晶体变换器的概要及设计

晶体变换器的概要及设计晶体变换器的概要及设计对于频率变换器的基本频率(局部振荡频率)使用晶体振荡电路，则称之为晶体变换器。此一晶体变换器加在接收机的前级，便可以接收与原来接收机不同频率的信号。在此，所接收的频率选择为AirBand的118M~136MHz中的一部分，此为航空通信所使用的频带。晶体变换器的概要

图17所示的为晶体变换器的方块图。可以接收118~136MHz的AirBand的一部分信号，将其变换成为原来的接收机(主接收机)的频率。图中所示的主接收机可以接收50MHz频带的AM信号。<align="middle"colSpan="2"width="100%">

频率变换为利用FET的顺方向传达电导(Admittance)的变化，以达到乘算的作用。所使用的FET为Dual-GateFET。

从天线所输入的信号经过高频率放大用的DuaIGateFET3SK73的放大。为了改变高频率放大电路的放大率，可以控制3SK73的G2(Gate2)的电压。

为了得到目标的局部振荡频率，将12MHz的晶体振荡器的频率做(×3×2=)6倍频，以取出72MHz。

在频率变换电路中，再将接收频率的122MHz与此一72MHz混合，变换成为差的122M-72MHz＝50MHz。

AirBand(航空频带)的接收频带为136M~118MHz=18MHz，但是，主接收机的频带一般仅约为数MHz而已。在此所使用的业余无线电机的接收频率为50M～54MHz，可以含盖的频带范围。也即是122M~l26MHz的4MHz频带宽。在此，如果利用SW切换晶体的频率至11.333MHz时，便可以接收118M~122MHz的频率信号，总共可接收8MHz频宽的信号。

最后所得到的晶体变换器电路图如图18所示

频率变换为利用FET的顺方向传达电导(Admittance)的变化，以达到乘算的作用。所使用的FET为Dual-GateFET。

从天线所输入的信号经过高频率放大用的DuaIGateFET3SK73的放大。为了改变高频率放大电路的放大率，可以控制3SK73的G2(Gate2)的电压。

为了得到目标的局部振荡频率，将12MHz的晶体振荡器的频率做(×3×2=)6倍频，以取出72MHz。

在频率变换电路中，再将接收频率的122MHz与此一72MHz混合，变换成为差的122M-72MHz＝50MHz。

AirBand(航空频带)的接收频带为136M~118MHz=18MHz，但是，主接收机的频带一般仅约为数MHz而已。在此所使用的业余无线电机的接收频率为50M～54MHz，可以含盖的频带范围。也即是122M~l26MHz的4MHz频带宽。在此，如果利用SW切换晶体的频率至11.333MHz时，便可以接收118M~122MHz的频率信号，总共可接收8MHz频宽的信号。

最后所得到的晶体变换器电路图如图18所示

利用Dual-GateFET所做成的高频率放大/频率变换电路

以下说明利用Dual-GateFET3SK73GR做为设计的情形。在此用来做为晶体变换器的高频率放大电路与频率变换电路使用。

图19所示的为FET3SK73的规格特性。应注意其极限参数。图19VHF频带用Dual-GateFET3SK73的特性[取自东芝的规格表]电气的特性(源极接地Ta=25℃图19VHF频带用Dual-GateFET3SK73的特性(续)

图20所示的为各种性能。由其中的图(C)所示的顺方向传达电导|yfs|特征，可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V时，|yfs|=23mS。图203SK73的诸项特性

(此为使用厂商的数据规格所做的设计。在G2电压(AGC电压)为0~2V时，电功率放大率为l0~24dB变化。)

根据以上的条件，从图(a)与图(b)的特性可以求出漏极电流ID=14mA。

可是，如图(e)所示，在外部温度Ta达到75℃时，漏极电功率损失PD必须控制在150mW以下。此时，可以求出漏极-源极间电压VDS=150/14=10.7V。

根据3SK73GR的IDSS分类，有6mA~14mA。由特性图可以看出，所流通的ID值较大，为考虑余裕度，电源电压设计为6V。

图(d)所示的为AGC(AutomaticGainContro1)电压与噪声指数NF，以及电功率放大率Gps的关系。此所示的虽然为在VG1S＝0V时的数据，但是，相当不太大，因此，可以直接如此使用。

ACC电压是指VG2S，在VG2S=4V时，