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3GB/T26111微机电系统（MEMS）技PECVD：等离子增强型化学气相淀积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposi4应使用PECVD沉积400nm氮化硅作为硅片第应在绝缘层上溅射20nm的Ti作为粘附层，并溅射150nm的Cu应在金属层表面进行正胶光刻，作为第一层厚金属应在光刻掩膜缝隙中电镀第一层厚金属膜，镀Cu厚5应用丙酮、Cu腐蚀液和Ti腐蚀液依次去除光刻胶、Cu种子层和Ti粘附层，完成湿法腐蚀。见图5。应用PECVD沉积400nm氮化硅作为第6应进行深反应离子刻蚀，刻蚀第二层氮化硅绝缘层，完成开孔，以连接两应溅射20nm的Ti作为粘附层，并再次溅射150nm的Cu作应在金属层表面进行正胶光刻，作为第二层厚金属膜7应在光刻掩膜缝隙中电镀第二层厚金属膜，镀Cu厚应通过丙酮、Cu腐蚀液和Ti腐蚀液依次去除光刻胶、Cu种子层和Ti粘附层，完成湿法腐蚀，从而8应保证各批次加工结果的一致性，各加工设备的片间在硅基厚金属膜多层电镀工艺中使用的原材料及辅助材料见表3。表中所列P型或N型；晶向<100>；晶圆直径150±0.2μm；厚度625912341

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