非晶硅热成像敏感薄膜制备技术研究综述样本

非晶硅热成像敏感薄膜制备技术研究综述摘要：非制冷红外探测器发展是当前红外探测重要研究领域。而测辐射热计作为非制冷红外探测重要分支，随着材料科学和微电子技术发展也被重点关注。作为红外探测红外吸取层，非晶硅薄膜由于具备较高电阻温度系数，已成为许多科研院所研究重要材料。非晶硅薄膜普通含氢，称为氢化非晶硅薄膜（Si:H）。这种薄膜制备惯用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。但由于得到非晶硅电阻太大（甚至上百千欧），不易测量，用作红外吸取层需要适当电阻。因此常对其进行掺杂。当前比较成熟掺杂是进行汽相掺杂，即PECVD制备非晶硅薄膜过程中通入磷烷（PH）和乙硼烷（），但这两种气体都具备毒性，于是考虑用离子注入方式，对制备好非晶硅薄膜进行离子注入掺杂。注入金属考虑镁，钛，铜，锑，钇，镱等，也可考虑用硼固体直接注入，盼望达到在高电阻温度系数下，电阻率在几千欧姆厘米量级。核心字：微测辐射热计，Si:H，离子注入。1前言热成像，起初是由人们用手在一种熄灭火把位置，感觉到温度来拟定火把位置发展而来。这个距离单像点辐射热检测计出既有上千年历史。这需要涉及黑体辐射，热敏感材料结晶学和化学特性，以及微电子图像扫描和显示技术。红外成像需要两步:第一步是将待测视场热辐射聚焦于检测器件并产生物理效应，如光电导变化，这需要制冷设备；或者由于温度增长引起材料物理特性变化，如测辐射热计。第二步，物理效应或物理变化通过一定方式显示出来。在二十世纪代末，随着显示技术发展，可显示出生动可见图像。由此推动了红外成像技术进一步发展。通过好多努力，人们研制出机械式扫描和电子束扫描红外照像管。直到20世纪60年代MOS硅电路得到发展，1968年Noble提出X-Y寻址成像阵列，才使得红外成像读出电路得以实现。当代红外成像技术开始于19代末，第一代热成像用银氧铯光电阴极系统光电子发射效应，用在近红外探测，制成夜视图像增强器件，并用于军事。之后发展用混合碱光电阴极，如延长红硫-25光电阴极。1965年用掺铯砷化镓作为光电阴极，这是运用它负电子亲和力作用实现。这种技术最后发展为第三代图像增强器件，现今用于军事，用星光照明达到近红外夜视波长2微米。1940年代人们开始研究低光照下图像增强技术作为军事应用。这里开始用目的和背景热差进行红外光谱成像。于是中红外（3-5微米）和远红外（8-14微米）光谱探测技术在1950年代得到发展。1968年AGA公司用制冷单元锑化铟内在光电导效应制成真红外热成像单片红外敏感探测器，美国BarnesEngineering研制出热敏测辐射热计，之后发展为热释电探测器。1959年Lawson研制出第一种制冷红外探测器。她用碲镉汞作为内在半导体光电导器件，需要冷却至77K.探测范畴为8到12微米。第二代制冷红外探测用光伏模式，噪声等效温差很低，仅为0.02摄氏度。运用全电子扫描阵列，但造价昂贵且需要制冷系统。1969年Tompsett研制出用热释电效应热像管，之后在70年代发展到400线辨别率，并且NETD达到0.2摄氏度。同步，她也提出了用于热成像场效应管（FET）,这里用热电和铁电材料混合薄膜沉积于FET导电层上。1980年代非制冷红外阵列开始起步发展。这种类型探测器由于造价低，且轻便得到很大注重。它重要有铁电材料阵列热释电探测器和热敏材料制成测辐射热计。当前它辨别率可达300线，NETD仅0.04摄氏度。热释电探测器用材料如钛酸钡，organiccrystaltriglycinesulfate（TGS）。热敏材料当前惯用氧化钛薄膜。测微辐射热计运用材料电阻温度效应，在红外辐射下，材料吸取辐射温度发生变化时，其电阻率也跟着发生变化，从而获得红外响应，将光信息转换为电信息。早在1880年,Langley开始研制铂制惠更斯桥测辐射热计，后在19她可以探测15英里外奶牛。1966年测辐射热计热成像概念建立起来，1980年代微制造技术发展增进了这种技术中热绝缘微构造制作技术发展。