DB34-T 4315-2022 甜叶菊组培快繁技术规程_第1页
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文档简介

CCS

34 DB34/T

甜叶菊组培快繁技术规程

and

rapid

propagation

of

DB34/T

2022前言本文件按照

GB/T

DB34/T

2022

范围Stevia

rebaudiana

(Bertoni)

规范性引用文件JB/T

10594

术语和定义

组培设施

培养基应于

12

1.1

培养基应于

12

1.1

15

min~20

min,待

温室建造按

JB/T

的规定执行。可选择玻璃温室或薄膜温室,温度可控范围

培养基配制5.1.1

基本培养基MS培养基为基本培养基,成分见附录A。5.1.2

初代培养基mg/L

g/L。5.1.3

继代增殖培养基MS+6-BA

5.5

g/L。5.1.4

生根培养基

MS

mg/L~0.5

g/L

g/L。

NY/T

2306

1.0

HCl

灭菌2

220

min~30

min,先启动风机,再关闭紫外灯。接种前,工作台面用

无菌苗初代培养DB34/T

2022选用生长健壮、无病虫害的甜叶菊植株,取顶端长

节的茎段为外植体备用。将选取的外植体用

10min~15min。

min~20

7.4.1

接种工具消毒7.4.2

外植体切取将已消毒的外植体切除下端部分及上端幼叶,留取长

1.5cm

接种将切取的茎段接种在诱导培养基上。每瓶培养基接种

培养温度为

12h/d。

d。

继代增殖培养

7.5。

d。

DB34/T

2022

生根培养

7.5。

d。10炼苗

培养瓶放置在遮光率为

70%~90%、温度为

炼苗

d~311组培苗清洗和移栽12档案管理

L

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