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半导体的晶体结构和结合性质

2半导体的晶体结构和结合性质按组成分：无机半导体：元素、化合物有机半导体按结构分:晶体：单晶体、多晶体非晶、无定形半导体材料包含元素半导体、化合物半导体及固溶体半导体。(1)元素半导体晶体Si、Ge、Se等元素CdS、CdTe、CdSe、ZnS化合物半导体Ⅲ-Ⅴ族Ⅱ-Ⅵ族金属氧化物Ⅳ-Ⅵ族Ⅴ-Ⅵ族Ⅳ-Ⅳ族InP、GaN、GaAs、InSb、InAsSiCGeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTeAsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3CuO2、ZnO、SnO2(2)化合物半导体及固溶体半导体

61.1.1金刚石结构与共价键

★

以Si、Ge为代表的元素半导体电子组态-4个价电子,sp3杂化轨道晶格结构-金刚石结构(正四面体结构)结合性质–共价键(饱和性,方向性)★晶格常数a♦Si:a=0.543nm,♦Ge:a=0.566nm♦GaAs:a=0.564nm8金刚石型结构的晶胞1.1.1金刚石型结构与共价键91.1.1金刚石结构与共价键正四面体结构金刚石型结构10（111）面的堆积1.1.1金刚石结构与共价键

堆积顺序：ABCABC11晶胞在(100)面上的投影1.1.1金刚石结构与共价键

★以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物电子组态-平均价电子数=4(4个共价键)晶格结构-闪锌矿结构

(4个最近邻为异类原子)结合性质–混合键

(以sp3杂化轨道为基础,四面体键,具有一定的离子键成分)1.1.2闪锌矿型结构与混合键131.1.2闪锌矿型结构与混合键

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