• 现行
  • 正在执行有效
  • 2019-11-13 颁布
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【正版授权】 IEC 60747-9:2019 EN-FR Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 60747-9:2019 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件 第9部分：分离器件——绝缘栅双极晶体管（IGBT）
  • 英文名称：Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2019-11-13

文档简介

IEC60747-9是关于半导体器件的国际标准，其适用于各种类型的半导体设备，包括二极管、晶体管和集成电路等。这个标准主要关注于这些设备的电气性能、制造工艺、安全要求和测试方法等。

具体到IEC60747-9:2019EN-FRSemiconductordevices-Part9:Discretedevices-Insulated-gatebipolartransistors(IGBTs)，它主要涵盖了以下内容：

*IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的定义和分类：IEC60747-9标准定义了IGBT的基本结构和功能，并对其进行了分类，以便于理解和使用。

*电气性能：标准详细描述了IGBT的电气特性，包括其输入/输出特性、开关性能、耐压强度、热性能等。这些性能参数对于选择和使用IGBT至关重要。

*制造工艺：IEC60747-9标准也涵盖了IGBT的制造工艺，包括材料选择、制造流程、质量控制等方面的要求。这些信息对于半导体制造商来说非常重要，可以帮助他们确保生产出的IGBT符合标准要求。

*安全要求：IEC60747-9标准还规定了IGBT的安全要求，包括过热保护、静电保护、电气隔离等方面的规定。这些要求旨在确保IGBT在使用过程中不会对人员和设备造成伤害或损坏。

*测试方法：标准还提供了IGBT的测试方法，包括电气性能测试、耐压强度测试、热性能测试等方面的规定。这些测试方法可以帮助制造商验证其产品的质量和可靠性。

IEC60747-9:2019EN-FRSemiconductordevices-Part9:Discretedevices-Insulated-gatebipolartransistors(IGBTs)标准对于理解和使用IGBT非常重要，

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