知道智慧网课《半导体物理》章节测试答案

第一章单元测试1【判断题】如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为直接禁带半导体，否则称为间接禁带半导体。（）A.错B.对2【单选题】(2分)以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）。A.GeB.GaAsC.GaND.Si3【单选题】(2分)半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于_____结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_____和_____等两种晶格结构。（）A.纤锌矿，金刚石，闪锌矿B.黄铜矿，闪锌矿，纤锌矿C.金刚石，闪锌矿，纤锌矿D.黄铜矿，金刚石，纤锌矿4【判断题】间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为肖特基缺陷；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为弗仑克耳缺陷。（）A.错B.对5【单选题】(2分)从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。（）A.直接带隙，间接带隙B.直接带隙，直接带隙C.间接带隙，直接带隙D.间接带隙，间接带隙第二章单元测试1【单选题】(2分)薛定谔波动方程（）。A.是量子力学的一个基本假定B.是有数学严格推导而得C.可用来描述粒子的产生或湮灭现象D.对粒子运动过程的描述是不可逆的2【判断题】量子力学只是描述微观世界运动规律的科学。（）A.错B.对3【判断题】量子力学仅讨论在经典物理中存在的力学量。（）A.错B.对4【判断题】量子力学中，针对具体量子状态，不同力学量不能同时有确定值。（）A.错B.对5【判断题】量子力学的建立始于人们对光的波粒二象性的认识。（）A.错B.对第三章单元测试1【单选题】(2分)锗的晶格结构和能带结构分别是（）。A.闪锌矿型和间接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.金刚石型和直接禁带型2【单选题】(2分)与半导体相比较.绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。A.比半导体的小B.与半导体的相等C.不确定D.比半导体的大3.【多选题】正确答案：AB半导体导带中的电子浓度取决于导带的（）。A.状态密度B.费米分布函数C.禁带宽度D.电子的有效质量4【判断题】与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（）A.错B.对5【判断题】砷化镓是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）A.对B.错第四章单元测试1【单选题】(2分)如果一半导体的导带中发现电子的几率为零.那么该半导体必定（）。A.不含任何杂质B.不含施主杂质C.处于绝对零度D.不含受主杂质2【单选题】(2分)对于只含一种杂质的非简并n型半导体.费米能级EF随温度上升而（）。A.经过一个极大值趋近EiB.单调上升C.单调下降D.经过一个极小值趋近Ei3【单选题】(2分)把磷化镓在氮气氛中退火.会有氮取代部分的磷.这会在磷化镓中出现（）。A.改变禁带宽度B.产生复合中心C.产生空穴陷阱D.产生等电子陷阱4【单选题】(2分)杂质对于半导体导电性能有很大影响.下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。A.硼或磷B.金或银C.硼或铁D.铁或铜5【单选题】(2分)若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。A.不含受主杂质B.不含任何杂质C.不含施主杂质D.处于绝对零度第五章单元测试1【单选题】(2分)有效复合中心的能级必靠近（）A.导带B.禁带中部C.费米能级D.价带2.【多选题】正确答案：ABCDEF半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）。A.中性杂质散射B.位错散射C.等价能谷间散射D.晶格振动散射E.电离杂质散射F.载流子间的散射3【单选题】(2分)半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。A.扩散运动B.共有化运动C.热运动D.漂移运动4【单选题】(2分)载流子在电场作用下的运动为（）。A.热运动B.共有化运动C.漂移运动D.扩散运动5【单选题】(2分)半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的（）。A.复合机构B.散射机构C.晶体结构D.能带结构第六章单元测试1【单选题】(2分)对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（）。A.平衡载流子浓度成正比B.非平衡载流子浓度成反比C.非平衡载流子浓度成正比D.平衡载流子浓度成反比2【判断题】一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）A.错B.对3【判断题】在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）A.对B.错4【单选题】(2分)电中性是内建电场产生的原因。只要破坏了电中性，就会产生扩散与漂移电流并存的情形，（）会导致内建电场。A.载流子浓度不均匀B.半导体受外界的影响程度不均C.选项ABC都是D.非平衡载流子的注入第七章单元测试1【判断题】强电场效应会使半导体器件的载流子速度达到饱和，还可能使载流子成为热载流子，影响器件性能。半导体器件的热载流子由于具备高能量，常常会导致载流子进入介质层；热载流子可与晶格发生碰撞电离，利用这一原理可以制备雪崩二极管器件。（）A.对B.错2【判断题】太阳能电池本身就是一个pn结。（）A.对B.错3【单选题】(2分)影响pn结内建电势差的因素有__________等参数，在相同条件下半导体材料Si、Ge和GaAs中__________的内建电势差VD最大。（）A.掺杂浓度、温度、材料，GaAsB.掺杂浓度、材料，SiC.掺杂浓度、温度、PN结的面积，GaAsD.掺杂浓度、温度，Ge4【单选题】(2分)太阳能电池工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限。A.IB.IIC.IIID.IV5.【多选题】正确答案：BC反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有（）。A.电击穿B.隧道击穿C.雪崩击穿D.热击穿第八章单元测试1【单选题】(2分)当pn结作为光电二极管使用时，经常加反向偏置作为电流源，这时它工作在I-V曲线的第__象限。（）A.一B.四C.二D.三2【判断题】强电场效应会使半导体器件的载流子速度达到饱和，还可能使载流子成为热载流子，影响器件性能。半导体器件的热载流子由于具备高能量，常常会导致载流子进入介质层；热载流子可与晶格发生碰撞电离，利用这一原理可以制备雪崩二极管器件。（）A.错B.对3【判断题】PIN光电二极管I区空间电荷区较大，瞬时光电流会比普通光电流大很多。（）A.对B.错4【判断题】在pn结中，p区的多子是空穴，少子是电子。（）A.错B.对5【判断题】光探测器在pn结电流电压特性曲线中的工作区间与太阳能电池相同。（）A.错B.对第九章单元测试1【单选题】(2分)金属和半导体接触分为（）。A.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触2【单选题】(2分)MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。A.不同B.相同C.无关3【单选题】(2分)如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表______，CD段代表______。（）A.多子积累；多子耗尽；B.多子积累；少子反型；C.平带状态；多子耗尽；D.多子耗尽；多子积累；4【单选题】(2分)金属和半导体接触分为（）。A.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触第十章单元测试1【判断题】增强型场效应晶体管在栅极不加偏压时，沟道处于导通状态。（）A.对B.错2【单选题】(2分)制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，室温下时的EF位于导带底下方0.026eV处，半导体的状态为（）。A.非简并B.强简并C.简并D.弱简并3【单选题】(2分)结型场效应晶体管包括下面哪种器件（）。A.T-FETB.Fin-FETC.MESFETD.IGBT4【单选题】(2分)MESFET场效应晶体管的M表示（）。A.金属栅B.漏区C.源区D.半导体5.【多选题】正确答案：ABCD理想的晶体管特性有（）。A.在放大区特性曲线间的间隔是均匀的B.零漏电流关断状态下阻断电压C.增益与正向电流和电压无关D.零压降下传导电流第十一章单元测试1【判断题】光电探测器的灵敏度主要取决于其暗电流大小。（）A.错B.对2【单选题】(2分)一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度.这是因为载流子浓度主要来源于_________，而将_________忽略不计。（）A.杂质电离，本征激发B.本征激发，受主电离C.施主电离，本征激发D.本征激发，杂质电离3【单选题】(2分)在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。A.禁带是间接跃迁型B.禁带是直接跃迁型C.禁带较宽D.禁带较窄4.【多选题】正确答