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  • 已被新标准代替
  • 2004-09-24 颁布
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【正版授权-英/法语版】 IEC 60747-8-4:2004 EN-FR Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 60747-8-4:2004 EN-FR
  • 标准名称：离散半导体器件 第8-4部分：用于功率开关应用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
  • 英文名称：Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications
  • 标准状态：被代替
  • 发布日期：2004-09-24

文档简介

IEC60747-8-4标准主要涉及到适用于电力开关应用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的标准规格和要求。这个标准对于MOSFETs的设计、制造、性能、安全和可靠性等方面都提出了非常详细的规定和要求。

在设计和制造方面，标准要求制造商必须采用特定的材料、工艺和设计规则，以确保MOSFETs的电气性能、热性能、机械性能和可靠性等方面都符合标准的要求。

在性能方面，标准规定了MOSFETs的各种电气参数，如漏源电压、栅极电荷、开关速度、通态电阻等，并对这些参数的测量方法和测试条件进行了详细的规定。

在安全和可靠性方面，标准要求制造商必须进行一系列的电气安全和环境适应性测试，以确保MOSFETs在实际应用中能够满足安全和可靠性的要求。

此外，标准还涉及到MOSFETs的包装、标识、质量保证、维修和替换等方面的规定和要求。制造商必须按照标准的要求进行生产和销售，以确保产品的质量和可靠性。

IEC60747-8-4标准是适用于电力开关应用的MOSFETs的重要标准，它规定了MOSFETs的设计、制造、性能、安全和可靠性等方面的要求，为制造商提供了

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