天马微-Array制程与检测介绍课件

Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍TFT-LCD简介1.何谓TFT-LCD：

TFT─ThinFilmTransistor薄膜晶体管

LCD─LiquidCrystalDisplay

液晶显示器

2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、全彩化等优点，故已广泛使用于各类显示器材上天马微-Array制程与检测介绍數碼相機數碼攝錄影機汽車導航顯示器數碼影音光碟機筆記型電腦桌上型顯示器液晶電視天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍厂商地区尺寸投产日期2002200320042005设计产能LG.PhilipsLCD韩国龟尾第5代1000X12001季度6万/月韩国龟尾第5代1100X12501季度6万/月韩国龟尾第6代1500X18504季度9万/月三星电子韩国天安第5代1100X12504季度10万/月韩国天安第5代1100X13004季度10万/月韩国牙山第7代1870X22001季度7万/月友达光电台湾龙潭第5代1100X12502季度5万/月台湾龙潭第5代1100X13002季度7万/月奇美电子台湾台南第5代1100X13001季度>6万/月中华映管中国台湾第4.5代730X9202季度7万/月瀚宇彩晶台湾台南第5代1200X13001季度6万/月广辉电子台湾桃园第5代1100X13002季度6万/月群创光电中国台湾第5代1100X12502季度3.5万/月夏普日本第6代1500X18001季度4.5万/月日本第6代1500X18002季度1.5万/月京东方中国北京第5代1100X12501季度6万/月上广电-NEC中国上海第5代1100X13004季度4.5万/月上天马中国上海第4.5代730X9202007.3季度3万/月天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目天马微-Array制程与检测介绍Cell工程Module工程[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][连接电路][保护板]検査装配绑定[LCDPanel]液晶滴下真空贴合

切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]塗布曝光[Mask]現像刻蚀剥離[TFT基板]重复[Glass基板]天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍PhotoProcess–ResistCoatingSpincoatingSlit(extrusion)coating天马微-Array制程与检测介绍薄膜生长制程天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍PVD天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应—湿刻

将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形.刻蚀利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分—干刻天马微-Array制程与检测介绍EtchingtypeSubstrateChemicalIsotropicPlasmaIsotropic+AnisotropicWetetchDryetchPRPR膜膜基板基板PR膜基板IsotropicAnisotropicEtchant等方向浸入造成SideEtch天马微-Array制程与检测介绍EtchingtypeselectionPEP1Mo/AlNdwetetchPEP2SiNx/α-Si/n+-SidryetchPEP3Mo/Al/Mo;α-Si/n+-Siwet/dryetchPEP4SiNxdryetchPEP5ITOwetetch天马微-Array制程与检测介绍干刻用气体

反应方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他

Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。

SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。a-Si的刻蚀反应方程：SF6+He＋SiN→SiF4↑+SiS2↑+其他

SF6：F元素的供给源。

He：使等离子体均一化

2.SiN的刻蚀3.PR灰化（Ashing）反应方程：PR+O2→O2：利用等离子体方法去除PRO2：有利于形成Taper角天马微-Array制程与检测介绍湿刻M1：Mo/AlNdM2：Mo/Al/MoITO草酸（H2C2O4）HNO3+CH3COOH+H3PO4天马微-Array制程与检测介绍EtchingmodeSpray喷淋Spray+DipDip浸入GoodtapershapeFasterEtchingrateStep1：SprayStep2：Dip天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍AOI

←2160mm→←2400mm→

3GB×44unit=132GBG８SizeTheCCDsensordetectthesubstrate,Imagebytheprocessunit.DefectcanbereviewedpreciselyAOI–Autoopticalinspection天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍TEGproberandTester天马微-Array制程与检测介绍天马微-Array制程与检测介绍Arraylaserrepair天马微-Array制程与检测介绍AfterStriperAfterlaserrepairInlayerrepair(PEP1)DatafromAOIExample:MetalAl/ND:532nm天马微-Array制程与检测介绍DefecttypeRepairmethodMetalresidueMetalresidueGCshort用Blocklaser将残留metal打掉用Blocklaser将残留metal打掉Metalresidue用Blocklaser将残留metal打掉波长选择532nm天马微-Array制程与检测介绍技术名称优点缺点半反射半透射技术

（Transflective）省电、室外显示效果好制程复杂、良率降低多畴垂直取向/电极图形垂直取向技术(MVA/PVA)视角广、对比度高、响应时间短、不需要摩擦制程制程复杂、良率降低平面内转换技术(IPS)视角广、低色移制程复杂、良率降低、透过率低、耗电量高光学补偿弯曲排列技术

（OCB）响应速度快（包括低温情况）、视角广制程复杂、良率降低、需要预置电压有机膜高开口率技术

（HAR）开口率高、透过率高制