当前非制冷红外探测器重要研究方向分为热释电红外探测器和微测辐射热计红外探测阵列，这两种探测方式对所用薄膜材料都规定极高，因此红外吸取薄膜材料研究也成为除探测器构造之外研究重点。（噪声等效温差NETD:定义为通过热成像系统观测到得横向尺寸无穷大黑体温度变化，此温度变化在焦平面阵列单元输出端产生信噪比变化为1，或者单元器件信号读出电路接受到得信噪比变化为1.其等效定义是通过热成像系统观测到得两个并排放置大面积黑体温差，这一温差在两半阵列器件信号输出上产生信噪比差别为1，描述时应指明信号采自阵列输出端或读出电路输出端。）2微测辐射热计红外吸取层材料选取微测辐射热计阵列成功，重要由两方面技术决定。第一是优良薄膜材料，第二是器件单片集成制造技术。在薄膜材料方面，由于氧化钒有高电阻温度系数（>2%/K）,惯用于制作微测辐射微计热敏材料，即红外吸取层。当前氧化钒薄膜沉积多采用溅射办法。由于金属固有高电阻温度系数，在测辐射热计阵列中也得到应用。与氧化钒相比，钛、铂等薄膜电阻温度系数较低（约0.4%），但噪声水平也较低。除了氧化钒薄膜，尚有许多其她材料体现出很高电阻温度系数，如已经得到应用氢化非晶硅、非晶超导氧化物及巨磁阻材料等。这些材料存在共同问题是随着着高电阻温度系数同步，体现出较高噪声，在很大限度上抵消了高电阻温度系数带来益处，但具备很大性能改进空间。寻找同步具备高电阻温度系数及低噪声特性薄膜材料是当前研究重点。随着微电子技术发展，测辐射热计采用双层悬空构造，如图1。由于氧化钒、氢化非晶硅等薄膜沉积温度较低，可以在制有硅信号解决电路芯片上直接沉积敏感薄膜。为提高器件热响应速度，规定每个器件单元具备较小热质量和较小热导损耗。可是，在减小单元器件几何尺寸以改进热性能同步，机械性能也发生了下降。并且，过小几何尺寸也受到光刻加工所容许最小尺寸限制。，普通微构造采用氮化硅为机械载体，因而高机械强度低应力氮化硅薄膜制备是一种技术核心。在氮化硅支撑构造中，氮化硅对整个器件贡献是无效热质量。为克服这一局限性，法国Sofradir公司采用自支撑非晶硅为敏感薄膜，重点解决了其电阻稳定性问题，器件性能与氧化钒相称，当前非晶硅是重要测辐射热计薄膜材料。图1.自支撑悬空式测辐射热计薄膜材料选取可以是金属、半导体、超导体。材料选取根据与材料自身性质如电阻温度系数、电阻值、噪声特性等关于，还与探测器工作模式关于系。详细来说：1、要有高电阻温度系数（TCR）,2、适中电阻。较高电阻会带来较高电压响应，同步Johnson噪声、热噪声和1/f噪声均会增大，且诸多材料如非晶硅、高温超导体等在高电阻或高TCR地同步会随着过度噪声，因而需要针对详细材料予以恰当选用。3、低热容、低热导及两者之间恰当比例（即热时间常数），会带来更高响应幅度及更迅速地响应时间，特别是在采用自支撑构造时，低热导更为重要。4、低1/f噪声参数，对测辐射热计，在没有达到条件时，重要噪声源为1/f，较小1/f噪声参数n对获得接近抱负探测器响应非常重要。5、较高红外吸取率。对于简化辐射吸取层构造非常重要。在无法获得高红外吸取率状况下，具备拟定红外光学常数非常重要。6，较高机械强度。由于要用于悬空构造，并且要进行阵列式大面积集成，因此薄膜材料需要足够高机械强度。2.1非晶硅薄膜特点非晶硅电阻率较氧化钒高，电阻温度系数TCR在之间。TCR与电阻率之间关系与氧化钒相似，近似呈线性。非晶硅薄膜可分为无氢型和含氢型，又可分为掺杂型和无掺杂型。含氢非晶硅薄膜-Si:H电阻温度系数较高且噪声特性较好，易于制备；无氢非晶硅薄膜-Si电阻率略高于-Si:H，但TCR较低。非晶硅制备办法可于硅集成工艺兼容。非晶硅薄膜体现出较好机械性能，可以以便地制备出具备自支撑构造悬空薄膜器件，即不需要氮化硅等支撑层，薄膜厚度可以很小，对提高器件机械性能非常有利。-Si不是相变材料，温度稳定性优于氧化钒。Si:H薄膜电阻温度系数较高，作为一种热敏电阻半导体薄膜材料，它阻值可表达为（1）上式中R(T)和分别是温度为T和T时薄膜材料电阻值。是由材料自身性质决定常数，详细数值与材料电导激活能关于。普通状况下具备这样关系：=/k（其中k为玻尔兹曼常数），>0。