MOOC 集成电路版图设计-江苏信息职业技术学院 中国大学慕课答案

MOOC集成电路版图设计-江苏信息职业技术学院中国大学慕课答案第一章单元测验1、问题：晶圆尺寸通常用英寸表示，十二英寸晶圆是指选项：A、晶圆半径300mmB、晶圆直径300mmC、晶圆半径240mmD、晶圆直径240mm正确答案:【晶圆直径300mm】2、问题：芯片制造步骤的产品为选项：A、掩膜B、GDSII文件C、晶圆D、电路正确答案:【晶圆】3、问题：集成电路版图设计属于集成电路设计的选项：A、前端B、后端C、中端D、辅助环节正确答案:【后端】4、问题：chiplogic系列软件中主要用于数据保存的是选项：A、chiplayeditorB、chipanalyzerC、chipmanagerD、chipdatacenter正确答案:【chipdatacenter】5、问题：LVS验证其主要功能是选项：A、验证版图是否有电气规则错误B、验证版图是否符合设计规则C、验证版图和电路是否一致D、验证寄生效应的影响正确答案:【验证版图和电路是否一致】6、问题：集成电路设计阶段通常分为两大步骤，它们是选项：A、流程设计B、电路设计C、PCB设计D、版图设计正确答案:【电路设计#版图设计】7、问题：同种工艺下，不同MOS管版图形状区别也很大，其主要的原因是因为选项：A、MOS管宽度参数不同B、MOS管长度参数不同C、MOS管衬底不同D、MOS管栅极电压不同正确答案:【MOS管宽度参数不同#MOS管长度参数不同】8、问题：集成电路版图正向设计主要用到的工具软件有选项：A、chiplogic系列软件B、cadencevirtuoso工具C、spectre仿真工具D、calibre验证工具正确答案:【cadencevirtuoso工具#spectre仿真工具#calibre验证工具】9、问题：下列运行在unix平台下的设计工具软件有选项：A、chiplogicB、tennerC、cadencevirtuosoD、华大九天empyrean正确答案:【cadencevirtuoso#华大九天empyrean】10、问题：数字集成电路由CMOS器件构成，模拟集成电路由双极型器件构成。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：数模混合集成电路产品以Bi-CMOS产品居多。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：设计相同电路的版图，全定制设计通常比半定制设计占用更多面积。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】13、问题：标准单元版图其主要是用于大规模数字集成电路版图的自动布局布线。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：CadenceSE主要用于集成电路版图自动布局布线。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、填空题：集成电路版图是一组的图形，各层版图对应不同工艺步骤。正确答案:【相互套合##%_YZPRLFH_%##相互嵌套】16、填空题：全定制设计和半定制设计相比，设计的自动化程度更高。正确答案:【半定制】17、填空题：DRC中文含义是。正确答案:【设计规则检查##%_YZPRLFH_%##设计规则验证】18、填空题：EDA的含义是：。正确答案:【电子设计自动化】第二章单元测试1、问题：能够运行在个人电脑上的操作系统有选项：A、windowsB、unixC、安卓D、dos正确答案:【windows】2、问题：能够运行集成电路设计软件cadence的操作系统有选项：A、windowsB、LinuxC、安卓D、dos正确答案:【Linux】3、问题：linux中用于改变路径的命令是选项：A、cdB、pwdC、mkdirD、cp正确答案:【cd】4、问题：linux中用于复制文件的命令是选项：A、cdB、pwdC、mkdirD、cp正确答案:【cp】5、问题：vi编辑器中保存退出的命令是选项：A、wq!B、wqC、:wqD、:q!正确答案:【:wq】6、问题：版图设计所用的图形工作站的硬件架构和普通电脑基本一样。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：通常公司工作站服务器用于存放cadence软件，PC服务器用于存放chiplogic软件。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：xmanager软件是用于PC访问unix服务器操作的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：关闭linux系统可以直接点击右上方的叉来关闭。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：虚拟机中的文件若转存到本地windows下需要转换格式。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：linux系统中terminal中所输入的命令都是小写。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：vi编辑器进去编辑模式可以用insert进行插入编辑选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章单元测验1、问题：当cadence启动完成后，terminal不再使用，可以直接关闭。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：cadence的主界面不仅用来选取操作菜单，也是主要信息显示界面。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：名为schematic的视图代表的是该单元的版图选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：添加已有库的界面需要先进入librarypatheditor后才能进入。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：删除库中单元需要先进入librarypatheditor后才能进行删除操作。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：CIW中的warning字体以黄色表示，存在warning设计操作仍可进行。