• 现行
  • 正在执行有效
  • 2011-03-14 颁布
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【正版授权】 IEC 62047-8:2011 EN-FR Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 62047-8:2011 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件-微机电器件-第8部分：用于测量薄膜拉伸性能的带状弯曲试验方法
  • 英文名称：Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2011-03-14

文档简介

薄膜拉伸性能测量条带弯曲试验方法的内容如下：

1.**范围**：该标准规定了用于测量薄膜拉伸性质的单向弯曲试验方法。它适用于半导体设备中的微机电系统（MEMS）部件。

2.**试验设备**：需要一台能够精确控制温度和位移的试验机，以及一个用于测量薄膜变形和应力的测量系统。

3.**试验步骤**：首先，需要制备样品，通常是将薄膜沉积在基底上制成的MEMS部件。然后，将样品放置在试验机上，使其受到单向弯曲。这会导致薄膜产生拉伸应力。接着，测量薄膜的变形和应力，以确定其拉伸性质。

4.**结果解释**：试验结果将包括薄膜的拉伸强度和延伸率等参数。这些参数可以用于评估薄膜的质量和MEMS部件的性能。

5.**注意事项**：在进行试验时，需要注意控制温度和加载速度，以避免对薄膜和MEMS部件造成损害。此外，还需要确保试验机能够精确控制位移，以获得可靠的结果。

以上是IEC62047-8:2011EN-FR半导体设备-微机电系统-第8部分：薄膜拉伸性能测量条带弯曲试验方法的主要内容。该标准对于理解和评估薄膜在MEMS部件中的性能非常重要。

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