材料电阻温度系数即TCR常定义为温度每变化1时，电阻值变化大小，即TCR=。（2）于是，通过代换可得到，TCR=。（3）由此可知，材料电阻温度系数普通不大于零，也就是说半导体材料电阻率普通随温度升高而以指数形式减少。例如氧化钛薄膜TCR值在左右，非晶硅薄膜电阻温度系数在之间。2.2非晶硅薄膜制备Si:H薄膜制造办法诸多，重要有等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射物理气相沉积(PVD)、微波等离子电子回旋共振化学气相沉积(MW-ECRCVD)、光催化化学气相沉积（光-CVD）、热丝化学气相淀积(HW-CVD)等。当前PECVD法应用最多。这种办法制备Si:H薄膜材料具备应力低、均匀性好、可控性好等长处，并且通过气相掺杂可以控制Si:H薄膜电阻率和光学带隙。PECVD法当前有直流辉光放电，射频辉光放电，以及电子回旋共振辉光放电，其中射频辉光放电较为惯用。射频辉光放电又有电容耦合式和电感耦合式。电感耦合式与电子回旋共振式可产生高密度等离子体，但系统制作复杂，因此普通PECVD工艺都用电容耦合式射频辉光放电。薄膜光电性能受PECVD沉积工艺参数影响很大，如硅烷(SiH4)流量、反映室气体压强、等离子体射屡屡率、射频功率、衬底温度、掺杂气体，稀释气体等制备工艺参数。用PECVD制备非晶硅，发生化学反映复杂，一方面电子撞击硅烷气体分子产生各种离子、原子。各种微粒不断碰撞进行反映，并不断被材料表面吸取，被吸取微粒在材料表面反映重组形成最后非晶硅薄膜。大体可分为初级反映和次级反映。初级反映有：(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10)(11)发生次级反映有：(12)(13)(14)(15)其中产物中中性粒子决定高质量非晶硅薄膜沉积状况。表面产量直接决定非晶硅薄膜沉积速率。SiH和对薄膜质量提高有负面影响，特别是会与硅烷反映产生乙硅烷。在240摄氏度下，不不大于0.1torr压强下，用硅烷制得薄膜约98%成分是。由于在低能量，高气压（0.1~1torr）下，SiH、、乙硅烷都发生反映了。当硅烷消耗完时，开始分解，产生更多SiH和，这是影响薄膜质量一种也许因素。在能量增大是，用硅烷在直流或交流辉光放电下产生Si:H薄膜质量开始变差，由于此时薄膜重要是由硅烷反映变为乙硅烷产生。在高能量密度下，硅烷大某些变成了乙硅烷。相反，在低能量密度下，用乙硅烷制备薄膜质量不高。而在高能量密度下，也有某些乙硅烷会变成硅烷，然后反映沉积成薄膜。因此用硅烷制备Si:H薄膜时，要选用低能量低功率；而在用乙硅烷制备Si:H薄膜时，要选用高能量高功率。对于制备非晶硅薄膜需要进行热解决，以使其达到稳定机械、电学、光学性能。由于非晶硅在高温下会晶化，因此可采用在高真空状态下，低温长时间热解决办法。3对敏感层薄膜性能优化：掺杂对于非晶硅薄膜，考虑到其电阻率很大，甚至达千欧到兆欧量级。对用于红外探测非晶硅薄膜，规定其TCR尽量大，而电阻率太大会使得TCR难以测量，且需要很大电压，噪声也会很大。因此用类似n型p型掺杂晶态硅办法对非晶硅进行离子注入。对非晶硅进行掺杂可有效减少其电阻率。当前半导体掺杂办法已得到很大发展，重要有扩散法，气相掺杂，离子注入等。对于扩散法，需要很高温度，而非晶硅在高温下会晶化，失去非晶硅自身性能。因此特别是不能经受高温解决，400摄氏度就会浮现晶化现象。因而扩散工艺普通不适合于对非晶硅掺杂。当前采用掺杂办法重要是气相掺杂和离子注入。3.1非晶硅气相掺杂气相掺杂就是在薄膜沉积过程中对反映气体加入一定比例气相杂质或杂质气相化合物。例如N,磷烷（PH）和乙硼烷（）等。对于掺杂比低于状况，为保证沉积样品重复性和均匀性，需在沉积之前按比例预先将混合气体配制好。用这种办法可以进行低达掺杂比气相掺杂。对于掺杂比高于场合，只要沉积装置和气路配备合理，无需进行预混，直接在沉积过程中控制两种气体流量比即可获得足够精准掺杂浓度。气相掺杂不但合用于PECVD办法，也可用于反映溅射。这时，只要在Ar+H混合气体中再混合或PH就行了。