseimmunity—Part3:Non-synchronoustransientinjectionmethod)GB/T9178界定的以及下列术语和定义适用于本文件。片上系统(SoC)工作温度宜为以下温度范围，在此温度范围内片上系统(SoC)可以正常工作：a)0℃~70℃;b)—40℃~85℃;c)—40℃~105℃;d)—40℃~125℃;3GB/T42835—2023e)—55℃~125℃;贮存温度范围宜比工作温度范围更宽。片上系统(SoC)的贮存温度宜为：-65℃~150℃。片上系统(SoC)应根据特定应用实现系统功能，并应具备满足功能需求的嵌入式软件。其处理器、片上系统(SoC)宜满足以下要求。b)提供休眠功能。c)提供复位功能。d)提供中断机制。e)拥有1种或1种以上与外界的交互能力。掉电不损坏已有数据的完整性与正确性。g)支持完整的指令系统，所有功能模h)保证程序数据和用户数据不被非法用户获取。满足应用场景要求。5.1一般说明a)相对湿度：25%～75%(适用时);a)环境温度；b)电源电压；c)输入数字波形激励；d)期望输出波形；4GB/T42835—2023e)电压或电流条件；片上系统(SoC)的电测试不限定测试方式和设备，但是推荐在集成电路自动测试机(ATE)上进行。当片上系统(SoC)功能需要配置外围电路才能进行验证时，应设计必要的仿真验证电路板完成板级测试。必要时，片上系统(SoC)应采取可测性设计。测试所使用的向量宜有产生该向量的电子设计自动化(EDA)工具生成的统计报告，在报告中应具有EDA工具对向量实现的测试覆盖率的统计。静态特性、动态特性应按照GB/T17574—1998第IV篇的规定进行测试。5.5功能测试a)运行测试：在片上系统(SoC)上电过程中施加标称电平范围以内的电压，工作过程中电平可以定义的各项功能。b)休眠测试：能通过特定指令使片上系统(SoC)进入休眠状态(休眠状态下片上系统(SoC)对命令的执行及运行功耗明显区别于正常工作状态),且能通过特定指令使片上系统(SoC)结束休c)交互测试：针对片上系统(SoC)支持的交互方法所包含的各种交互协议进行测试，测试结果能明确表达交互是否成功。d)存储测试：通过指令完成存储器特定数据的写入与读出功能验证，并在存储器操作的任意时e)数据安全测试：验证片上系统(SoC)保存的数据是否能够抵御功耗分析(功耗分析指通过大量算法运行实例来观察电流变化从而归纳出用户关键数据)。按规定启动BootLoader,应能通过全部可用接口完成所有指令检测。通过并发程序(多进程程序)在多核CPU上运行的时间判断其同构核的数量。5GB/T42835—2023采用周期法测算CPU核的频率。常跳转执行中断程序。入复位状态。将与内部非易失性存储器可用空间大小相同的数据下载到内部非易失性存储器空间，写入后校验确定内部随机存取存储器程序占用空间及剩余空间，指定地址将数据写入内部随机存取存储器剩按规定通过片上系统(SoC)的一种通信接口向片上系统(SoC)内部存储器写入特征数据，通过另一通过验证被测接口与标准接口设备或被测接口之间的数据收发的功能确认接口功能是否正常。通过测量被测接口的电参数确认接口电参数是否符合要求。6检验规则6.2质量评定类别a)I类：该类的批符合A组和B组逐批检验要求以及C组周期检验要求；b)Ⅱ类：该类的批符合A组和B组逐批检验要求以及C组和D组周期检验要求；c)Ⅲ类：该类的批需进行100%筛选，并符合A组和B组逐批检验要求以及C组和D组周期检验要求。6GB/T42835—2023抽样应按表1和表2的规定进行。