电子信息材料现状与展望

电子信息资料开展现状与展望2007年4月一、前言电子资料行业分为电子功能资料、构造资料及工艺与辅助资料三大类电子信息资料是信息技术的基石，是开展电子信息产业的根底，也是世界各国期望在未来信息技术开展中占有优势位置的关键技术之一21世纪将开创一个以开发先进的电子信息资料为先导，促进高新技术群体快速开展的新世纪二、市场半导体资料未来5年内，8～12英寸硅片的主流位置不会动摇。目前世界多晶硅的年产才干约30000吨，硅单晶片产量超越50亿平方英寸“十一五〞硅外延片和绝缘层上的硅〔SOI〕资料的国内需求将出现大幅增长目前国际上6英寸GaAs资料、4英寸InP资料、3英寸碳化硅〔SiC〕资料曾经商品化，2004年GaAsIC产值达60亿美圆国内目前GaAs以3～4英寸为主，InP以2英寸为主。半导体照明工程的开展对GaAs资料的运用在添加，氮化镓〔GaN〕、碳化硅〔SiC〕等半导体资料在微电子、光电子技术领域运用开展很快，估计2005年全球锗硅〔SiGe〕外延资料市场可达22亿美圆2、新型平板显示器件资料新型平板显示器的资料主要包括LCD、高亮度LED、PDP用资料,其中LCD用电子资料的开展将以TFT—LCD为重点,TFT液晶资料占市场的份额三分之二以上2021年世界LCD资料需求预测

TFTTN黑白STN彩色STNLCD产能(万平米)7,00070015070液晶资料(吨)40045115彩色滤光片(万平米)7,0000070偏光片(万平米)17,5001,600350165玻璃基片(万平米)14,0001,400300140ITO玻璃(方平米)01,400300702021年中国LCD资料需求量预测

TFTTN黑白STN彩色STNLCD产能(万平米)8006007060液晶资料(吨)504254彩色滤光片(万平米)8000060偏光片(万平米)2,0001,400160140玻璃基片(万平米)1,6001,200140120ITO玻璃(万平米)01,20014060ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的根底上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡〔俗称ITO〕膜加工制形成的。液晶显示器公用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挠层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里分散。高档液晶显示器公用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进展抛光处置，以得到更均匀的显示控制。液晶显示器公用ITO玻璃基板普通属超浮法玻璃，一切的镀膜面为玻璃的浮法锡面。因此，最终的液晶显示器都会沿浮法方向，规律的出现波纹不平整情况。