用蒸发法沉积薄膜时，也可通过加入掺杂气体实既有效掺杂。3.2非晶硅离子注入气相掺杂办法简朴易行，效果也比较好，但由于、PH等气体均有剧毒，掺杂危险性比较大，故可多考虑用离子注入办法进行掺杂。离子注入发展于20世纪60年代，专业微电子工艺离子注入系统可分为三某些：离子源、加速管、和终端台。离子源负责将注入物质气体送入系统。大多数采用气态源注入机是通过不同阀门开关控制选取不同气体注入。对于注入离子所用原料以固体形式存在时，可将其加热产生蒸汽，再以蒸汽作为注入源。气体或蒸汽流入一种放电腔室。在大电压下，气体或蒸汽电离，并在磁场下螺旋运动并形成离子流。离子束流再通过度析磁场，使所需要离子通过质量、电荷量被选取出来，以一定曲率半径离开分析器，然后被加速，之后通过静电偏转系统，滤除中性离子，再通过法拉第杯控制其剂量。最后通过静电扫描或机械扫描对圆片注入。离子注入要考虑注入元素，注入剂量，注入区域，深度，注入对被注入材料构造、性能影响。非晶硅离子注入，由于其特有薄膜构造，可考虑进行浅结注入，如大角度偏转离子注入和分子注入。当前国内主流离子注入设备用离子源重要为气体源、金属源。其原理是用高压使气体或金属电离，然后通过强电场使电离产生离子加速直接轰击需要被注入基片即靶材。此类离子注入设备重要涉及抽真空系统、高压系统、控制系统、注入系统，水冷系统。对于任何一种样品都可以用离子注入法进行掺杂。并且，跟晶体硅同样，离子注入也可对已掺有某种导电类型杂质非晶硅薄膜进行补偿作用，因而具备很大使用价值，例如与气相掺杂相结合制造p-n结。运用离子注入法已成功地实现了钠、钾、铷、铯等碱金属元素填隙式掺杂；也可考虑用Ti、Mg、、进行离子注入。虽然这些原子大小差别很大，但它们对薄膜电导率变化效果都很明显。对于用于红外吸取层非晶硅薄膜进行离子注入，可用含硼或含磷元素气体作为气体源材料进行气体源离子注入，如用、。但此类气体普通都是有毒气体，操作危险系数较大，因此可重点考虑用金属源离子注入。对于薄膜离子注入，金属源所用材料可选用镁，铜，钛，锂，锑，钇，镱，硼，锰。其中钇、锂、锑掺入早有报道，钇掺杂对材料电导率改进较大。镱有用于对单晶硅掺杂研究。镁、铜在非晶氧化物注入掺杂中已有尝试，但是热解决温度较高。硼作为半导体掺杂惯用元素，由于其在自然界中以固体存在，且性能稳定，硬度仅次于金刚石，熔点和沸点都较高，也可尝试作为金属源靶材选取对象。锰作为金属材料，掺杂于硅中形成硅化锰磁性半导体，可提高材料电磁型，对电阻影响有待研究，因此也可作为尝试。为防止离子注入过深，特别是原子量较小离子如硼，会产生瞬时增强扩散，这些都会影响器件制作工艺及器件性能。如果对用于红外探测薄膜进行过深离子注入，也许会对下部控制电路受到影响。瞬时增强扩散会使浅结注入工艺掺杂位置精准性及器件为微型化受很大影响。鉴于以上因素，经常需要在离子注入之前，对器件进行阻挡层隔离。如用注入法形成钝化层或绝缘层，即可在衬底硅上预先高能注入O或N，形成Si或。也可进行He、Si、Ge等离子预注入，使被注入层内预先形成微小孔洞，以制止注入过深及瞬时增强扩散。也有预先对非晶硅薄膜制作好金属电极层之后进行离子注入，以对器件制作工艺进行优化报道。这些预注入工艺也可在该离子注入中尝试使用。对于离子注入后非晶硅特性详细数据尚无报道。刚进行过离子注入非晶硅薄膜，也许薄膜电阻反而变高，这是由于离子注入导致了薄膜构造损伤，损伤引起缺陷使得薄膜电导率下降，也有说法是注入离子尚未被激活。于是需要对注入后非晶硅薄膜进行热解决，以修复缺陷、损伤以及激活注入离子。4所盼望掺杂效果鉴于当前未掺杂非晶硅薄膜电导率太低，很大影响其在工程应用中优势，用离子注入对其进行掺杂，以达到较低电阻率，使其红外探测中红外吸取层热敏薄膜电阻优势充分发挥。当前未掺杂电阻率在上百千欧量级，盼望离子注入后其电阻率可降至几百欧限度，以便于工程应用。5参照文献：[1]PAULW.KRUSE.UncooledInfraredImagingArraysandSystemsSEMICONDUCTORSANDSEMIMETALSVolume47[M].INFRAREDSOLUTIONSINC,MINNEAPOLIS,MINNESOTA,1991.