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第四章单元测验1、问题：金属、多晶、N+掺杂层、N阱四种材料制备的电阻中方块电阻最小的是选项：A、金属B、多晶C、N+掺杂层D、N阱正确答案:【金属】2、问题：MOS做电容使用时比较适合的工作状态是选项：A、反型B、积累C、耗尽D、以上都不是正确答案:【积累】3、问题：二极管版图外围环状开缺口的原因是选项：A、图形对称B、方便走线C、方便绘制D、增大电流正确答案:【方便走线】4、问题：三极管结构中埋层的作用是选项：A、增大放大倍率B、避免整流效应C、减小体电阻D、使图形对称正确答案:【减小体电阻】5、问题：之所以同工艺中相同类型MOS管版图图形还有很大差异主要是因为选项：A、衬底类型不同B、设计规则要求不同C、工作电压不同D、器件的参数不同正确答案:【器件的参数不同】6、问题：为减少失配，版图上电阻条的宽度应该选项：A、采用适中尺寸B、采用较窄尺寸C、采用较宽尺寸D、根据实际采用不同尺寸正确答案:【采用较宽尺寸】7、问题：方块电阻越大的材料制备的电阻阻值越大。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：所有多晶电阻不管图形如何变化，其方块电阻阻值都不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：若用于信号耦合双多晶电容比MOS电容更为合适。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：二极管版图通常做成环状的原因是为了使电流流向比较均匀选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：通常三极管版图图形比二极管版图图形要多一环选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：P型增强型MOS管当栅极加上正向偏压后沟道出现，MOS管导通。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】13、问题：版图中MOS管沟道长度等于多晶的宽度。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：版图中串联MOS管的连接可以采用直接合并有源区来进行连接。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：版图中并联MOS管的连接通常采用叉指方式进行连接。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章单元测验1、问题：创建电路图文件时，其视图类型应选择以下哪种类型选项：A、SchematicB、LayoutC、symbolD、以上都不是正确答案:【Schematic】2、问题：在建立版图文件时，视图类型是什么选项：A、SchematicB、layoutC、symbolD、以上都不是正确答案:【layout】3、问题：版图进行设计规则验证（DRC）的目的是什么选项：A、检查是否有短路、断路及悬空节点B、检查是否违反设计规则C、检查版图和电路图是否一致D、检查设计原理是否正确正确答案:【检查是否违反设计规则】4、问题：进行LVS时，与电路文件进行比较是是哪种视图文件选项：A、电路文件B、版图文件C、符号图文件D、提取文件正确答案:【提取文件】5、问题：DRC验证结果显示“Metal1toMetal1spacing0.5”，是违反了哪类设计规则选项：A、最小宽度B、最小间距C、最小间隙D、最小交叠正确答案:【最小间距】6、问题：在绘制版图时，版图的面积越小越好，所以要将NMOS管和PMOS管可以无限靠近选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：建立版图文件的命令和新建电路图文件相同，都是File-New-Cellview选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：建立设计单元库的目的是为了避免重复绘制那些反复在电路中用到的版图单元选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：LVS结果保存在si.out文件中，文件分别把版图和电路图的元器件、端口和连线的数目显示出来，并显示匹配情况。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第六章单元测验1、问题：用DIVA进行与非门LVS验证时，是用与非门的电路图直接和版图进行比较。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：添加Pin端口时需要在LSW中选择相应的图层，否则无法正确添加端口选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：或非门版图中NMOS管并联，PMOS管串联选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：CMOS电路可以直接得到与门逻辑选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：绘制复合逻辑门电路时，通过逻辑式化简可能用一级电路就可以实现该逻辑选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：NMOS管的衬底电位不可以直接加在圆片的P型衬底上，而是要绘制一个P型有源区，将引线孔放在P型有源区上选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：PMOS管的衬底电位可以直接加在器件所在的N型阱区上。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：图层的颜色决定了图层的性质和作用选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：版图布局布线时，可以考虑用有源区、多晶等材料完成布线选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：Dracula的DRC验证是对版图gds文件进行验证，因此在进行Dracula验证之前先生成版图的GDS文件选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：LVS验证完成后，需在版图设计窗口选择Launch-DraculaInteractive命令后，在新增的LVS菜单中选择Setup命令，并输入完整的LVS验证路径才能查看LVS验证的错误信息选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第七章单元测验1、问题：电路符号可以告诉我们电路功能和特性，不能说明内部结构选