国际PDP资料市场的占有以日本为主，韩国第二位，国内已开场部分彩色PDP资料的研制和消费LED资料方面估计2021年我国普亮GaAs资料年用量90万平方米；红外AlGaAs资料年用量90万平方米；红、橙、黄AlGaInP资料年用量2180万平方米；蓝、绿、紫高亮度AlGaInN资料年用量400万平方米。3、电子元器件资料电子陶瓷资料是制造各种陶瓷电容器的主体构造资料，国外年产各类电子陶瓷资料约在2万余吨，估计“十一五〞我国对微波介质陶瓷资料需求总每年约1000吨，2021年各种电子陶瓷资料市场需求约13.9万吨估计世界磁性资料市场将以15%的年增长率开展，2021年产量约为永磁铁氧体85万吨，软磁铁氧体48万吨，钕铁硼磁体9万吨，届时我国永磁铁氧体磁性资料产量约为40万吨，软磁铁氧体20万吨，钕铁硼磁体6万吨，年产业规模将到达500亿元在电子封装资料领域，估计2005年全球环氧模塑料EMC的年销量将达16～17万吨，市场约15～16亿美圆，我国的市场需求将到达2500～3000吨；低温共烧基板(LTCC)全球2003年产量已突破1000万块以上估计我国2021年覆铜板材的市场需求约62万吨。2004年全球光纤产量近6900万公里，光缆产量5700万芯公里。2004年国内光纤产量约1600万芯公里，需求量约1300万芯公里国际上激光晶体资料2003年产值约1亿美圆。非线性光学晶体年销售额超越4亿美圆，今后几年市场增长率约20%。我国2021年人造石英晶体的产能约2000吨/年。铌酸锂、钽酸锂晶体资料的市场需求约100吨三、技术趋势新资料技术与生物技术、信息技术并列为二十一世纪的三大技术源动力之一。世界新资料的研讨热点主要集中在生物工程资料、新能源资料、纳米资料、电子信息资料、电子元器件资料、新型半导体资料等领域。总的开展趋势将向纳米构造、非均值、非线性和非平衡态、绿色化方向开展。半导体资料〔微电子、光电子〕的开展趋势是：增大资料直径、提高资料参数的均匀性和外表质量、加速开展宽禁带半导体资料及第三代高温半导体资料，重点开展12″硅抛光片、8″、12″硅外延片，6″直拉砷化镓资料、SiGe/Si资料、SOI硅基资料、193nm光刻胶、超纯高纯试剂、先进的封装资料等产品。开发蓝光LED所需的GaN基、ZnSe基外延资料成为电子资料下一步的研讨热点电子元器件资料当前的开展重点是光电子器件所需的激光资料、非线性晶体资料、光纤通讯资料、压电晶体资料、片式元件用的陶瓷资料、高密度印制板用的高性能覆铜板资料、高性能磁性资料等同时已开展无铅、镉等有害物质介质瓷料的研讨和消费；光纤资料正向不断扩展通讯容量、降低损耗、添加传输间隔、降低色散、提高带宽、抑制非线性效应、实现密集波分复用以及高灵敏度传感及大尺寸、低本钱预制捧等方向开展；磁性资料领域将努力于开展新型稀土永磁资料，高磁性能的稀土永磁薄膜资料，高磁能积的纳米和非晶金属永磁资料。掺钕钇铝石榴石晶体已成为运用最广泛的激光晶体，激光晶体的直径和尺寸也在不断增大，质量和性能不断提高。电子显示器件资料的开展集中在FPD领域，STN-LCD和TFT-LCD显示器所用的混合液晶，彩色滤色膜及颜料，平板玻璃，研讨PDP所需的电极、荧光粉点阵的微细化技术，以使彩色等离子体显示器向大屏幕、高信息容量方向开展无铅焊料替代含铅焊料，包括焊球、焊膏、焊条和焊丝等四、产业现状我国电子资料行业经过数十年的开展，获得了长足的提高，2004年行业销售收入540亿元，从业企业1000多家，但电子资料行业企业分散，消费规模小，产品大部分为中低档资料，不少技术要求高的关键资料仍需依托进口国内从事硅单晶资料研讨消费企业约有40多家，从业人员约4000余人，2004年国内硅单晶产量达1700吨左右，大部分为4英寸、5英寸、6英寸硅片，其中太阳能电池用硅片占三分之二,8英寸硅片可提供少量产品，12英寸硅片尚在研制中。我国硅资料和硅外延资料企业的技术程度比兴隆国家落后约10年，目前国内4、5、6英寸硅外延片已可批量消费，8、12英寸硅外延片尚属空白。我国光刻胶除紫外负性光刻胶外，其他光刻胶种类与国际先进程度存在较大差距，有的甚至是空白国内在SOI和SiGe/Si外延方面，获得了较好的进展，研讨程度根本与国外同步，国内SiC资料处于实验室研发和技术攻关阶段我国液晶资料的消费以中低档的TN、STN型为主，TFT用资料尚处于实验室阶段。我国ITO导电玻璃行业的年消费才干超越500万片。已成为世界ITO导电玻璃的主要消费国。国内偏光片的消费才干为每年300万㎡。彩色滤光片已有批量消费，但TFT用彩色滤光片尚处于研制阶段。我国LED产业规模和程度与日、美、台湾等先进国家和地域相比还有较大差距，在外延资料等方面均落后先进国家3～4年。PDP资料国内已有一些研讨单位和企业开场了部分的研制和消费我国在激光晶体资料领域获得了举世瞩目的成果，Nd:YAG等一批晶体产品已构成批量消费才干，年产值超越4000万元，产品的质量到达或接近国际先进程度。中国已成为全球石英(α-SiO2)资料的重要消费和供应基地之一，2004年产量约2000吨，但多属中低档产品。国内消费的铌酸锂(LiNbO3)和钽酸锂(LiTaO3)晶体多属中低档产品，2004年产量为50吨2005年我国磁性资料产量约为永磁铁氧体约为35万吨，软磁铁氧体约为10万吨，钕铁硼磁体约1万多吨，分别占世界产量的50%、25%、33%。各种介质陶瓷资料1800余吨，其中不少类别瓷料在综合性能上可与国外同种类比美我国锂离子电池正极资料年产才干已达5000吨以上MCMB碳负极资料已可批量提供，锂离子电池用隔膜资料还完全依赖进口五、开展目的2021年主要电子信息资料的技术程度和产品性能与当时的国际程度相当，并构成相应的产业规模。微电子配套资料的性能目的到达0.09～0.13μm技术要求，2021年主要资料国内市场占有率到达30%。新型电子显示器件资料以高亮度发光资料为突破口，使半导体照明工程的主要外延资料到达批量化消费，国内市场占有率达50%以上；重点开展平板显示资料，掌握平板显示用超薄玻璃等6种关键资料消费技术，构成批量消费；建立YAG等量大面广的激光资料、非线性晶体资料产业化基地2～3个；完成光纤资料产业链的建立，促进光电子器件用资料整体开展程度。新型电子元器件资料经过优化产业构造和产品构造，实现规模化消费，降低量大面广资料的消费本钱，提高国际竞争力，构成中国名牌六、开展重点1、半导体资料⑴硅基资料①半导体级、太阳能级多晶硅资料②8英寸、12英寸硅外延③6、8英寸SOI资料；6英寸SiGe/Si资料等⑵4-6英寸GaAs和InPPHEMT与HBT外延资料⑶i线、193nm光刻胶⑷0.13-0.09um用超净高纯试剂2、新型显示器件资料⑴TFT—LCD液晶显示器件关键资料⑵高亮度发光二极管、第三代高温宽禁带半导体资料：GaN、SiC等晶体及外延资料。⑶PDP、OLED资料3、光通讯资料⑴通讯誉光纤、光纤预制棒资料⑵特种光纤、光纤预制棒资料4、激光晶体⑴高功率激光晶体资料⑵LD泵浦激光晶体资料⑶可调谐激光晶体资料(4)高效低阈值晶体资料5、磁性资料⑴烧结永磁资料大消费技术⑵粘结NdFeB永磁、磁粉注射成型技术⑶纳米复合永磁及其制备技术⑷低温共烧资料和纳米软磁资料⑸磁致冷资料⑹电磁屏蔽资料⑺磁记录资料6、压电晶体资料⑴挪动通讯誉高频宽带声外表波〔SAW〕器件用低缺陷压电晶体资料⑵〔3～10GHz〕声外表波〔SAW〕器件用压电晶体薄膜资料7、电子功能陶瓷资料⑴高性能高可靠片式电容器陶瓷资料：⑵