[2]刘卫国,金娜.集成非制冷热成像探测阵列[M].北京:国防工业出版社,.[3]Xing-MingLiu,Hua-JunFang,Li-TianLiu.Studyonnewstructureuncooleda-Simicrobolometerforinfrareddetection[J].MicroelectronicsJournal,,(38):735–739.[4]蔡毅,胡旭.红外成像寻用红外探测器现状和发展趋势[J].红外与激光工程,,35(1):8-11.[5]姜啸宇,钟声,赵圣.红外阵列探测器研究进展[N/OL].商品与质量，-10:91[.10.28].[6]马贤君.基于MEMS技术新型氧化钒测辐射热计微构造及制备工艺研究[D].,天津:天津大学.[7]AamerMahmood,DonaldP.Butler,ZeynepCelik-Butler.Micromachinedbolometersonpolyimide[J].SensorsandActuatorsA，(132):452-459.[8]顾文韵,皮德富,周士源.非制冷微测辐射热计热成像[J].红外与激光工程,,29(2):65-77.[9]甄志成.微测辐射热计制造工艺与品质测试研究[D].,天津:天津大学.[10]王利霞.微测辐射热计阵列构造制备[J].南京邮电大学学报(自然科学版),,29(5):54-58.[11]陈建国,郭群英,邢昆山.测辐射热计微桥研制和VO膜成膜研究[J].半导体技术,27(1):70-73.[12]吕宇强,胡明,吴淼等.热红外探测器最新进展[J].压电与声光,,28(4):407-410.[13]吴淼.非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究[D].,天津:天津大学.[14]翟于嘉.红外探测材料电阻温度特性研究[D].,西安:西安工业大学.[15]董梁.MEMS集成室温红外探测器研究[D].,北京:清华大学.[16]雷亚贵,王戎瑞,陈苗海.国外非制冷红外焦平面阵列探测器进展[J].激光与红外,,37(9):801-805.[17]WERNERLUFT.Y.SIMONTSUO.HYDROGENATEDAMORPHOUSSILICONALLOYDEOSITIONPROCESSES[M].NationalRenewableEnergyLaboratoryGolden,Colorado,MarcelDekker,Inc,NewYork.Basel.HongKong,1993.[18]廖乃馒.氢化非晶硅薄膜制备及其微构造和光电性能研究[D].,成都:电子科技大学.[19]曾涛.优质氢化非晶硅薄膜沉积及其太阳能电池模仿[D].,景德镇:景德镇陶瓷学院.[20]王玉.PECVD法制备氢化非晶硅薄膜其性能研究[D].,哈尔滨:哈尔滨工业大学.[21]叶林,刘卫国.氢化非晶硅薄膜性能研究[J].红外,,27(6):25-28.[22]黄永峰,张邦英.大面积非晶硅光导薄膜研制[J].微细加工技术,1997(1).[23]盛松科.PECVD多功能沉积系统制备氢化非晶硅、碳薄膜工艺[D].,大连:大连理工大学.[24]S.Muthmann,A.Gordijn.Amorphoussiliconsolarcellsdepositedwithnon-constantsilaneconcentration[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells,(95):573–578.[25]JianNi,JianjunZhang,YuCao,etal.Lowtemperaturedepositionofhighopen-circuitvoltage(>1.0V)p–i–ntypeamorphoussiliconsolarcells[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells，(95):1922–1926.