概述-电子技术发展史

电子技术发展史1.器件的发展3.电子史上的杰出人物4.中国电子技术的发展2.电子计算机的发展概述5.

电子技术的应用（1）分立元件阶段（1905～1959）真空电子管、半导体晶体管（2）集成电路阶段（1959～）SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI1.器件的发展分立元件阶段（1905～1959）*电子管时代（1905～1948）第一代电子产品的核心是电子管，由美国的科学家德福雷斯特发明的,电子管体积大、重量重、耗电大、寿命短分立元件阶段（1905～1959）*电子管时代（1905～1948）分立元件阶段（1905～1959）*晶体管时代（1948～1959）1947年，美国贝尔实验室的肖克莱、布拉顿、巴丁发明晶体管，迅速取代电子管。现代二极管图片整流二极管发光二极管现代三极管图片现代场效应管图片集成电路阶段（1959～）时期规模集成度（元件数）50年代末小规模集成电路（SSI）10060年代中规模集成电路（MSI）100070年代大规模集成电路（LSI）>100070年代末超大规模集成电路（VLSI）1000080年代特大规模集成电路（ULSI）>100000集成电路阶段（1959～）1958年美国得克萨斯仪器公司和仙童公司宣布研制成第一个集成电路。小规模集成电路（集成逻辑门）中规模集成电路（显示译码器）超大规模集成电路（单片机）可编程逻辑器件（PLD）微控制芯片（MCU）数字信号处理器（DSP）大规模存储芯片（RAM/ROM）集成电路阶段（1959～）第一代（1946～1957）电子管计算机第二代（1958～1963）晶体管计算机第三代（1964～1970）集成电路计算机第四代（1971～）大规模集成电路计算机2.电子计算机的发展第一代（1946～1957）电子管计算机世界上第一台电子计算机于1946年在美国研制成功，取名ENIAC。这台计算机使用了18800个电子管，占地170平方米，重达30吨，耗电140千瓦，价格40多万美元，是一个昂贵耗电的"庞然大物"。由于它采用了电子线路来执行算术运算、逻辑运算和存储信息，从而就大大提高了运算速度。ENIAC每秒可进行5000次加法和减法运算，把计算一条弹道的时间短为30秒。它最初被专门用于弹道运算，后来经过多次改进而成为能进行各种科学计算的通用电子计算机。从1946年2月交付使用，到1955年10月最后切断电源，ENIAC服役长达9年。ENIACIBM7090第二代（1958～1963）晶体管计算机时代：它的基本电子元件是晶体管，内存储器大量使用磁性材料制成的磁芯存储器。与第一代电子管计算机相比，晶体管计算机体积小，耗电少，成本低，逻辑功能强，使用方便，可靠性高

。（IBM7090）第二代（1958～1963）晶体管计算机IBM360晶体管计算机第三代（1964～1970）集成电路计算机时代：它的基本元件是小规模集成电路和中规模集成电路，磁芯存储器进一步发展，并开始采用性能更好的半导体存储器，运算速度提高到每秒几十万次基本运算。由于采用了集成电路，第三代计算机各方面性能都有了极大提高：体积缩小，价格降低，功能增强，可靠性大大提高。（IBM360系列为代表）第三代（1964～1970）集成电路计算机品牌电脑第四代（1971～）大规模集成电路计算机时代：它的基本元件是大规模集成电路，甚至超大规模集成电路，集成度很高的半导体存储器替代了磁芯存储器，运算速度可达每秒几百万次，甚至上亿次基本运算。具有体积小、功能强、可靠性高等特点。第四代（1971～）大规模集成电路计算机（1）爱迪生—把人类引入电子时代的开端3.电子史上的杰出人物1883年，“发明大王”爱迪生发现他发明的白炽灯有一个伤脑筋的问题，就是碳丝灯泡中碳丝的内壁上有一层薄薄的积碳使洒炮变黑，同时发生的灯炮中碳丝的烧坏，好像碳丝很快就蒸发到灯泡壁上了。爱迪生决心找出原因，寻找高熔点的金属做灯丝。爱迪生在灯泡内封进了一个与电路中正极相连接的金属片，当灯丝达到白热后，与灯丝相对的金属片表面发出淡蓝色的光亮，他还惊奇地发现，与金属片相联的电流计的指针发生了偏转，这说明灯丝与金属片之间虽无接触，却有电流通过。可是如果给金属片加负电压，则没有电流。这是为什么呢？当时爱迪生只是在笔记本上记下了这一发现，并没有把这个现象作为他继续发明的线索。这个现象就是“爱迪生效应”。（2）李·德弗雷斯特

—无线电之父”、“电视始祖”、“电子管之父

3.电子史上的杰出人物（3）肖克莱

—晶体管鼻祖3.电子史上的杰出人物（3）肖克莱与“八叛逆”3.电子史上的杰出人物（1）艰苦创业（1956～1965）（2）初见端倪（1965～1980）（3）继续发展（1981~1995）（4）快速前进（1996~）4.中国电子技术的发展（1）艰苦创业（1956～1965）1956年，中国科学院物理研究所举办半导体短期培训班，请回国的半导体专家授课。（1）艰苦创业（1956～1965）中国半导体材料研究从锗开始，1957年北京电子管厂生产出第一个锗单晶。（1）艰苦创业（1956～1965）（1）艰苦创业（1956～1965）这一阶段历时10年，与国外差距10年。（2）初见端倪（1965～1980）这一阶段是中国集成电路初发阶段，相继研究出DTL、TTL、ECL等数字逻辑电路，但与国外比还是有差距（3）继续发展（1981～1995）这一阶段是集成电路产业集中发展阶段，六五七五八五中国完成了南北基地和五个主干企业的建设，但是与发达国家的技术迅猛发展相比差距不但没有缩短，而且加大了。（4）快速发展（1996～2005）这一阶段是集成电路产业快速发展阶段，九五十五计划期间，集成电路产业逐步进入健康发展阶段，2000年，国务院颁布文件，对软件产业和