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元素半导体的杂质和缺陷

正电中心●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●

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●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●Si●P对于Si中的P原子，剩余电子的运动半径：r

~65ÅSi的晶格常数为5.4Å○对于Ge中的P原子，r

85ÅP原子中这个多余的电子的运动半径远远大于其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱束缚成为自由电子。施主杂质:束缚在杂质能级上的电子被激发到导带Ec成为导带电子，该杂质电离后成为正电中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。施主杂质具有提供电子的能力。导带电子电离施主P+对氢原子氢原子中电子的能量设施主杂质能级为ED施主杂质的电离能△ED：即弱束缚的电子摆脱束缚成为晶格中自由运动的电子（导带中的电子）所需要的能量。

施主的电离能施主电离能：

△ED=EC-ED

△ED=EC-ED

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