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：D触发器是双稳态电路，可以存储1位二进制数选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：CMOS传输门是由一个NMOS管构成的选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：功能仿真必须要在电路图模式下进行选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：DRC是验证版图与电路图是否匹配选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：修改LVS错误时，一般先修改port错误，再修改instance错误选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第八章单元测验1、问题：同一种工艺中，标准单元的高度应该都相同选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：标准单元的宽度应该是网格间距的整数倍选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：标准单元中端口的引出只可以用通孔引出选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：若要统一网格尺寸，一般采用芯片上尺寸要求最小的那个工艺层上的尺寸选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：标准单元的高度应该由一铝的Pitch来决定选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：标准单元内部常用金属2来做互连选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：每个标准单元内都必须设置衬底接触孔选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第九章单元测验1、问题：晶闸管整流器ESD保护结构中，PNPN结构内有NPN和PNP之间的负反馈，提供了良好ESD泄流通路，具有明显的ESD保护性能选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：场管做ESD保护的最大优点是可以节省芯片面积选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系，漏端面积越大其ESD能力越小选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比，ESD保护能力较弱，但是面积较小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：单元宽度超过整数个pitch单元（比如N个）一点，但又不到N+1个，那么还是要调用N+1个pitch单元选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：反相器单元的P管的宽长比一般为N管的两倍。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：与非门中，P管是并联连接的，N管是串联连接的选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：为了布局布线更加方便，通常我们将与非门的各端口放在一直线上选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：或非门中，P管是并联连接的，N管是串联连接的选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：在设计与或非门标准单元时，输出走线可能需要作一些改动选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：在设计与或非门标准单元时，为满足DRC要求，通孔与多晶孔的摆放可能需要进行修改选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：或与非门通常和与或非门具有相同的pitch个数选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：或与非的逻辑和与或非门类似，因此版图设计时通常可以参考选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：锁存器是一种对脉冲边沿敏感的存储单元电路，它们可以在特定输入脉冲边沿作用下改变状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】15、问题：对于触发器等比较大的数字单元，为了节省面积，版图设计可以将同类型的串联或并联的MOS管进行源/漏共享接法选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题：触发器器是一种对脉冲边沿敏感的存储单元电路，它们可以在特定输入脉冲边沿作用下改变状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：DRC的作用是与原理图进行对比，以检查在版图中实际形成的电路的与原理图中的电路是否一致。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：分频器版图设计时，所有触发器最好就近布局选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：移位寄存器版图设计时，所有触发器最好就近布局选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：移位寄存器中的触发器大小对整个移位寄存器的版图没有什么影响选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】21、问题：三八译码器版图设计时通常进行单元的布局，然后根据线路连接关系进行连线选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】期末试卷1、问题：P衬底接触的英文缩写为Ptap，该图形应画在P衬底上，其掺杂类型为什么类型。选项：A、P+型B、N+型C、P-型D、N-型正确答案:【P+型】2、问题：反相器版图中，NMOS管和PMOS管的栅极多晶层通常连接在一起，对应反相器电路的什么端口？