LED芯片制作流程

LED芯片制作流程

整理ppt报告内容1.概况2.外延3.管芯整理pptLED芯片结构

MQW=Multi-quantumwell,多量子阱整理pptLED制造过程衬底材料生长LED结构MOCVD生长芯片加工芯片切割器件封装Sapphire蓝宝石整理pptLED制程工艺步骤内容前段外延片衬底及外延层生长中段蒸镀、光刻、研磨、切割过程后段将做好的LED芯片进行封装LED三个过程：材料生长、芯片制备、器件封装。整理ppt外延片制作衬底外延整理ppt可用LED衬底1.GaAs衬底2.Al2O3衬底3.SiC衬底4.Si衬底整理pptGaAs衬底GaAs衬底：在使用LPE(液相磊晶)生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。优点晶格匹配，容易生长出较好的材料缺乏吸收光子整理ppt蓝宝石Al2O3衬底优点化学稳定性好不吸收可见光价格适中制造技术相对成熟缺乏导电性能差坚硬，不易切割导热性差整理pptSiC衬底优点化学稳定性好导电性能好导热性能好不吸收可见光缺乏价格高晶体品质难以到达Al2O3和Si那么好机械加工性能比较差吸收380nm以下的紫外光，不适合用来研发380nm以下紫外LED目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。整理pptSi衬底优点晶体品质高尺寸大本钱低易加工良好的导电性良好的导热性和热稳定性缺乏由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。整理pptSi衬底制备流程长晶切片抛光退火→→→整理ppt外延生长蓝宝石缓冲层N-GaNp-GaNMQW在半导体基片上形成一个与基片结晶轴同晶向的半导体薄层，称为半导体外延生长技术，所形成的薄层称为外延层整理pptP、N极的别离表现为元素掺杂度的不同整理ppt外延生长方法依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极管MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。整理pptMOCVD其过程首先是将GaN衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉〔简MOCVD，又称外延炉〕，再通入III、II族金属元素的烷基化合物〔甲基或乙基化物〕蒸气与非金属(V或VI族元素〕的氢化物〔或烷基物〕气体，在高温下，发生热解反响，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米〔1毫米＝1000微米〕的化合物半导体外延层。长有外延层的GaN片也就是常称的外延片。整理ppt双气流MOCVD生长GaN装置整理pptMOCVDMOCVD英国ThomasSwan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源汽相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料第一代-Ge、Si半导体材料第二代-GaAs、InP化合物半导体材料第三代-SiC、金刚石、GaN等半导体材料整理ppt外延片整理ppt绿光外延片为什么有个缺口呢？整理ppt管芯制作

蒸发光刻划片裂片分拣整理ppt黄光区整理ppt光刻ITOICP刻蚀光刻电极蒸镀电极剥离、合金光刻胶ITOP-GaN金电极衬底缓冲层N-GaNMQW整理ppt外延片ITO光刻ITO甩胶前烘曝光显影坚膜腐蚀ITO氧化铟锡是IndiumTinOxides的缩写。作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外线、红外线。整理ppt甩胶：将少许光刻胶滴在外延片上，用匀胶台在高速旋转后形成均匀的胶膜。前烘：使光刻胶的溶剂挥发，用于改善光刻胶与样品外表的粘附性。曝光：用紫外光通过光刻板曝光，曝光的区域发生化学变化。掩膜板光刻ITO整理ppt曝光原理图整理ppt手动曝光机整理ppt显影后的图形腐蚀：用36%-38%的盐酸腐蚀ITO显影：用显影液除去应去掉局部的光刻胶，已获得腐蚀时由胶膜保护的图形。后烘：使光刻胶更巩固，防止被保护的地方发生腐蚀整理ppt掩膜板光刻电极整理ppt显影后的图形蒸发剥离合金减薄蒸发：在芯片外表镀上一层或多层金属〔Au、Ni、Al等〕，一般将芯片置于高温真空下，将熔化的金属蒸着在芯片上剥离：去掉发光区域的金合金：使蒸镀过程中蒸镀的多层金属分子间更紧密结合，减少接触电阻。.减薄：减小衬底厚度，利于切割、散热激光划片整理ppt蒸发原理图整理ppt白膜：宽度为16cm,粘性随温度的升.高增加;

贴膜整理ppt

激光打在蓝宝石衬底上，所用激光为紫外光，波长为355nm。划片整理ppt为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上外表，激光的划痕深度尽量在25-30um。整理ppt蓝膜：宽度22cm

倒膜时衬底朝上，有电极的一面朝下。倒膜整理ppt裂片前我们在片子上贴一层玻璃纸，防止裂片时刀对管芯的破坏。裂片设备裂片整理ppt把裂片后直径为两英寸的片子扩成三英寸，便于后序的分拣