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第二章半导体中的杂质和缺陷能级实际半导体偏离理想情况缺陷产生的原因：原子的振动材料不纯，若干杂质各种形式缺陷：点缺陷-空位、间隙原子线缺陷-位错面缺陷-层错、晶粒间界实验表明，极微量的杂质和缺陷对半导体的性质产生决定的影响。若在105个硅原子中掺入一个磷原子，导电性将增加30倍。

在通常的退火情况下，一般金属或合金中的位错密度约为104-107根/平方厘米，经过冷加工后可增加至1012-1013根/平方厘米。炼钢就是将铁中的杂质和碳除掉。2.1硅和锗中的杂质能级替位式杂质间隙式杂质杂质原子位于晶格原子间的间隙位置杂质原子取代晶格原子而位于格点处施主杂质、施主能级磷原子替代硅原子后，形成一个正电中心和一个多余的束缚电子，束缚电子脱离正电中心后成为自由电子，称电离。电离能为△ED，0.04~0.05eV。受主杂质、受主能级浅能级杂质电离能的简单计算锗△ED=0.0064eV，硅△ED=0.025eV考虑到正负电荷处于介质中，则作用力将减弱，束缚能量将减少，同时考虑电子的有效质量。杂质的补偿作用ND>>NANA>>ND深能级杂质2.4缺陷、位错点缺陷：热缺陷，杂质，电荷缺陷、弗伦克尔缺陷：间隙原子、空位对肖特基缺陷：晶体中形成的空位半导体材料的高分辨照片（清晰可见刃位错

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