分组LTPD"AQLI类Ⅲ类I类Ⅲ类A1A2A2aA2bA3A3aA3bA4A4aA4b715333233577333233577ⅡⅡⅡ—ⅡⅡⅡⅡⅡⅡⅡⅡⅡLTPD指批允许不合格品率，最大合格判定数为4。分组I类Ⅲ类筛选等级AⅡ类和Ⅲ类筛选等级B和DD13～D19(不适用)555“LTPD指批允许不合格品率，最大合格判定数为2。指器件引出端数，分配给至少4只器件。7GB/T42835—2023质量一致性检验由本文件规定的A组(见表3)、B组组(见表6)检验组成。分组检验或试验引用标准或条件极限值A1外部目检GB/T4937.3A225℃下功能验证A2"最高工作温度下功能验证(不适用于I类)"A2b最低工作温度下功能验证(不适用于I类)#TA=TA(min)或Tc=Te(min)A325℃下静态特性—A3a最高工作温度下静态特性极限值可以与A3分组不同A3b最低工作温度下静态特性TA=TA(min)或Tc=Tc(min)极限值可以与A3分组不同A425℃下动态特性A4a最高工作温度下动态特性(不适用于I类)“极限值可以与A4分组不同A4b最低工作温度下动态特性(不适用于I类)"TA=TA(min)或Tc=Tc(min)极限值可以与A4分组不同如果制造厂商能定期证明2个极限温度下的试验结果与25℃下的试验结果相关，则可使用25℃下的结果。8GB/T42835—2023分组检验或试验引用标准条件尺寸—可焊性(D)按规定(仅适用于空封器件)密封非空封器件和环氧封接的空封器件温度快速变化随后：·外部目检·强加速稳态湿热按规定10次循环，贮存温度范围130℃,相对湿度85%,96h;110℃,相对湿度85%,264h;寿命电测试件按详细规范的规定放行批证明记录就B4、B5和B8分组提供计数检测结果分组检验或试验引用标准条件尺寸C2cESD(D)HBMMMCDM电测试GB/T4937.26GB/T4937.27IEC60749-28按规定按规定按规定引出端强度(D)GB/T4937.14按相应封装的规定耐焊接热GB/T4937.15按规定9GB/T42835—2023分组检验或试验引用标准条件温度快速变化a)空封器件温度快速变化随后：电测试密封b)非空封器件和环氧封接的空封器件(D)温度快速变化随后：外部目检强加速稳态湿热电测试GB/T4937.11GB/T4937.11GB/T4937.3GB/T4937.4100次循环，贮存温度范围按规定500次循环，贮存温度范围130℃,相对湿度85%,96h;110℃,相对湿度85%,264h;C5a盐雾GB/T4937.13恒定加速度(对空封器件)IEC60749-36按规定稳态湿热a)空封器件b)非空封器件和环氧封接的空封器件(D)随后：电测试IEC60749-24IEC60749-24严酷度：I类21d,Ⅱ类和Ⅲ类56d;严酷度：I类500h,Ⅱ类和Ⅲ类1000h寿命电测试GB/T4937.23最高工作温度，时间：1000h,偏置条件按详细规范的规定高温贮存电测试1000h,T,最大值C11标志耐久性CRRL放行批证明记录—就C3、C4、C6、C7和C11分组提供计数检查结果C组检验半年进行一次。GB/T42835—2023分组检验或试验引用标准条件D8寿命(I类不适用)电测试GB/T4937.23时间：4000h,条件按详细规范的规定D13电磁抗扰度-辐射抗扰度(横电磁波传输室和宽带横电磁波传输室法)试验频率范围、干扰场强条件按详细规范的规定D14电磁抗扰度(射频功率直接注入试验频率范围、干扰信号功率强度条件按详细规范的规定D15脉冲抗扰度(非同步瞬态注入干扰波形按GB/T17626.4—2018驻留时间、电压强度等级、频率按详细规范的规定D16静电放电抗扰度静电波形按GB/T17626.2—2018每个管脚放电一次，电压等级要