[26]PurabiGogoia,P.N.Dixitb,PratimaAgarwal.Amorphoussiliconfilmswithhighdepositionratepreparedusingargonandhydrogendilutedsilaneforstablesolarcells[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells,(91):1253–1257.[27]J.Müllerová,L.Pruˇsáková,M.Netrvalová.Astudyofopticalabsorptioninamorphoushydrogenatedsiliconthinfilmsofvariedthickness[J].AppliedSurfaceScience，(256):5667–5671.[28]周顺,秦文罡,叶林等.非晶硅薄膜沉积速率研究[J].真空,,45(3):48-50.[29]SatoshiShimizu,AkihisaMatsuda,MichioKondo.Stabilityofthinfilmsolarcellshavingless-hydrogenatedamorphoussiliconi-layers[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells,(92):1241–1244.[30]李世彬.氢化硅薄膜制备、特性及器件研究[D].,成都:电子科技大学.[31]周顺,刘卫国,刘欢.PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力研究[J].真空科学与技术学报,,30(4):341-346.[32]顾卫东,胥超,李艳丽.PECVD制备非晶硅薄膜研究[J].纳米材料与构造[J].微纳电子技术,46(11):664-666.[33]阴生毅,陈光华.a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术[J].物理，,33(4):272-277.[34]杜新华,刘克源.非晶硅光敏材料高电阻率化研究[J].功能材料,1997,28(26):588-591.[35]殷官超.PECVD法制备掺磷非晶硅薄膜及其构造和性能研究[D].,武汉:武汉理工大学.[36]冯仁华.PECVD法制备本征/掺硼纳米非晶硅薄膜及其性能研究[D].,杭州:浙江大学.[37]韩琳,刘兴明,刘理天.用于红外探测非晶硅薄膜晶体管[J].半导体光电,,27(4):393-401.[38]A.Ordu˜na-Diaz，C.G.Trevi˜no-Palacios,M.Rojas-Lopez.FTIRandelectricalcharacterizationofa-Si:HlayersdepositedbyPECVDatdifferentboronratios[J].MaterialsScienceandEngineeringB,(174):93–96.[39]朱魁鹏,吴志明,李伟.掺硼非晶硅薄膜性能研究[J/OL].[-10-28]...[40]陈志明.非晶半导体材料与器件[M].北京:科学出版社,1991.[41]StephenA.Campbell.微电子制造科学原理与工程技术(第二版)[M].曾莹,严利人,王纪民,张伟等译.北京:电子工业出版社,.[42]宁振球.超大对离子注入技术规定[J].微电子学,1983(2):20-27.[43]曾庆高.离子注人浅结制备技术[J].半导体光电,1994,15(2):125-129.[44]张涛,宋教花,张荟星等.强流金属离子注入[J].微细加工技术,(1):22-25.[45]谭辉,陶明德,涂楚辙.金属离子在氧化物非晶薄膜中行为[J]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