选项：A、输入B、输出C、电源D、地正确答案:【输入】3、问题：当绘制某个完整的模拟单元版图时，通常要求最终的完成的整体版图接近呈现什么形状？选项：A、矩形B、圆形C、三角形D、任意正确答案:【矩形】4、问题：不用做标准单元版图内部的器件间主要互连线的图层是：选项：A、金属1B、金属2C、多晶D、有源区正确答案:【金属2】5、问题：模拟版图中，即使DRC、LVS完全通过，也不代表版图就一定能付诸实际生产，还需要考虑版图哪些问题？选项：A、寄生B、匹配C、冗余D、以上都是正确答案:【以上都是】6、问题：物理验证时，错误条目显示为金属间距不满足最小尺寸，则该错误属于哪种错误范畴。选项：A、DRCB、LVSC、ERCD、EXT正确答案:【DRC】7、问题：LVS错误类型中显示MOS管“propertyerrors”与版图中MOS管的哪个参数无关。选项：A、沟道宽度B、沟道长度C、沟道类型D、以上都不是正确答案:【沟道类型】8、问题：常用的版图验证工具主要有DIVA、DRACULA、calibre以及ASSURA等，其中mentor公司的验证工具是：选项：A、DIVAB、DRACULAC、caliberD、Assura正确答案:【caliber】9、问题：下列哪个图层不属于组成N保护环所用到的图层？选项：A、N阱B、有源区C、多晶D、金属1正确答案:【多晶】10、问题：集成电路设计按分一般可分为双极集成电路设计、MOS集成电路设计。选项：A、自动化程度B、器件类型C、电路类型D、工艺类型正确答案:【器件类型】11、问题：下列可以运行cadence设计软件运行的操作系统是：选项：A、win7B、win10C、solarisD、DOS正确答案:【solaris】12、问题：cadence中显示标尺的快捷键是：选项：A、qB、kC、wqD、r正确答案:【k】13、问题：下列哪个命令是用来对调用的symbol视图进行的下级电路查看和修改的？选项：A、descendeditB、descendreadC、returnD、returntotop正确答案:【descendedit】14、问题：下列版图中显示的图层不会被制成掩膜版的是：选项：A、多晶层B、电阻标识层C、有源区层D、金属层正确答案:【电阻标识层】15、问题：版图设计中下述那个不是金属2和金属3之间的通孔所用到的图层主要是：选项：A、金属2B、金属3C、孔2D、孔3正确答案:【孔3】16、问题：电路原理错误能被cadence中文件菜单栏的“checksave”命令所检查出来。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】17、问题：版图设计中用于绘制端口的图层类型应使用的图层类型是text类型。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：某硅栅工艺设计中，与孔1（接触孔）没有连接关系的图层是多晶层。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：库的名称不是建库要素之一。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：多晶电阻是模拟版图设计中使用的常用电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：同种工艺下，不同MOS管版图形状区别也很大，其主要的原因是MOS管类型和参数各不相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】22、问题：大规模集成电路一般都采用CMOS电路的原因是因为这种电路的理论静态功耗为0。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形，并可以和多晶层交叠，而不是分别在源、漏各绘制一个掺杂层，其主要原因是因为在工艺中采用自对准工艺。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题：在MOS管的版图绘制中，若有两个MOS管有源区共用，则可以判定这2个MOS管是串联关系。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】25、问题：版图中有源区和场区的关系是互补关系。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】26、问题：一个MOS管其参数中fingerwidth为3.3um，finger为4，则其width为13.2um。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题：版图的布局主要的思路有引线驱动、模块驱动、信号驱动。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：在标准单元版图自动布线时，一般第1、3、5等层金属走线方向总体相同，相邻两层金属的走线方向总体要求是相互垂直。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：模拟版图绘制中为了增加匹配程度，通常会增加一些电路中不存在的器件，这些器件在版图上也不做任何连接，仅仅放置在实际器件附近，这些额外的器件称dummy。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】30、问题：电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】31、问题：在calibre做LVS验证时，RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题：使用calibre工具做LVS验证时，需要用到设计规则文件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】33、问题：N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：全定制设计和半定制设计相比，半定制设计的设计要求更高。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】35、问题：linux中命令输完以空格结尾。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】36、填空题：载流子在电场的作用下，产生的定向运动称为正确答案:【漂移】37、填空题：1.解决铝互连中肖特基接触的方法是在电极引出部分进行掺杂。正确答案:【重##%_YZPRLFH_%##高】38、填空题：降低半导体材料中的少子寿命τ，可以PN结二极管的开关速度。正确答案:【提高##%_YZPRLFH_%##增加##%_YZPRLFH_%##提升##%_YZPRLFH_%##增大#